芯片

<article class=“article fmt article-content”><p>一、产品概述HAL443A单极性霍尔地位传感器是由外部电压稳压器、霍尔电压发生器、差分 放大器、温度弥补单元、施密特触发器和集 电极开路输入级组成的磁敏传感电路，其输出为磁感应强度，输入是一个数字电压信号。它是一种单磁极工作的磁敏电路，适宜于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范畴为-40 ℃ 150℃，电源电压工作范畴为 3.8V30V ，负载电流能力最高可达到 50mA，封装模式为 SIP3L(TO-92UA)。<br/><br/>二、产品特点电源电压范畴宽，输入电流大。开关速度快，无霎时抖动。工作频率宽（0~100KHz）。寿命长、体积小、装置不便。能间接和逻辑电路接口。三、典型利用直流无刷电机 无触点开关地位管制 电流传感器汽车点火器 平安报警装置隔离检测 转速检测<br/><br/>四、电路构造外部框图<br/><br/>测试电路图<br/><br/>磁电转换个性<br/><br/>封装信息<br/></p></article>

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK36N3D封装模式：SOP16 概述VK36N3D具备3个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。提供了3个1对1输入脚，1个触摸状态输入脚，可通过IO脚抉择上电输入电平和输入形式（间接输入或者锁存输入）。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为各种触摸按键+1对1输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。ZTT1286特点•工作电压 2.2-5.5V•待机电流10uA/3.0V•上电复位性能（POR）•低压复位性能（LVR）•触摸输入响应工夫：工作模式 48mS ，待机模式160mS•通过AHLB脚抉择上电输入高电平或者低电平•通过TOG脚抉择间接输入或者锁存输入•输入为3个1对1输入脚和1个触摸状态输入脚•反对多键同时触摸•防呆性能，无效键最长输入工夫：13S•无键触摸4S进入待机模式•通过CS脚接对地电容调节整体灵敏度(1-47nF）•各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）.•上电0.3S内为稳固工夫，禁止触摸•上电后无触摸时，环境变动主动校准基准值•抗电压稳定，抗干扰性能好•封装SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm)QFN16L(3.0mm x 3.0mm PP=0.5mm) 电容式触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列：VKD223EB 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/ 锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6；DICE/DIE 裸片(绑定COB) 低功耗VKD223B 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DG/HG 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗VKD233DB/HB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DH/HH 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD233DS/HS 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 长按16S复位VKD233DR/HR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗/长按16S复位VKD233DQ/HQ 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位VKD233DM/HM 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/5.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：开漏输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位——————————————————————————————————————————————————VKD232C 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接 输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD104BR/CR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104BR-3H/VKD104CR-3H 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:DICE/DIE裸片(绑定COB) 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104BC/CC 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104CB/SB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SSOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位抗干扰低功耗触控IC-高性价比系列VK3601 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/4A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接输入 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOT23-6VK3601SS-1 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/3A(3V) 感应通道数：1 输入形式：--- 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，三段调光/无极调光 封装：SOP8/DIP8VK3602XS 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3602K/KA 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3603 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESOP8VK3604A 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3604B 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SSOP16VK36E4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESSOP10VK36Q4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：DFN10(3*3超小体积)VK3606D 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610I 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/9A(3V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可调节灵敏度 封装：SOP16——————————————————————————————————————————————————实用开关电源触摸IC系列VK3606DM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM-A 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3608BM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：8 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610IM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 ...

