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富士通 FRAM 是一种交融了在断电的状况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个专长的铁电随机存储器（内存）。FRAM 的数据放弃，不仅不须要备用电池，而且与 EEPROM、FLASH 等传统的非易失性存储器相比，具备优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
MB85R4002A 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由 262,144 字×16 位非易失性存储单元组成，这些单元应用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术制作。可能保留数据，而无需应用 SRAM 所需的备用电池。MB85R4002A 中应用的存储单元可用于 1010 个读 / 写操作，与 Flash 存储器和 E2PROM 反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85R4002A 应用与惯例异步 SRAM 兼容的伪 SRAM 接口。
引脚封装
特点
•位配置：262,144 字×16 位
•LB 和 UB 数据字节管制
•读写续航力：1010 次 / 字节
•数据保留：10 年（+ 55°C），55 年（+ 35°C）
•工作电源电压：3.0 V 至 3.6 V
•低功耗运行：工作电源电流 15 mA（典型值），待机电流 50μA（典型值）
•工作环境温度范畴：−40°C 至 + 85°C
•封装：48 引脚塑料 TSOP（FPT-48P-M48）
合乎 RoHS
非易失性存储器 FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入工夫较通用 EEPROM 及闪存要短，具备写入能耗低的长处。富士通 FRAM 代理英尚微电子为用户提供利用解决方案等产品服务。
正文完
