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MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它领有动态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力; 以及动态随机存储器 (DRAM) 的高集成度，而且基本上能够有限次地反复写入。
MRAM 个性
●MRAM 读 / 写周期时间:35ns;
●真正有限次擦除应用;
●业内最长的寿命和数据保留工夫——超过 20 年的非易失个性;
●单芯片最高容量为 16Mb;
●疾速、简略接口——16 位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI 接口;
●具备老本效益——简略到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ) 位单元;
●最佳等级的软错误率——远比其它内存优异;
●可取代多种存储器——集 Flash、SRAM、EEPROM、DRAM 的性能于一身;●具备商业级、工业级、扩大级和汽车级的可选温度范畴;
●合乎 RoHS 标准: 无电池、无铅;
●小封装:TSOP、VGA、DFN
MRAM 的存储原理
MRAM 是以磁性隧道结(MTJ) 贮存单元为根底。MTJ 中蕴含了一个维持繁多极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自在层。当自在层被施予和固定层雷同方向的极化时，MTJ 的隧道结便会显现出低电阻个性; 反之 MTJ 便会有高电阻。此磁阻效应可使 MRAM 不需扭转内存状态，便能疾速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换 MTJ 的磁场时，在两金属线交点的 MTJ 就会被极化(写入)。此过程能以 SRAM 的速度实现。
MRAM 的劣势
劣势一:
其采纳的磁性极化的形式与传统的电荷存储形式不同，无效防止了电荷漏电的问题，从而保证数据可能在广阔的温度范畴内被长期保留。
劣势二:
两个状态间的磁性极化切换不会波及到理论的电子或原子挪动，因而不会有耗损机制的存在。
劣势二:
两个状态间的磁性极化切换不会波及到理论的电子或原子挪动，因而不会有耗损机制的存在。
非易失性存储器 - 串行 mram
典型电路示例—MR25H40 4Mbit MRAM
非易失性存储器 - 并行 mram
典型电路示例—MR2A16A 256K×16 MRAM
非易失性存储器 -MRAM 选型
非易失性存储器 -MRAM 的利用
MRAM 应用问题
MRAM 是一种铁磁性存储器，在应用的时候，应尽量避免与强磁性物质否则低压大电流导体进行短距离接触，否则容易导致外部数据失落甚至是芯片损坏。
Everspin 是业余设计和制作 MRAM 和 STT-MRAM 的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为 MRAM 用户奠定了弱小的根底。Everspin 一级代理英尚微电子可为用户提供驱动和例程等技术方面反对。