集睿致远/ASL推出的CS5366S是一款typec转HDMI 2Len带PD的扩大坞计划芯片，CS5366反对4K60HZ。 CS5366透过模仿与数字的设计及28nm先进制程工艺,大幅降低功耗,无需减少散热片,进步产品可靠性.外部集成了PD3.0及DSC decoder, 并能按客户需要配置成不同的性能组合， 是目前集成度与功耗更小的一颗芯片。CS5366AN集成DSC decoded影像解压缩技术,可将DPRX 4Lanes等效宽推升至97.2Gbps或 DPRX 2Lanes等效带宽推升至48.6Gbps .CS5366集成PD BMC PHY与CC logic与Rd&Rp,实现Type-C plug与receptacle利用角色定义主动侦测.可改善画面提早、影像撕裂等问题,可让用户在观看电影或是电玩游戏等高效能影像时有更好的体验。 同时CS5366AN反对搭配其余HUB芯片可实现 网口，读卡，音频等其余性能可利用于扩大坞，游戏机底座等音视频转换计划。

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK36N2D封装模式：SOP8概述：VK36N2D SOP8具备2个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。提供了2个1对1输入脚，可通过IO脚抉择上电输入电平，有间接输入和锁存输入2个型号可选。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为各种触摸按键+1对1 间接输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。ZTT1265 特点：• 工作电压 2.2-5.5V • 待机电流10uA/3.0V • 上电复位性能（POR） • 低压复位性能（LVR） • 触摸输入响应工夫：工作模式 48mS ，待机模式160mS • 通过AHLB脚抉择上电输入高电平或者低电平 • 输入为2个1对1输入脚 • 反对多键同时触摸 • 防呆性能，无效键最长输入工夫：13S • 无键触摸4S进入待机模式• 通过CS脚接对地电容调节整体灵敏度(1-47nF） • 各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）• 上电0.3S内为稳固工夫，禁止触摸• 上电后无触摸时，环境变动主动校准基准值 • 抗电压稳定，抗干扰性能好 • 型号 VK36N2DD 间接输入 VK36N2DT 锁存输入 • 封装： SOP8(150mil)(6.0mm x 3.9mm PP=1.27mm) DFN8L(2.0mm x 2.0mm PP=0.5mm)电容式触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列：VKD223EB 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/ 锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6；DICE/DIE 裸片(绑定COB) 低功耗VKD223B 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DG/HG 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗VKD233DB/HB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DH/HH 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD233DS/HS 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 长按16S复位VKD233DR/HR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗/长按16S复位VKD233DQ/HQ 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位VKD233DM/HM 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/5.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：开漏输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位——————————————————————————————————————————————————VKD232C 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接 输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD104BR/CR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104BR-3H/VKD104CR-3H 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:DICE/DIE裸片(绑定COB) 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104BC/CC 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104CB/SB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SSOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位抗干扰低功耗触控IC-高性价比系列VK3601 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/4A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接输入 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOT23-6VK3601SS-1 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/3A(3V) 感应通道数：1 输入形式：--- 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，三段调光/无极调光 封装：SOP8/DIP8VK3602XS 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3602K/KA 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3603 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESOP8VK3604A 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3604B 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SSOP16VK36E4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESSOP10VK36Q4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：DFN10(3*3超小体积)VK3606D 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610I 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/9A(3V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可调节灵敏度 封装：SOP16——————————————————————————————————————————————————实用开关电源触摸IC系列VK3606DM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM-A 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3608BM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：8 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610IM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK36N1D封装模式：SOT23-6概述：VK36N1D SOT23-6具备1个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了1个1对1输入脚，可通过IO脚抉择上电输入电平，有间接输入和锁存输入2个型号可选。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为各种触摸按键+1对1间接输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。