共计 696 个字符，预计需要花费 2 分钟才能阅读完成。
富士通型号 MB85RC04V 是一款 FRAM 芯片，位宽为 512 字×8 位，采纳铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术造成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，MB85RC04V 可能在不应用数据备份电池的状况下保留数据。MB85RC04V 应用的非易失性存储单元的读 / 写寿命进步到至多 1012 个周期，在数量上显著优于其余非易失性存储产品。MB85RC04V 铁电存储器在写入存储器后不须要轮询序列，例如闪存或 E2PROM 的状况。
特点
•位配置：512 字×8 位
•两线串行接口：齐全由两个端口管制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。
•工作频率：1MHz（最大）
•读 / 写耐久性：1012 次 / 字节
•数据保留：10 年 (+85℃)、95 年 (+55℃)、超过 200 年 (+35℃)
•工作电源电压：3.0V 至 5.5V
•低功耗：工作电源电流 90μA(Typ@1MHz)，待机电流 5μA（典型值）
•工作环境温度范畴:−40℃至 +85℃
•封装：8-SOP RoHS 合规
I2C（外部集成电路）
MB85RC04V 具备两线串行接口；I2C 总线，作为从设施运行。I2C 总线定义了“主”和“从”设施的通信角色，主端领有启动管制的权限。此外，I2C 总线连贯是可能的，其中单个主设施连贯到多台隶属设施以组线配置。在这种状况下，须要为从设施调配一个惟一的设施地址，主设施在指定从设施通过地址进行通信后开始通信。
FRAM 是一种非易失性铁电存储器，因为它联合了 ram 和非易失性存储器的长处。绝对于闪存 /EEPROM 的写入劣势和非易失性使其非常适合在断电状况下存储数据。具备高读写耐久性和疾速写入速度。富士通 FUJITSU 代理英尚微可提供产品测试及技术支持。