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FRAM 器件提供非易失性存储，用 10 年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和 EEPROM 替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于 FRAM 存储器和 MCU 器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作多年，并长期保持数据的能力建立这些强大的设备进入低功耗能量收集应用程序。接下来富士通 FRAM 代理商介绍关于设备配置。
设备配置
设计人员可以找到 FRAM 存储器支持并行，SPI 串行或 I2C / 2 线串行接口。例如，连同其平行的 1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供 1MB 的 SPI 串行器，MB85RS1MT，使设计人员能够采用典型的 SPI 主 / 从配置（图 1）设备的任意数字。除了在较低的电源电压比他们的同行并行操作，串行 FRAM 器件还提供了适用于空间受限的设计更小的封装选项。例如，ROHM 半导体 32K SPI 串行 MR45V032A 是在 8 引脚塑料小外形封装（SOP）只有 0.154 测量“和 3.90 毫米宽度可用。
富士通 MB85RS1MT 的图像
图 1：设备，如富士通 MB85RS1MT 允许使用熟悉的主 / 从配置为 SPI- 配备的 MCU – 或使用使用设备的 SI 和 SO 端口，用于非基于 SPI 的设计，简单的总线连接解决方案。（富士通半导体提供）
FRAM 技术的优势扩展到微控制器，如德州仪器 MSP430FR MCU 系列具有片上 FRAM。在微控制器，FRAM 的高速运行速度整体处理，允许写入非易失性存储器进行全速而不是强迫 MCU 进入等待状态或阻塞中断。TI 的 FRAM 微控制器系列的延伸，如 MSP430FR5739 其全功能 MSP430FR5969 系列设备。最小的设备在 MSP430 系列中，MSP430FR5739 是一个 24 引脚 2×2 芯片尺寸的球栅阵列（DSBGA）可用，但包括 5 个定时器，一个 12 通道 10 位 ADC，以及直接存储器存取（DMA）用于最小化在主动模式下的时间。
TI 的 MSP430FR5969 是该公司低功耗 MCU 具有实质性芯片 FRAM 存储（图 2）。在主动模式下，MCU 仅需要为 100μA/ MHz 有源模式电流和 450 nA 的待机模电流与实时时钟（RTC）启用。在这一系列的设备包括一个全面的外设和一个 16 通道 12 位模拟 – 数字转换器（ADC），其能够单层或差分输入操作。这些 MCU 还配备了 256 位高级加密标准（AES）加速器和知识产权（IP）封装模块，用于保护关键数据。
德州仪器 MSP430FR5969 MCU 的图像
图 2：德州仪器 MSP430FR5969 MCU 结合周边的全套带有片上 FRAM 存储器，而只需要 100μA/ MHz 有源模式电流和显著少带了多个低功耗模式（LPM）。（德州仪器提供）
