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Everspin 是设计制作 MRAM 到市场和利用的翘楚，在这些市场和利用中，数据持久性和完整性，低提早和安全性是至关重要。MR25H40VDF 是一个 4194,304 位 MRAM 设施系列，组织为 524,288 个 8 位字。对于必须应用大量 I / O 引脚疾速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是现实的内存解决方案。它们具备串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读 / 写时序，没有写提早并且读 / 写寿命不受限制。与其余串行存储器不同，应用 MR25H40VDF 系列，读取和写入都能够在内存中随机产生，而写入之间没有提早。
总览
MR25H40VDF 系列是 SPI 接口 MRAM 系列，其存储器阵列应用芯片抉择（CS），串行输出（SI），串行输入（SO）和串行串行时钟（SCK）的四针接口逻辑上组织为 512Kx8 外设接口（SPI）总线。MRAM 实现了 SPI EEPROM 和 SPI Flash 组件通用的命令子集。这样 SPI MRAM 能够替换同一插槽中的这些组件，并在共享的 SPI 总线上进行互操作。与其余串行存储器替代品相比 SPI MRAM 具备卓越的写入速度，有限的耐用性，低待机和运行能力以及简略，牢靠的数据保留。
MR25H40VDF 的长处
与富士通 FRAM 相比，降级到 Everspin MRAM 具备许多劣势：
•更快的随机拜访操作工夫（50MHz/20nstCLK 和 40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在 125C 工作温度下超过 20 年）
•有限读 / 写耐久性
•无磨损问题
•掉电时的主动数据保护
•竞争定价
•稳固的制造业供应链
一般引脚
MR25H40VDF 是组织为 512Kx8 的 4Mb 非易失性 RAM，采纳标称 3.3V 电源供电，并且与 FRAM 兼容。它提供规范的 8 引脚 Small Flag DFN（DF 版）和 8 引脚 DFN（DC 版），它们具备多种封装选项，可间接代替 SPI-FRAM 8 引脚塑料 SOP 封装（表格 1）。
SPI MRAM 袒露金属焊盘未连贯至芯片，因而应悬空或连贯至 Vss。从 SPI FRAM 迁徙时，请确保 SPI MRAM DFN 和 Small Flag DFN 封装的袒露金属焊盘未焊接在 PCB 上。这样做会导致 SPI MRAM 芯片裸露于过多的热量中，这可能会导致位故障和裕量损失。