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物联网及穿戴设施还未入世前，Serial SRAM 的利润并不能吸引支流到 SRAM 厂商的关注。随着串行 SRAM 的商机一直增多，传统的 SRAM 厂商进军串行 SRAM 畛域的逐步增多。容量和带宽将是两大推动力。
大吞吐量、玲珑的串行接口 SRAM 芯片带来了有限的可能性。它最终有可能成为泛滥电路板上当代嵌入式 SRAM 和并行 SRAM 的全财产继承者。
国产 SRAM 厂商安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一 SRAM 存储芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。领有国内出名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。
EMI 串行接口的 SRAM，外扩 SRAM 能够通过应用 SPI 的接口来将内部 RAM 增加到简直所有利用中。串行拜访的动态随机存取存储器采纳先进的 CMOS 技术进行设计和制作，以提供高速性能和低功耗。采纳单芯片抉择（/ CS）输出进行操作，并通过与 SPI 兼容的简略串行接口进行拜访。可在 -40℃至 + 85℃（工业级）的温度范畴内工作。
并口 SRAM 芯片可作为弱小微处理器的主缓存应用，通常仅以 375mW 的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留性能，器件采 44TSOP2 引脚封装，供电电压 VCC 的范畴为 2.7~3.6V，属于一般主板都能提供的弱电输出电压。
其作为 SRAM 最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，持续保留曾经存储在芯片中的数据，并且其数据保留所需的电压 VDR 升高到 1.5V 最低，而所需的电流 IDR 更是低至 4μA 最大值，SRAM 芯片相比 DRAM 的长处在于不须要刷新电路就能保留外部存储的数据，而且更为疾速、低功耗。读写延时在 45/55ns 左右，堪称是响应极其迅速的一款产品，适宜用在需高速数据传输的设施当中。
EMI 伟凌创芯 SRAM 芯片采纳先进的全 CMOS 工艺技术制作，位宽为 8 /16 位异步低功耗 SRAM 芯片，反对宽电压范畴 2.3V〜5.5V，同时反对商业及工业温度范畴，封装采纳规范 44TSOP2，48BGA，其 RAM 产品具备高性能，高可靠性，高存储密度等个性，广泛应用于办公自动化，人工智能，工控设施，POS 设施，通信通信行业等。