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‘非易失性’是指 MRAM 单元在关断电源后仍可放弃残缺记亿, 性能虽与闪存类同, 但实质各异。闪存的非易失性不是闪存的固有属性, 而是靠两个闪存反相器交叉耦合组成，也就是由晶体管、电阻及电容等元器件组合而成的记忆单元, 实际上是靠渺小电容器存储的一份电荷来保存信息, 如果断电则这份电荷就会耗尽。但 MRAM 单元却简略多了，它的四层薄膜中有三层都是铁磁性资料, 写入自在层的数据:0 或Ⅰ状态, 设置的原理基于磁性材料固有的磁滞效应具备永久性, 这是铁磁性资料的固有属性, 因而在忽然断电时也不会失落信息, 存入数据的非易失性天然失去保障。而且保留数据并不耗电。
随机存取
‘随机存取’是指中央处理器读取材料时不用从头开始，随时可用雷同的速率从 MRAM 芯片的任何部位读取信息，这与以后计算机在开机时须从新从硬盘向 RAM 内存装载信息不同, 因 mram 芯片在关机前已将程序和数据保留在本地内存之中。因而 MRAM 芯片勾销计算机开机的等待时间, 也就是启动快。而且随机存取速率也快, 因为 MRAM 元件是一个单体, 数据存储以磁畴取向为根据, 存‘0’或‘1’，原理扼要、运行快捷。不像闪存那样随机存取有赖于晶体管的导通、截止以及电路传输。
存储密度
MRAM 与闪存都属于小规格芯片, 所占空间极小, 存储密度随着集成技术工艺的倒退而减少。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因而 MRAM 的体积也越来越小, 存储密度必随之减少。
低功耗
MRAM 单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存 EEPROM 的十分之一左右, 而且断电后保留数据不需耗电。
MRAM 被认为是目前能同时满足计算机内存四项要求:‘非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低 ’ 的最佳器件, 因此受到业内人士的宽泛关注, 各大企业竞相开发, 力争产品早日面世。
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