关于存储技术:256Mb自旋转移扭矩MRAMEMD3D256M-DDR3

EMD3D256M DDR3 自旋转移扭矩 MRAM 是一种容量为 256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3 的非易失性存储器，可在 DDR3 速度下提供非易失性和高耐用性。可能以高达 1333MT/Sec/Pin 的速率进行 DDR3 操作。

EMD3D256M 合乎所有 DDR3 DRAM 性能，包含设施端接 (ODT) 和外部 ZQ 校准，但具备数据持久性和极高的写入周期耐久性的劣势。采纳 Spin-Torque MRAM 技术，无需单元刷新，极大地简化了零碎设计并升高了开销。更多产品详情请洽英尚国内。

DDR3 STT-MRAM 是一种高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。每当设施因任何起因断电时，敞开 / 预充电银行中的所有数据都会保留在内存中。在某些状况下，命令工夫会有所不同。DDR3 规范实用于高于 256Mb 的密度，从而导致寻址和页面大小不同。