共计 883 个字符，预计需要花费 3 分钟才能阅读完成。
美国 ISSI 公司是为汽车和通信，数字消费者以及工业和医疗次要市场设计开发高性能集成电路的技术领导者。次要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。近年来对精细半导体存储器的需要已从集体计算机市场扩大到了汽车，通信，数字生产，工业和医疗市场。这些产品须要减少内存内容，以帮忙解决大量数据。
ISSI IS61WV25616BLL 是高速的 4Mbit 动态 SRAM，它是应用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制作的。这种高度牢靠的工艺加上翻新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的器件。当 CE 为高电平（勾销抉择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可通过 CMOS 输出电平降低功耗。通过应用芯片使能和输入使能输出 CE 和 OE，能够轻松扩大存储器。激活的 LOW Write Enable（WE）管制存储器的写入和读取。数据字节容许高字节（UB）和低字节（LB）拜访。IS61WV25616BLL 封装在 JEDEC 规范的 44 引脚 TSOP TypeII 和 48 引脚 Mini BGA（6mmx8mm）中。ISSI 代理英尚微电子反对提供样品及产品技术支持等服务。
引脚封装
IS61WV25616BLL 特色
高速：（IS61WV25616BLL）
•高速拜访工夫：8、10、20ns
•低有功功率：85mW（典型值）
•低待机功率：7mW（典型值）
CMOS 待机
•高速拜访工夫：25、35、45ns
•低有功功率：35mW（典型值）
•低待机功率：0.6mW（典型值）
CMOS 待机
•单电源
-VDD2.4V 至 3.6V（IS61/64WV25616Bxx）
•齐全动态操作：无需时钟或刷新
•三态输入
•高低字节数据管制
•工业和汽车温度反对
•无铅可用
ISSI 公司跨各种终端市场对高性能存储设备的需要一直增长，这为高性能存储集成电路的集中供应商提供了微小的机会。以开发当先的工艺技术，并在行业降级周期中更平安地获取晶圆产能。并为满足客户需要提供长期供给。持续开发和提供高性能产品。为次要市场开发精选的非内存产品。为了减少产品的多样化并提供 SRAM，DRAM 和闪存专业知识相辅相成的产品，开发精选的非内存产品以供次要市场应用。