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在现有的单片机 MCU 的设计上，因为片内 RAM 空间有余，想要解决这个问题要么换更大 RAM 的 MCU，要么就外扩 PSRAM。计划抉择次要有两个问题须要思考：1.PSRAM 的数据位数；2. 是否应用锁存器。因为 IO 口资源无限，同时为保障片外 PSRAM 的速度。
因为单片机 RAM 内存比拟小，限度了很多单片机 MCU 在智能硬件上的利用，在个别的存储芯片中 PSRAM 是属于伪动态 SRAM 存储芯片，PSRAM 具备 SRAM 一样的简单明了的接口设置，也不须要像 DRAM 那样须要刷新，却具备 DRAM 单管的工艺构造，能够在雷同单位面积的 die(裸片) 切割更多的存储芯片，价格绝对比 SRAM 要便宜，在晚期的利用中，比拟常见的是像智能手机，电子字典等，或者比方展讯的 SC6530、锐迪科的 8851、MTK 的 6250 等都有集成 Psram 的嵌入。
外扩 PSRAM 个别用做内存应用，应用程序的数据就是映射到片外的。所以 PSRAM 的可靠性必须要保障，必须是零容忍。不然就会出现异常死机的状况。这对于产品来说是相对不容许的。所以尽管硬件软件曾经通了，但对 PSRAM 的压力测试还是很有必要的。
我司英尚微推出的 EMI 产品 EMI7064LSME 正是一款串行 pSRAM 器件，容量 64Mbit，一般来说如果外扩单片机 MCU 的 RAM 资源的话，须要占用单片机的大量的管脚，而 EMI7064LSME 这个器件只须要单片机反对 SPI 接口或者 Quad SPI 接口就能够实现 RAM 资源外扩，非常适合于各类智能硬件的利用如图像处理、数据加密、语音解决、流媒体利用、数据采集、通信数据处理等。
国产 pSRAM 伟凌创芯（EMI）64Mbit Serial SRAM，反对 1.8v & 3.0V 64Mbit 的 SPI/QPI SRAM 设施。该 RAM 可配置为 1 位输出和输入独立或 4 位 I / O 公共接口。所有必要的刷新操作都由设施自身负责。EMI 代理商反对提供样品测试及产品解决方案。
