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美国 ISSI 主要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL 是超低功耗 CMOS 16Mbit 静态 RAM，组织为 1M 字乘 16 位。它是使用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。IS62WV102416DALL/DBLL 和 IS65WV102416DALL / DBLL 封装在 48 引脚 TSOP（I 型）中。
功能说明
SRAM 是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM 支持三种不同的模式。
待机模式
取消选择时，设备进入待机模式（HIGH 或 CS2 LOW 或两者都为 HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为 ISB1 或 ISB2。此模式下的 CMOS 输入将最大程度地节省功率。
写模式
选择芯片时（LOW 和 CS2 HIGH），写使能（）输入 LOW 时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为 LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用 LOW，来自 I / O 引脚（I / O0 至 I / O7）的数据被写入该位置。
在地址引脚上指定。处于低电平时，来自 I / O 引脚（I / O8 至 I / O15）的数据被写入该位置。
读取模式
选择芯片时（LOW 和 CS2 为 HIGH），写使能（）输入为 HIGH 时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对 I / O 引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用 LOW，来自存储器的数据出现在 I / O0- 7 上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在 I / O8-15 上。
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为 READ 操作，但 I / O 处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
工作温度范围
商用工作温度为 0°C 至 + 70°C，电压为 2.2V 3.3V 3.6V
工业工作温度为 -40°C 至 + 85°C，电压为 2.2V 3.3V 3.6V
汽车类工作温度为 -40°C 至 + 125°C，电压为 2.2V 3.3V 3.6V