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MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它领有 SRAM 的高速读取写入能力，以及 DRAM 的高集成度，而且基本上能够有限次地反复写入。MRAM 具备靠近零的动态功耗，较高的读写速度，与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相兼容等长处，在车用电子与穿戴设施等畛域已实现商业化利用，被认为是最有心愿的下一代存储器之一。
MR4A08BCYS35 是一款容量 16Mb 的磁阻随机存取存储器 MRAM 芯片，位宽 2Mx8 位字。提供与 SRAM 兼容的 35ns 的疾速读 / 写周期，具备有限读写耐力，数据在超过 20 年的工夫里始终是非易失性的。数据通过低压克制电路在断电时主动爱护，以避免电压超出规格的写入。是必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用的现实内存解决方案。
MR4A08BCYS35 采纳合乎 RoHS 的小尺寸 TSOP2 封装。封装兼容与相似的低功耗 SRAM 产品和其余非易失性 ram 产品。通过更换电池供电的 SRAM 进步可靠性，实现更简略、更高效的设计。在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。
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