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Everspin 理解客户在工业市场中对长期数据保留和极其温度反对等性能在通常顽劣的工业环境中十分重要。该技术的固有耐用性通过防止应用其余非易失性存储器技术所需的纠错码和磨损平衡计划来简化和减速产品开发。
Everspin 的 16 兆位非易失性存储芯片 MR4A16BMA35 MRAM 专为须要极高数据可靠性和速度的利用而设计，具备市场上最快的非易失性存储器、对称的读 / 写性能和有限的耐用性，使零碎设计人员受益匪浅。这些内存性能可确保自动化设计人员在每次产生电源中断时都能确定性且平安地保留过程数据。除了性能之外，该技术还容许无电池生态设计。是一款实用于自动化控制器的存储器芯片。
Everspin MR4A16BMA35R 容量为 16Mb，数据结构：1Mbx16，总线速度：35ns 工作电压：3.3V 工作温度：C,M（-0~+70 摄氏度）16 位并行总线接口，数据放弃期长达 20 年以上而不会失落，并会在掉电时由低压克制电路主动提供爱护，以避免在非工作电压期间写入。这款并行 mram 器件可能在商业级（0 至 +70℃）、工业级（-40 至 +85℃）与扩大级（-40 至 +105℃）温度范畴内工作，并在整个温度范畴内放弃高度牢靠的数据存储能力。MR4A16B 采纳 48 引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和 54 引脚渺小形状封装(TSOPII)。Everspin 代理英尚微电子供样品测试及技术支持。
此款并口 MRAM 存储器真正有限次擦除应用，最长的寿命和数据保留工夫超过 20 年的非挥发个性，可取代多种存储器，集闪存、SRAM、EEPROM 以及 BBSRAM 的性能于一身，采纳 MRAM 取代电池供电的 SRAM 计划，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题。