ZTT1258特点：• 工作电压 2.2-5.5V • 待机电流10uA/3.0V • 上电复位性能（POR） • 低压复位性能（LVR） • 触摸输入响应工夫：工作模式 48mS ，待机模式160mS • 通过AHLB脚抉择上电输入高电平或者低电平• 输入为1个1对1输入脚• 防呆性能，无效键最长输入工夫：13S • 无键触摸4S进入待机模式• 通过CS脚接对地电容调节整体灵敏度(1-47nF） • 各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）• 上电0.3S内为稳固工夫，禁止触摸• 上电后无触摸时，环境变动主动校准基准值• 抗电压稳定，抗干扰性能好• 型号VK36N1DD-间接输入 VK36N1DT-锁存输入• 封装SOT23-6L(3mm x 3mm PP=0.95mm)电容式触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列：VKD223EB 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/ 锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6；DICE/DIE 裸片(绑定COB) 低功耗VKD223B 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DG/HG 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗VKD233DB/HB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DH/HH 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD233DS/HS 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 长按16S复位VKD233DR/HR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗/长按16S复位VKD233DQ/HQ 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位VKD233DM/HM 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/5.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：开漏输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位——————————————————————————————————————————————————VKD232C 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接 输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD104BR/CR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104BR-3H/VKD104CR-3H 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:DICE/DIE裸片(绑定COB) 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104BC/CC 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104CB/SB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SSOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位抗干扰低功耗触控IC-高性价比系列VK3601 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/4A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接输入 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOT23-6VK3601SS-1 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/3A(3V) 感应通道数：1 输入形式：--- 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，三段调光/无极调光 封装：SOP8/DIP8VK3602XS 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3602K/KA 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3603 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESOP8VK3604A 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3604B 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SSOP16VK36E4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESSOP10VK36Q4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：DFN10(3*3超小体积)VK3606D 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610I 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/9A(3V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可调节灵敏度 封装：SOP16——————————————————————————————————————————————————实用开关电源触摸IC系列VK3606DM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM-A 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3608BM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：8 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610IM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VKL144B封装模式： QFN48 概述：VKL144B QFN48是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可反对最大144点（36SEGx4COM）的 LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通过 关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的个性实用于水电气表以及工控仪表类 产品。ZTT1228 特点：• 工作电压 2.5-5.5V • 内置32 kHz RC振荡器• 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）为1/4 • 内置显示RAM为36x4位• 帧频80Hz • 掉电模式（通过关显示和关振荡器进入）• 可配置4种功耗模式• I2C通信接口• 显示模式36x4 • 3种显示整体闪动频率• 软件配置LCD显示参数• 读写显示数据地址主动加1 • VLCD脚提供LCD驱动电压（≤(VDD-VLCD)） • 内置上电复位电路(POR)-TEST2接低电平使能• 低功耗、高抗干扰• 封装：QFN48L(6.0mm x 6.0mm PP=0.4mm)LCD/LED控制器及驱动器系列芯片简介如下：RAM映射LCD控制器和驱动器系列：VK1024B 2.4V～5.2V 6seg4com 63 6*2 偏置电压1/2 1/3 S0P16 省电模式VK1056B 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SOP24 省电模式VK1056C 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP24 省电模式VK1072B 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072C 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072D 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP28 省电模式VK1088B 2.4V～5.2V 22seg4com 223 222 偏置电压1/2 1/3 QFN32（44mm PP=0.4mm）超小体积VK1128C 2.4V～5.2V 32seg4com 323 322 偏置电压1/2 1/3 QFN48 (55mm PP=0.35mm)超小体积VK0192M 2.4V～5.2V 24seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44 省电模式VK0256 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 QFP64 省电模式VK0256B 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK0256C 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP52 省电模式VK0384 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK1621 2.4V～5.2V 32seg4com 323 32*2 偏置电压1/2 1/3 LQFP44(QFP44正方形)/LQFP48/SSOP48/SDIP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1622 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44/LQFP48/LQFP52/LQFP64/QFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1623 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE 裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1625 2.4V～5.2V 64seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1626 2.4V～5.2V 48seg*16com 偏置电压1/5 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB) 