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DDR SDRAM 是具备双倍数据传输率的 SDRAM，其数据传输速度为零碎时钟频率的两倍，因为速度减少，其传输性能优于传统的 SDRAM。DDR SDRAM 在零碎时钟的回升沿和降落沿都能够进行数据传输。SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而 DDR 则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和降落期各传输一次数据。上面英尚微电子介绍 DDR SDRAM 内存倒退历程。
（1）DDR SDRAM
DDR SDRAM 双倍数据率同步动静随机存取存储器，它是 SDR SDRAM 的升级版，DDR SDRAM 在时钟周期的回升沿与降落沿各传输一次信号，使得它的数据传输速度是 SDR SDRAM 的两倍，而且这样做还不会减少功耗，至于定址与管制信号与 SDR SDRAM 雷同，仅在回升沿传输，这是对过后内存控制器的兼容性与性能做的折中。
DDR SDRAM 采纳 184pin 的 DIMM 插槽，防呆缺口从 SDR SDRAM 时的两个变成一个，常见工作电压 2．5V，初代 DDR 内存的频率是 200MHz，随后缓缓的诞生了 DDR-266、DDR-333 和那个时代支流的 DDR-400，至于那些运行在 500MHz，600MHz、700MHz 的都算是超频条了，DDR 内存刚进去的时候只有单通道，起初呈现了反对双通芯片组，让内存的带宽间接翻倍，两根 DDR-400 内存组成双通道的话基本上能够满足 FBS 800MHz 的奔流 4 处理器，容量则是从 128MB 到 1GB。
（2）DDR2 SDRAM
DDR2/DDR II SDRAM 是由 JEDEC 进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，尽管同是采纳了在时钟的回升 / 降落沿同时进行数据传输的根本形式，但 DDR2SDRAM 内存却领有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即：4bit 数据读预取）。换句话说，DDR2 内存每个时钟可能以 4 倍内部总线的速度读 / 写数据，并且可能以外部管制总线 4 倍的速度运行。
DDR2 的规范电压降落至 1.8V，这使得它较上代产品更为节能，DDR2 的频率从 400MHz 到 1200MHz，过后的支流的是 DDR2-800，更高频率其实都是超频条，容量从 256MB 起步最大 4GB，不过 4GB 的 DDR2 是很少的，在 DDR2 时代的末期大多是单条 2GB 的容量。
（3）DDR3 SDRAM
DDR3 提供了相较于 DDR2 SDRAM 更高的运行效力与更低的电压，是 DDR2 SDRAM 的后继者（减少至八倍），也是现时风行的内存产品规格。
和上一代的 DDR2 相比，DDR3 在许多方面作了新的标准，外围电压升高到 1.5V，预取从 4 -bit 变成了 8 -bit，这也是 DDR3 晋升带宽的要害，同样的外围频率 DDR3 可能提供两倍于 DDR2 的带宽，此外 DDR3 还新增了 CWD、Reset、ZQ、STR、RASR 等技术。
DDR3 内存与 DDR2 一样是 240Pin DIMM 接口，不过两者的防呆缺口地位是不同的，不能混插，常见的容量是 512MB 到 8GB，当然也有单条 16GB 的 DDR3 内存，只不过很稀少。频率方面从 800MHz 起步，目前比拟容量买到最高的频率 2400MHz，实际上有厂家推出了 3100MHz 的 DDR3 内存，只是比拟难买失去，反对 DDR3 内存的平台有 Intel 的前期的 LGA 775 主板 P35、P45、x38、x48 等，LGA 1366 平台，LGA 115x 系列全都反对还有 LGA 2011 的 x79，AMD 方面 AM3、AM3+、FM1、FM2、FM3 接口的产品全都反对 DDR3。
（4）DDR4 SDRAM
从 DDR 到 DDR3，每一代 DDR 技术的内存预取位数都会翻倍，前三者别离是 2bit、4bit 及 8bit，以此达到内存带宽翻倍的指标，不过 DDR4 在预取位上放弃了 DDR3 的 8bit 设计，因为持续翻倍为 16bit 预取的难度太大，DDR4 转而晋升 Bank 数量，它应用的是 Bank Group（BG）设计，4 个 Bank 作为一个 BG 组，可自在应用 2 - 4 组 BG，每个 BG 都能够独立操作。应用 2 组 BG 的话，每次操作的数据 16bit，4 组 BG 则能达到 32bit 操作，这其实变相进步了预取位宽。
DDR4 相比 DDR3 最大的区别有三点：16bit 预取机制（DDR3 为 8bit），同样内核频率下实践速度是 DDR3 的两倍；更牢靠的传输标准，数据可靠性进一步晋升；工作电压降为 1.2V，更节能。
DDR4 内存的针脚从 DDR3 的 240 个进步到了 284 个，防呆缺口也与 DDR3 的地位不同，还有一点扭转就是 DDR4 的金手指是两头高两侧低有轻微的曲线，而之前的内存金手指都是平直的，DDR4 既在放弃与 DIMM 插槽有足够的信号接触面积，也能在移除内存的时候比 DDR3 更加轻松。
如 UMI 的 32 位 DDR4 SDRAM,UMI UD408G5S1AF 的密度为 8Gb，数据速率为 3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。商业工作温度范畴为 0℃至 +95℃，工业工作温度范畴 -40℃至 +95℃。反对利用在 UltraScale FPGA 器件中有助于确保取得最大时序裕量。为保障最佳信号完整性, I/ O 技术还包含传输预减轻、接管平衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。英尚微电子反对 DDR4SDRAM 内存接口送样及测试。
不同类型 DDR 内存性能参数比照
从 DDR 到 DDR4，不同性能参数差别次要体现在 2 个中央：电源电压、数据传输速率。电源电压值越来越低，而数据传输速率却是呈几何倍数增长。
