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CYPRESS 提供全面的铁电 RAM 非易失性存储器产品组合，可在断电时立刻捕捉和保留要害数据。在要害工作数据记录利用中，例如须要高可靠性管制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体的加强生命的患者监护设施，小尺寸内存，赛普拉斯 FRAM 提供即时非易失性和简直有限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。本篇文章介绍 64Kbit 非易失性铁电存储器 FM25640B。
性能阐明
FM25640B 是一款采纳先进铁电工艺的 64Kbit 非易失性铁电存储器。铁电随机存取存储器或 FRAM 是非易失性的，执行相似于 RAM 的读取和写入。它提供 151 年的牢靠数据保留，同时打消由串行闪存、EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性、开销和零碎级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25640B 以总线速度执行写操作。不会产生写入提早。每个字节胜利传输到设施后，数据立刻写入存储器阵列。无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品提供了可观的写入耐久性。FM25640B 可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1 亿倍的写周期。
这些性能使 FM25640B 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。示例范畴从数据收集（其中写入周期数可能至关重要）到要求刻薄的工业管制（其中串行闪存或 EEPROM 的长写入工夫可能导致数据失落）。
FM25640B 为串行 EEPROM 或闪存作为硬件替代品的用户提供了微小的益处。FM25640B 采纳高速 SPI 总线，加强了 FRAM 技术的高速写入能力。器件规格在–40℃至 +85℃的工业温度范畴内失去保障。
特色
■64-Kbit 铁电随机存取存储器(FRAM) 逻辑上组织为 8K×8
❐高续航 100 万亿（1014）读 / 写
❐151 年的数据保留期
❐NoDelay™写入
❐先进的高可靠性铁电工艺
■十分疾速的串行外设接口(SPI)
❐高达 20MHz 的频率
❐串行闪存和 EEPROM 的间接硬件更换
❐反对 SPI 模式 0(0,0) 和模式 3(1,1)
■欠缺的写爱护计划
❐应用写爱护(WP) 引脚的硬件爱护
❐应用写禁用指令的软件保护
❐针对 1 /4、1/ 2 或整个阵列的软件块爱护
■低功耗
❐250μA1MHz 时的有功电流
❐4μA（典型值）待机电流
■电压操作：VDD=4.5V 至 5.5V
■工业温度：–40℃至 +85℃
■8 引脚小形状集成电路(SOIC) 封装
■合乎有害物质限度(RoHS)
性能概述
FM25640B 是串行 FRAM 存储器。存储器阵列在逻辑上组织为 8K×8 位，并应用行业标准串行外设接口(SPI) 总线进行拜访。FRAM 的性能操作相似于串行闪存和串行 EEPROM。FM25640B 与具备雷同引脚排列的串行闪存或 EEPROM 之间的次要区别在于 FRAM 的卓越写入性能、高耐用性和低功耗。
内存架构
拜访 FM25640B 时，用户寻址 8K 个地位，每个地位 8 个数据位。这八个数据位串行移入或移出。这些地址应用 SPI 协定拜访，该协定包含芯片抉择（容许总线上的多个设施）、操作码和两字节地址。地址范畴的高 3 位是“无关”值。13 位的残缺地址惟一地指定了每个字节的地址。
FM25640B 的大多数性能要么由 SPI 接口管制，要么由板载电路解决。存储器操作的拜访工夫基本上为零，超出了串行协定所需的工夫。即以 SPI 总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或 EEPROM 不同，因为写入是以总线速度进行的，因而无需轮询设施是否处于就绪状态。当一个新的总线事务能够转移到设施中时，写操作就实现了。这在接口局部有更具体的解释。
FM25640B 除了一个简略的外部上电复位电路外，不蕴含任何电源治理电路。用户有责任确保 VDD 在数据表容差范畴内，以避免错误操作。倡议不要在芯片使能激活的状况下关断器件。
串行外设接口 -SPI 总线
FM25640B 是 SPI 从设施，运行速度高达 20MHz。这种高速串行总线为 SPI 主设施提供高性能串行通信。许多常见的微控制器具备容许间接接口的硬件 SPI 端口。对于没有的微控制器，应用一般端口引脚模仿端口非常简单。