省电模式——————————————————————————————————————————————————高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK1C21A 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 SSOP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21B 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21C 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 LQFP44；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21D 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21DA 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21E 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21EA 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗———————————————————————————————————————————————————VK2C21A 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21AA 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21B 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21BA 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21C 2.4～5.5V 12seg4com 88 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP20；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21D 2.4～5.5V 8seg4com 48 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 NSOP16；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22A 2.4～5.5V 44seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP52；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22B 2.4～5.5V 40seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23A 2.4～5.5V 56seg4com 528 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23B 2.4～5.5V 36seg*8com 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24A 2.4～5.5V 72seg4com 688 60*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP80；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24B 2.4～5.5V 56seg4com 528 44*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗——————————————————————————————————————————————————超低功耗LCD液晶控制器及驱动系列:VKL060 2.5～5.5V 15seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP24 超低功耗/抗干扰VKL075 2.5～5.5V 19seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP28 超低功耗/抗干扰VKL128 2.5～5.5V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP44 超低功耗/抗干扰VKL144A 2.5～5.5V 36seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 TSSOP48超低功耗/抗干扰VKL144B 2.5～5.5V 36seg4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 QFN48(66超小体积) 超低功耗/抗干扰——————————————————————————————————————————————————动态显示LCD液晶控制器及驱动系列：VKS118 2.4～5.2V 118seg*1com 偏置电压 -- 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动VKS232 2.4～5.2V 116seg*2com 偏置电压1/1 1/2 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LCD驱动、液晶显示IC、LCD显示、液晶显示、显示LCD、段码液晶屏驱动、LCD液晶显示、段码屏LCD驱动、LCD显示驱动芯片、LCD显示驱动IC、液晶驱动原厂、LCD屏驱动、液晶屏驱动、驱动LCD、驱动液晶、LCD驱动控制器、液晶显示驱动原厂、段码LCD驱动、液晶段码屏驱动、液晶显示驱动芯片、点阵式液晶显示驱动、点阵式液晶显示IC、液晶驱动IC、液晶驱动芯片、LCD芯片、液晶芯片、液晶驱动控制器、液晶IC、段码驱动显示IC、笔段式液晶驱动、LCD液晶显示驱动、液晶LCD显示驱动、段码屏驱动厂家、段码驱动IC、段码驱动芯片、段码屏显IC、LCD显示IC、笔段式LCD驱动、LCD显示芯片、段码屏显示IC、段码屏显示芯片、LCD段码液晶驱动、段码LCD液晶驱动、段码驱动原厂、液晶显示芯片、段式液晶驱动、段码显示IC、LCD液晶屏驱动、笔段LCD驱动、LCD段码屏驱动、液晶屏驱动IC、液晶屏驱动芯片、液晶段码LCD驱动、液晶LCD段码驱动、LCD驱动器、液晶驱动电路、LCD驱动IC、断码LCD驱动、段码屏驱动原厂、LCD驱动厂家、LCD屏驱动IC、点阵式LCD驱动、LCD屏驱动芯片、点阵段码屏驱动、点阵液晶屏驱动、段码液晶驱动芯片、段码屏驱动、LCD驱动原厂、LCD驱动芯片、LCD段码驱动、LCD液晶驱动、液晶驱动IC原厂、液晶显示驱动IC、点阵LCD驱动、段式LCD驱动、LCD显示驱动、液晶显示驱动、段码液晶驱动 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA 产品型号：VK36W6D 封装模式：SOP16/QFN16L 详细资料：许.生.手.机：1.3.6.3.2.8.1.4.4.1.2. 概述：VK36W6D具备6个触摸检测通道，可用来检测6个点的水位。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。提供了6路输入性能。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为检测6点水位的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。 （C26-158）1-8点高灵敏度抗干扰液体水位检测IC-VK36W系列： VK36W1D 工作电压/待机电流：2.2V-5.5V/10A(3V) 水位检测通道数：1 输入形式：间接输入可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源及手机烦扰 ，可通过专用管脚电容调节灵敏度 封装：SOT23-6 备注：1. 开漏输入低电平无效 2、适宜须要抗干扰性好的产品利用 VK36W2D 工作电压/待机电流：2.2V-5.5V/10A(3V) 水位检测通道数：2 输入形式：间接输入可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源及手机烦扰 ，可通过专用管脚电容调节灵敏度 封装：SOP8 备注：1. 开漏输入低电平无效 2、适宜须要抗干扰性好的产品利用 VK36W4D 工作电压/待机电流：2.2V-5.5V/10A(3V) 水位检测通道数：4 输入形式：间接输入可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源及手机烦扰 ，可通过专用管脚电容调节灵敏度 封装：SOP16/QFN16 备注：1. 开漏输入低电平无效 2、适宜须要抗干扰性好的产品利用 VK36W6D 工作电压/待机电流：2.2V-5.5V/10A(3V) 水位检测通道数：6 输入形式：间接输入可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源及手机烦扰 ，可通过专用管脚电容调节灵敏度 封装：SOP16/QFN16 备注：1. 开漏输入低电平无效 2、适宜须要抗干扰性好的产品利用 VK36W8I 工作电压/待机电流：2.2V-5.5V/10A(3V) 水位检测通道数：8 输入形式：I2C输入可用于不同壁厚和不同水质水位检测，抗电源及手机烦扰 ，可通过专用管脚电容调节灵敏度 封装：SOP16/QFN16 备注：1. 开漏输入低电平无效 2、适宜须要抗干扰性好的产品利用 *测试环境：在一个玻璃容器外壁（玻璃1-5毫米不等），通过双面电子导热硅胶，把水位检测PCB间接贴在玻璃下面检测水位。 *VK36W水位检测系列是抗干扰能力强，穿透能力高的水位检测专用触摸芯片。领有1-8个检测点，适宜于多种利用段位检测。封装为SOT23-6,SOP8,SOP16/QFN16上电就能检测水位点是否有水，水从无水到有水，从有水到无水，都能够检测进去。检测时能够不接触到水（隔空）在水箱里面检测到水位，也能够用金属探针接触到水来检测水位。在高烦扰或者AC开关电源的利用中也能够失常工作。 *利用于多种液体水位检测产品，检测缺水，水位，溢水等多种场景,例如：1：智能马桶盖，抽水马桶，水蒸锅，净水机，空调扇，洗碗机，加湿器，咖啡机，饮水机，制冰机，鱼缸加热棒，浮水器，浴缸，洁具等家用家电系列2：动物盆溢水，香薰机，负离子发生器，水位漏水溢水报警器等智能家居产品。3：水杯，储水器等液位检测杯4：空气净化器，加湿器，雾化器等环境污染设施 (永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC) 触摸触控芯片、触摸感应芯片、触摸检测芯片、触控感应芯片、触控检测芯片、电容式触摸芯片、电容式触控芯片、触摸芯片、触控芯片、单键触摸、单键触控、触摸触控IC、触摸感应IC、触摸检测IC、触控感应IC、触控检测IC、电容式触控IC、电容式触摸IC、触摸IC、触控IC、触摸按键、触摸调光、触控按键、触控调光、触控滑条、触摸滑条、业余触摸芯片、触摸计划、触摸感应芯片原厂、触摸感应计划原厂、触感触控计划原厂、触控触感计划原厂、电容式触控IC原厂、电容式触控IC原厂、触摸感应IC原厂、单键/单通道触摸芯片、2/两键触摸触控芯片；3/4/5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16/17/18/19/20键触摸芯片、抗干扰水位检测、抗干扰液位检测、抗干扰液体检测、抗干扰水检IC、抗干扰水检芯片、水位检测芯片、水位检测IC、液位检测芯片、液位检测IC、液体检测芯片、液体检测IC、水位液位检测芯片、水位液位检测IC、液位水位检测芯片、液位水位检测IC 注：具体参数请以最新PDF为准，型号泛滥未能一一介绍，欢送索取PDF/样品。

