闪存

Flash Memory是一种非易失性的存储器。在嵌入式零碎中通常用于寄存零碎、利用和数据等。在PC零碎中，则次要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大部分的U盘、SDCard等挪动存储设备也都是应用Flash Memory作为存储介质。 依据硬件上存储原理的不同，Flash Memory次要能够分为NOR Flash和NAND FLASH两类。次要的差别如下所示：NAND FLASH读取速度与NOR Flash相近，依据接口的不同有所差别；NAND FLASH的写入速度比NOR Flash快很多；NAND FLASH的擦除速度比NOR Flash快很多；NAND FLASH最大擦次数比NOR Flash多；NOR Flash反对片上执行，能够在下面间接运行代码；NOR Flash软件驱动比NAND FLASH简略；NOR Flash能够随机按字节读取数据，NAND FLASH须要按块进行读取。大容量下NAND FLASH比NOR Flash老本要低很多，体积也更小；（注：NOR Flash和NAND FLASH的擦除都是按块块进行的，执行一个擦除或者写入操作时，NOR Flash大概须要5s，而NAND FLASH通常不超过4ms。） 1、NOR FlashNOR Flash依据与CPU端接口的不同，能够分为Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH两类。 Parallel NOR Flash能够接入到Host的SRAM/DRAMController上，所存储的内容能够间接映射到CPU地址空间，不须要拷贝到RAM中即可被CPU拜访，因此反对片上执行。SPI NOR FLASH的老本比Parallel NOR Flash低，次要通过SPI接口与Host连贯。 鉴于NOR Flash擦写速度慢，老本低等个性，NOR Flash次要利用于小容量、内容更新少的场景，例如PC主板BIOS、路由器零碎存储等。 2、NAND FLASH NAND FLASH须要通过专门的NFI（NAND FLASH Interface）与Host端进行通信，如下图所示： NAND FLASH依据每个存储单元内存储比特个数的不同，能够分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC能够存储1个比特，MLC能够存储2个比特，TLC则能够存储3个比特。 NAND FLASH的一个存储单元外部，是通过不同的电压等级，来示意其所存储的信息的。在SLC中，存储单元的电压被分为两个等级，别离示意0和1两个状态，即1个比特。在MLC中，存储单元的电压则被分为4个等级，别离示意00011011四个状态，即2个比特位。同理，在TLC中，存储单元的电压被分为8个等级，存储3个比特信息。 NAND FLASH的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，然而老本会更低。Table1中，给出了特定工艺和技术水平下的老本和寿命数据。 相比于NOR Flash，NAND FLASH写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等挪动设施中所应用的eMMC外部的Flash Memory都属于NAND FLASH。PC中的固态硬盘中也是应用NAND FLASH。