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SRAM（Static Random-Access Memory）和 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是计算机中两种常见的存储器类型。它们在工作原理、性能特色和应用领域上存在着显著的区别。上面将具体介绍 SRAM 和 DRAM 之间的区别。
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工作原理：
- SRAM：SRAM 是一种基于触发器的存储器，应用稳固的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成，其中存储器单元由多个触发器形成，可能存储比特数据。因为采纳了触发器构造，SRAM 在一直刷新的过程中保持数据的稳定性。
- DRAM：DRAM 是一种基于电容的存储器，应用电容来存储和示意数据。每个存储单元由一个电容和一个拜访晶体管组成。电容在存储器中充电或放电来示意数据的 0 和 1。因为电容会逐步漏电，DRAM 须要定期刷新以保持数据的正确性。
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存储密度：
- SRAM：因为 SRAM 采纳了稳固的存储电路，每个存储单元须要更多的晶体管来实现，因而 SRAM 的存储密度绝对较低。每个存储单元通常须要 6 个晶体管。
- DRAM：因为 DRAM 采纳了电容存储构造，每个存储单元只须要一个电容和一个拜访晶体管，因而 DRAM 的存储密度较高。每个存储单元通常只须要 1 个晶体管和 1 个电容。
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刷新需要：
- SRAM：因为 SRAM 的存储单元采纳稳固的触发器构造，不须要进行定期刷新操作。数据能够始终保持稳定，无需周期性刷新。
- DRAM：因为 DRAM 的电容逐步漏电，数据须要定期刷新以放弃其正确性。DRAM 须要通过刷新操作周期性地从新写入数据，否则数据会失落。
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访问速度：
- SRAM：SRAM 的访问速度十分快，因为数据存储在触发器中，能够立刻读取和写入。SRAM 具备较低的拜访提早和高速的读写性能。
- DRAM：DRAM 的访问速度绝对较慢，因为数据存储在电容中，须要通过拜访晶体管的操作。DRAM 具备较高的拜访提早和绝对较慢的读写性能。
正文完