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK3602XS封装模式：SOP8 概述VK3602XS具备2个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。提供了2路锁存输入性能,可通过IO脚抉择输入电平。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为各种触摸按键+IO输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。ZTT1212 特点•工作电压 2.4-5.5V•待机电流8uA/3.0V•工作电流60uA/3.0V•上电复位性能（POR）•低压复位性能（LVR）•触摸输入响应间时 工作模式 60mS ，待机模式160m•CMOS锁存输入，可通过AHLB脚抉择上电输入低电平还是高电平•无触摸4S进入待机模式•CS脚接对地电容调节灵敏度(1-47nF）•各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）•上电0.25S内为稳固工夫，禁止触摸•抗电源烦扰及手机烦扰个性好，EFT 大于±2KV•封装SOP8（150mil)((4.9mm x 3.9mm PP=1.27mm)电容式触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列：VKD223EB 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/ 锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6；DICE/DIE 裸片(绑定COB) 低功耗VKD223B 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DG/HG 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗VKD233DB/HB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DH/HH 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD233DS/HS 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 长按16S复位VKD233DR/HR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗/长按16S复位VKD233DQ/HQ 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位VKD233DM/HM 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/5.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：开漏输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位——————————————————————————————————————————————————VKD232C 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接 输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD104BR/CR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104BR-3H/VKD104CR-3H 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:DICE/DIE裸片(绑定COB) 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104BC/CC 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104CB/SB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SSOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位抗干扰低功耗触控IC-高性价比系列VK3601 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/4A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接输入 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOT23-6VK3601SS-1 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/3A(3V) 感应通道数：1 输入形式：--- 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，三段调光/无极调光 封装：SOP8/DIP8VK3602XS 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3602K/KA 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3603 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESOP8VK3604A 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3604B 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SSOP16VK36E4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESSOP10VK36Q4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：DFN10(3*3超小体积)VK3606D 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610I 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/9A(3V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可调节灵敏度 封装：SOP16——————————————————————————————————————————————————实用开关电源触摸IC系列VK3606DM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM-A 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3608BM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：8 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610IM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VKL076封装模式：SSOP28 概述：VKL076 SSOP28是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可反对最大76点（19SEGx4COM）的 LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通 过关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的个性实用于水电气表以及工控仪表 类产品。