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随着无铅技术在寰球的推广，NV-SRAM 成为 NVRAM 的广泛抉择。本篇文章次要介绍了 NV-SRAM 与电池供电 SRAM（BBSRAM）技术相比拟。
BBSRAM
数据保留工夫和产品使用寿命
•电池电量耗尽（在商业系统中通常为 4 到 7 年）后，BBSRAM 不再作为非易失性存储器操作。
•上面两个次要因素会升高电池使用寿命：
- 存储器电路的漏电流—该因素取决于存储器对电流的要求，它还决定了电池在室温条件下的使用寿命。
- 电解液蒸发—在温度为 70°C 的条件下，蒸发速率
•便是电池与存储器断开导致其使用寿命缩短的速率。
•通常在温度为 85°C 的条件下，即便从未给器件充电，电池的使用寿命也不能超过两年。
•在高温条件下，电池维持的电流能力也会降落。
•在温度为–40°C 的条件下，大致相同的机制会使汽车电池的化学成分在高温条件下有效，从而导致电池的供电能力升高 20%。
•不受管制的断电序列会对电池的使用寿命造成不利影响。特地是断电时的警报导致的 VCC 下冲会耗尽电池电量。如果断电器件 CE 不能维持高电平状态，那么可能会发生意外的读 / 写操作。这些周期对全电流的要求会升高电池的使用寿命。
性能
•有电池供电的器件必须要优化待机功耗，以便最大化数据保留工夫并缩小拜访工夫。
•4Mb 大小的 BBRAM 的最快拜访工夫为 70ns 到 100ns。
NV-SRAM
•NV-SRAM 保障 20 年的数据保留工夫和一百万次的存储操作。
•NV-SRAM 中的非易失性存储器单元便是一个 EEPROM 单元。该单元包含在导体和硅外表间搁置的氮化物绝缘体和薄氧化物绝缘体。编程电荷存储在氮化物绝缘体内。各个导体间的电场会管制氮化物绝缘体内电荷的注入。
•绝缘体放弃电荷的能力决定了数据的保留工夫。当存储单元被循环或温度增高时，绝缘体会使更多电荷被透露。器件的保留温度和执行存储操作的次数决定了 NV-SRAM 中数据的保留工夫。
•应用温度减速因素检测赛普拉斯所有 NV-SRAM 器件，从而保障这些器件在最高温度下维持操作时合乎最终指定存储周期内的全副保留规格
性能
•某个 NV-SRAM 中的 SRAM 局部与应用工业规范 6T 单元中的规范 SRAM 完全相同。因而其性能标准同规范的 SRAM 雷同，电流拜访工夫为 20ns 到 45ns。
在数据保留工夫、拜访工夫和封装大小等方面，与 BBSRAM 器件相比，NV-SRAM 具备显著的劣势。对于要求简直为有限次的耐久性、长期保留数据和高速拜访存储在存储器中的数据等问题的零碎，NV-SRAM 是优先的抉择。