共计 788 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
富士通 FRAM（铁电 RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐屡次读写操作。FRAM 是非易失性的，但在 ram 等其余方面运行。这种突破性的存储介质用于各种利用，包含智能卡、RFID、平安和许多其余须要高性能非易失性存储器的利用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体 128K 串行接口 FRAM MB85RS128B。
■形容
MB85RS128B 是一款 16,384 字×8 位配置的 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采纳铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术造成非易失性存储单元。MB85RS128B 采纳串行外设接口（SPI）。MB85RS128B 可能在不应用备用电池的状况下保留数据，这是 SRAM 所须要的。
MB85RS128B 采纳的存储单元可进行 1012 次读写操作，相比 Flash 存储器和 E2PROM 反对的读写操作次数有显着晋升。MB85RS128B 不须要像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，并且 MB85RS128B 不须要等待时间。
■特点
•位配置：16,384 字×8 位
•SPI 对应于 SPI 模式 0(0,0) 和模式 3(1,1)
•工作频率：除 READ33MHz(Max)READ 命令以外的所有命令 25MHz(Max)
•高耐久性：1012 次 / 字节
•数据保留：10 年(+85℃)、95 年(+55℃)、超过 200 年(+35℃)
•工作电源电压：2.7V 至 3.6V
•低功耗：工作电源电流 6mA(Typ@33MHz) 待机电流 9μA(Typ)
•工作环境温度范畴：−40℃至 +85℃
•封装：8 针塑料 SOP(FPT-8P-M02)合乎 RoHS
■引脚调配
■串行外设接口 (SPI)
富士通铁电存储器 MB85RS128B 作为 SPI 的从机工作。应用装备 SPI 端口的微控制器能够连贯 2 个以上的设施。通过应用没有装备 SPI 端口的微控制器，SI 和 SO 能够通过总线连贯应用。