ZTT1203特点：• 工作电压 2.5-5.5V • 内置32 kHz RC振荡器• 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）为1/4 • 内置显示RAM为19x4位• 帧频80Hz • 省电模式（通过关显示和关振荡器进入）• 可配置4种功耗模式• I2C通信接口• 显示模式19x4 • 3种显示整体闪动频率• 软件配置LCD显示参数• 读写显示数据地址主动加1 • VLCD脚提供LCD驱动电压（≤(VDD-VLCD)） • 内置上电复位电路(POR)-TEST2接低电平使能• 低功耗、高抗干扰• 封装：SSOP28(150mil) (9.9mm x 3.9mm PP=0.635mm)LCD/LED控制器及驱动器系列芯片简介如下：RAM映射LCD控制器和驱动器系列：VK1024B 2.4V～5.2V 6seg4com 63 6*2 偏置电压1/2 1/3 S0P16 省电模式VK1056B 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SOP24 省电模式VK1056C 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP24 省电模式VK1072B 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072C 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072D 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP28 省电模式VK1088B 2.4V～5.2V 22seg4com 223 222 偏置电压1/2 1/3 QFN32（44mm PP=0.4mm）超小体积VK1128C 2.4V～5.2V 32seg4com 323 322 偏置电压1/2 1/3 QFN48 (55mm PP=0.35mm)超小体积VK0192M 2.4V～5.2V 24seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44 省电模式VK0256 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 QFP64 省电模式VK0256B 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK0256C 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP52 省电模式VK0384 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK1621 2.4V～5.2V 32seg4com 323 32*2 偏置电压1/2 1/3 LQFP44(QFP44正方形)/LQFP48/SSOP48/SDIP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1622 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44/LQFP48/LQFP52/LQFP64/QFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1623 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE 裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1625 2.4V～5.2V 64seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1626 2.4V～5.2V 48seg*16com 偏置电压1/5 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB) 省电模式——————————————————————————————————————————————————高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK1C21A 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 SSOP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21B 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21C 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 LQFP44；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21D 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21DA 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21E 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21EA 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗———————————————————————————————————————————————————VK2C21A 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21AA 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21B 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21BA 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21C 2.4～5.5V 12seg4com 88 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP20；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21D 2.4～5.5V 8seg4com 48 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 NSOP16；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22A 2.4～5.5V 44seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP52；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22B 2.4～5.5V 40seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23A 2.4～5.5V 56seg4com 528 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23B 2.4～5.5V 36seg*8com 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24A 2.4～5.5V 72seg4com 688 60*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP80；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24B 2.4～5.5V 56seg4com 528 44*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗——————————————————————————————————————————————————超低功耗LCD液晶控制器及驱动系列:VKL060 2.5～5.5V 15seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP24 超低功耗/抗干扰VKL075 2.5～5.5V 19seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP28 超低功耗/抗干扰VKL128 2.5～5.5V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP44 超低功耗/抗干扰VKL144A 2.5～5.5V 36seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 TSSOP48超低功耗/抗干扰VKL144B 2.5～5.5V 36seg4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 QFN48(66超小体积) 超低功耗/抗干扰——————————————————————————————————————————————————动态显示LCD液晶控制器及驱动系列：VKS118 2.4～5.2V 118seg*1com 偏置电压 -- 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动VKS232 2.4～5.2V 116seg*2com 偏置电压1/1 1/2 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LCD驱动、液晶显示IC、LCD显示、液晶显示、显示LCD、段码液晶屏驱动、LCD液晶显示、段码屏LCD驱动、LCD显示驱动芯片、LCD显示驱动IC、液晶驱动原厂、LCD屏驱动、液晶屏驱动、驱动LCD、驱动液晶、LCD驱动控制器、液晶显示驱动原厂、段码LCD驱动、液晶段码屏驱动、液晶显示驱动芯片、点阵式液晶显示驱动、点阵式液晶显示IC、液晶驱动IC、液晶驱动芯片、LCD芯片、液晶芯片、液晶驱动控制器、液晶IC、段码驱动显示IC、笔段式液晶驱动、LCD液晶显示驱动、液晶LCD显示驱动、段码屏驱动厂家、段码驱动IC、段码驱动芯片、段码屏显IC、LCD显示IC、笔段式LCD驱动、LCD显示芯片、段码屏显示IC、段码屏显示芯片、LCD段码液晶驱动、段码LCD液晶驱动、段码驱动原厂、液晶显示芯片、段式液晶驱动、段码显示IC、LCD液晶屏驱动、笔段LCD驱动、LCD段码屏驱动、液晶屏驱动IC、液晶屏驱动芯片、液晶段码LCD驱动、液晶LCD段码驱动、LCD驱动器、液晶驱动电路、LCD驱动IC、断码LCD驱动、段码屏驱动原厂、LCD驱动厂家、LCD屏驱动IC、点阵式LCD驱动、LCD屏驱动芯片、点阵段码屏驱动、点阵液晶屏驱动、段码液晶驱动芯片、段码屏驱动、LCD驱动原厂、LCD驱动芯片、LCD段码驱动、LCD液晶驱动、液晶驱动IC原厂、液晶显示驱动IC、点阵LCD驱动、段式LCD驱动、LCD显示驱动、液晶显示驱动、段码液晶驱动 ...

CS5366是一款Type-C/DP1.4到HDMI2.0的显示协定转换芯片，外部集成了PD3.0及DSC decoder, 并能按客户需要配置成不同的性能组合， 是目前集成度与功耗最小的一颗芯片。CS536x次要个性 业界最低功耗的Type-C to HDMI2.0 4K60产品 (<300mW)。集成DSC1.2a decoder, 不仅反对2 lane 8.1G的source, 也反对2 lane 5.4G输 出4K60 videoDSC反对RGB, YCbCr4:4:4, YCbCr4:2:2, Native YCbCr4:2:2, YCbCr4:2:0, 实现4K60 10 bit-per-colorFail Safe Firmware Update。

