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Cypress 凭借在分立存储器半导体畛域近 40 年的教训，以同类最佳的存储器产品、解决方案和技术引领行业。于 1982 年推出第一款随机存取存储器，并从这个吉祥的开始倒退为涵盖 NOR 闪存、pSRAM、SRAM、nvSRAM 和 FRAM 的宽泛产品，其密度范畴从 4Kbit 到 4Gbit。赛普拉斯易失性和非易失性存储器产品组合具备以下个性：超低功耗、高性能、牢靠的 FRAM 产品。Cypress 代理可提供产品相干技术支持。
性能概述
FM25V01A- G 是一个采纳高级铁电工艺的 128Kbit 非易失性存储器。FRAM 是非易失性的；与 RAM 雷同，它可能执行读和写操作。它提供 151 年的牢靠数据保留工夫，并解决了由串行闪存、EEPROM 和其余非易失性存储器造成的复杂性、开销和零碎级可靠性的问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V01A- G 以总线速度执行写操作。并且它不会引起任何写操作提早。每个字节胜利传输到器件后，数据立刻被写入到存储器阵列内。这时能够开始执行下一个总线周期而不须要轮询数据。与其余非易失性存储器相比的是该产品提供了更多的擦写次数。FM25V01A- G 可能反对 1014 次读 / 写周期，或反对比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。
因为具备这些个性，因而 FM25V01A- G 实用于须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。利用的范畴包含从数据采集（其中写周期数量是十分重要的）到刻薄的工业管制（其中串行闪存或 EEPROM 的较长写工夫会使数据失落）。
作为硬件代替时，FM25V01A- G 为串行 EEPROM 或闪存的用户提供大量便当。FM25V01A- G 应用高速的 SPI 总线，从而能够改良 FRAM 技术的高速写入性能。该器件蕴含一个只读的器件 ID，通过该 ID，主机能够确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到 +85℃的工业级温度范畴内，该器件标准失去保障。
个性
■128Kbit 铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为 16K×8
❐高耐久性：100 万亿（1014）次的读 / 写操作
❐151 年的数据保留工夫（请参考数据保留工夫与耐久性表）
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■十分快的串行外设接口（SPI）
❐工作频率可高达 40MHz
❐串行闪存和 EEPROM 的硬件间接代替
❐反对 SPI 模式 0（0,0）和模式 3（1,1）
■精细的写入爱护计划
❐应用写爱护（WP）引脚提供硬件爱护
❐应用写禁用指令提供软件保护
❐可为 1 /4、1/ 2 或整个阵列提供软件模块爱护
■器件 ID
❐制造商 ID 和产品 ID
■低功耗
❐当频率为 40MHz 时，无效电流为 2.5mA
❐待机电流为 150mA
❐睡眠模式电流为 8mA
■工作电压较低：VDD=2.0V 到 3.6V
■工业温度范畴：–40℃到 +85℃
■8 引脚小型塑封集成电路（SOIC）封装
■合乎无害性物质限度（RoHS）
引脚散布
FM25V01A- G 是一个串行 FRAM 存储器。存储器阵列被逻辑组织为 16,384×8 位，应用工业规范的串行外设接口（SPI）总线能够拜访它。FRAM 和串行闪存以及串行 EEPROM 的性能操作是雷同的。FM25V01A- G 与串行闪存或具备雷同引脚散布的 EEPROM 的次要区别在于 FRAM 具备更好的写性能、高耐久性和低功耗。
存储器架构
当拜访 FM25V01A- G 时，用户寻址 16K 地址的每 8 个数据位。这些 8 位数据被间断移入或移出。通过应用 SPI 协定能够拜访这些地址，该协定蕴含一个芯片抉择（用于反对总线上的多个器件）、一个操作码和一个两字节地址。该地址范畴的高 2 位都是‘无需关注’的值。14 位的残缺地址独立指定每个字节的地址。
FM25V01A- G 的大多数性能能够由 SPI 接口管制，或者通过板上电路主动解决。存储器的拜访工夫简直为零，该工夫小于串行协定所须要的工夫。因而该存储器以 SPI 总线的速度进行读 / 写操作。与串行闪存或 EEPROM 不同的是，不须要轮询器件的就绪条件，这是因为写操作是以总线速度进行的。新的总线数据操作移入器件前须要实现写操作。
赛普拉斯铁电 RAM(FRAM)存储器，通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和有限读 / 写相结合，提供业界功耗最低的要害工作非易失性存储器循环耐力。这使得 FRAM 成为便携式医疗、可穿戴、物联网传感器、工业和汽车利用的现实数据记录存储器。