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VKS118封装模式：LQFP128 概述VKS118是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可反对动态扫描点数最大118点（118SEGx1COM）的LCD屏。单片机可通过5线串行接口配置显示参数和读写显示数据，也可通过指令进入省电模式。有对比度好、可视角大、不闪动等特点。实用于洗衣机面板、汽车仪表、家电等须要高显示品质产品。ZTT1170特点•工作电压 2.4-5.2V•内置256 kHz RC振荡器•动态显示，无偏置100%占空比•内置显示RAM•省电模式（通过关显示和关振荡器进入）•5线串行接口•显示模式118×1•软件配置LCD显示参数•写命令和读写数据2种命令格局•读写显示数据地址主动加1•VLCD脚提供LCD驱动电压源（≤VDD）•3种显示数据的拜访形式•封装LQFP128(14.0mm x 14.0mm PP=0.4mm) LCD/LED控制器及驱动器系列芯片简介如下：RAM映射LCD控制器和驱动器系列：VK1024B 2.4V～5.2V 6seg4com 63 6*2 偏置电压1/2 1/3 S0P16 省电模式VK1056B 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SOP24 省电模式VK1056C 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP24 省电模式VK1072B 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072C 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072D 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP28 省电模式VK1088B 2.4V～5.2V 22seg4com 223 222 偏置电压1/2 1/3 QFN32（44mm PP=0.4mm）超小体积VK1128C 2.4V～5.2V 32seg4com 323 322 偏置电压1/2 1/3 QFN48 (55mm PP=0.35mm)超小体积VK0192M 2.4V～5.2V 24seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44 省电模式VK0256 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 QFP64 省电模式VK0256B 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK0256C 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP52 省电模式VK0384 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK1621 2.4V～5.2V 32seg4com 323 32*2 偏置电压1/2 1/3 LQFP44(QFP44正方形)/LQFP48/SSOP48/SDIP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1622 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44/LQFP48/LQFP52/LQFP64/QFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1623 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE 裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1625 2.4V～5.2V 64seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1626 2.4V～5.2V 48seg*16com 偏置电压1/5 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB) 省电模式——————————————————————————————————————————————————高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK1C21A 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 SSOP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21B 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21C 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 LQFP44；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21D 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21DA 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21E 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21EA 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗———————————————————————————————————————————————————VK2C21A 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21AA 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21B 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21BA 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21C 2.4～5.5V 12seg4com 88 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP20；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21D 2.4～5.5V 8seg4com 48 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 NSOP16；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22A 2.4～5.5V 44seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP52；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22B 2.4～5.5V 40seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23A 2.4～5.5V 56seg4com 528 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23B 2.4～5.5V 36seg*8com 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24A 2.4～5.5V 72seg4com 688 60*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP80；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24B 2.4～5.5V 56seg4com 528 44*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗——————————————————————————————————————————————————超低功耗LCD液晶控制器及驱动系列:VKL060 2.5～5.5V 15seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP24 超低功耗/抗干扰VKL075 2.5～5.5V 19seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP28 超低功耗/抗干扰VKL128 2.5～5.5V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP44 超低功耗/抗干扰VKL144A 2.5～5.5V 36seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 TSSOP48超低功耗/抗干扰VKL144B 2.5～5.5V 36seg4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 QFN48(66超小体积) 超低功耗/抗干扰——————————————————————————————————————————————————动态显示LCD液晶控制器及驱动系列：VKS118 2.4～5.2V 118seg*1com 偏置电压 -- 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动VKS232 2.4～5.2V 116seg*2com 偏置电压1/1 1/2 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LCD驱动、液晶显示IC、LCD显示、液晶显示、显示LCD、段码液晶屏驱动、LCD液晶显示、段码屏LCD驱动、LCD显示驱动芯片、LCD显示驱动IC、液晶驱动原厂、LCD屏驱动、液晶屏驱动、驱动LCD、驱动液晶、LCD驱动控制器、液晶显示驱动原厂、段码LCD驱动、液晶段码屏驱动、液晶显示驱动芯片、点阵式液晶显示驱动、点阵式液晶显示IC、液晶驱动IC、液晶驱动芯片、LCD芯片、液晶芯片、液晶驱动控制器、液晶IC、段码驱动显示IC、笔段式液晶驱动、LCD液晶显示驱动、液晶LCD显示驱动、段码屏驱动厂家、段码驱动IC、段码驱动芯片、段码屏显IC、LCD显示IC、笔段式LCD驱动、LCD显示芯片、段码屏显示IC、段码屏显示芯片、LCD段码液晶驱动、段码LCD液晶驱动、段码驱动原厂、液晶显示芯片、段式液晶驱动、段码显示IC、LCD液晶屏驱动、笔段LCD驱动、LCD段码屏驱动、液晶屏驱动IC、液晶屏驱动芯片、液晶段码LCD驱动、液晶LCD段码驱动、LCD驱动器、液晶驱动电路、LCD驱动IC、断码LCD驱动、段码屏驱动原厂、LCD驱动厂家、LCD屏驱动IC、点阵式LCD驱动、LCD屏驱动芯片、点阵段码屏驱动、点阵液晶屏驱动、段码液晶驱动芯片、段码屏驱动、LCD驱动原厂、LCD驱动芯片、LCD段码驱动、LCD液晶驱动、液晶驱动IC原厂、液晶显示驱动IC、点阵LCD驱动、段式LCD驱动、LCD显示驱动、液晶显示驱动、段码液晶驱动 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK1Q68D封装模式：QFN24L 概述VK1Q68D是一种带键盘扫描接口的数码管或点阵LED驱动管制专用芯片。外部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描等电路。SEG脚接LED阳极，GRID脚接LED阴极，可反对13SEGx4GRID、12SEGx5GRID、11SEGx6GRID、10SEGx7GRID的点阵LED显示面板，最大反对10x2按键。实用于要求牢靠、稳固和抗干扰能力强的产品。采纳 QFN24L的封装模式。ZTT1029特点•工作电压 3.0-5.5V•内置 RC振荡器•10个SEG脚，4个GRID脚，3个可配置SEG/GRID复用脚•SEG脚只能接LED阳极，GRID脚只能接LED阴极•10x2矩阵按键，反对多键同时按下（按键显示复用需硬件电路配合）•3线串行接口•8级整体亮度可调•内置显示RAM为14x8位•内置上电复位电路•抗干扰能力强•封装QFN24L(4mmX4mm×0.75mm-0.50mm）内存映射的LED控制器及驱动器 VK16D32 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：8段12位 共阳驱动：--- 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：＜1mA＜10A 按键：--- 封装：SSOP24 恒流驱动VK16D33 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：--- 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：＜1mA＜10A 按键：--- 封装：SOP28 恒流驱动———————————————————————————————————————————————————VK16K33A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位； 共阳驱动：8段16位 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：typ.1mA/1A 按键：13*3 封装：SOP28 驱动电流大，适宜高亮显示场合VK16K33AA 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位； 共阳驱动：8段16位 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：typ.1mA/1A 按键：13*3 封装：SSOP28 驱动电流大，适宜高亮显示场合VK16K33B 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位； 共阳驱动：8段12位 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：typ.1mA/1A 按键：10*3 封装：SOP24 驱动电流大，适宜高亮显示场合VK16K33BA 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位； 共阳驱动：8段12位 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：typ.1mA/1A 按键：10*3 封装：SSOP24 驱动电流大，适宜高亮显示场合VK16K33C 3.0～5.5V 驱动点阵：64 共阴驱动：8段8位； 共阳驱动：8段8位 通信接口：SCL/SDA 动态电流/待机电流：typ.1mA/1A 按键：8*3 封装：SOP20 驱动电流大，适宜高亮显示场合——————————————————————————————————————————————————VK1640 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通信接口：CLK/DIN 动态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SOP28 VK1640A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通信接口：CLK/DIN 动态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SSOP28VK1640B 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：8段12位 共阳驱动：12段8位 通信接口：CLK/DIN 动态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SSOP24VK1650 3.0～5.5V 驱动点阵：32 共阴驱动：8段4位 共阳驱动：4段8位 通信接口：CLK/DAT 动态电流/待机电流：typ.0.3mA/50A 按键：7*4 封装：SOP16/DIP16 VK1Q60 3.0～5.5V 驱动点阵：32 共阴驱动：8段4位 共阳驱动：4段8位 通信接口：CLK/DAT 动态电流/待机电流：＜0.1mA/--- 按键：7*4 封装：QFN16VK1651 3.0～5.5V 驱动点阵：28 共阴驱动：4段7位 共阳驱动：7段4位 通信接口：CLK/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：7*1 封装：SOP16/DIP16——————————————————————————————————————————————————VK1637 3.0～5.5V 驱动点阵：48 共阴驱动：6段8位 共阳驱动：8段6位 通信接口：CLK/DIO 动态电流/待机电流：--/-- 按键：8*2 封装：SOP20/DIP20 VK1616 3.0～5.5V 驱动点阵：28 共阴驱动：7段4位 共阳驱动：4段7位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP16/DIP16 抗干扰能力强 VK1618 3.0～5.5V 驱动点阵：35/36/35/32 共阴驱动：5段7位；6段6位；7段5位；8段4位 共阳驱动：7段5位；6段6位；5段7位；4段8位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：5*1 封装：SOP18/DIP18 抗干扰能力强VK1620B 3.0～5.5V 驱动点阵：48/45/40 共阴驱动：8段6位；9段5位；10段4位 共阳驱动：6段8位；5段9位；4段10位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP20 抗干扰能力强VK1624 3.0～5.5V 驱动点阵：77/72/65/56 共阴驱动：11段7位；12段6位；13段5位；14段4位 共阳驱动：7段11位；6段12位；5段13位；4段14 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：--- 封装：SOP24/DIP24 抗干扰能力强VK1S68C 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SSOP24 抗干扰能力强VK1Q68D 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：QFN24 抗干扰能力强VK1668 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SOP24/SSOP24 抗干扰能力强VK1628 3.0～5.5V 驱动点阵：70/66/60/52 共阴驱动：10段7位；11段6位；12段5位；13段4位 共阳驱动：7段10位；6段11位；5段12位；4段13位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜1mA/-- 按键：10*2 封装：SOP28 抗干扰能力强VK1S38A 3.0～5.5V 驱动点阵：64 共阴驱动：8段8位 共阳驱动：8段8位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*3 封装：SSOP24 抗干扰能力强VK1638 3.0～5.5V 驱动点阵：80 共阴驱动：10段8位 共阳驱动：8段10位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*3 封装：SOP28 抗干扰能力强VK1629 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位 共阳驱动：8段16位 通信接口：CLK/STB/DIN/DOUT动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*4 封装：LQFP44(QFP44正方形)； 抗干扰能力强VK1629A 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：16段8位 共阳驱动：8段16位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：--- 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629B 3.0～5.5V 驱动点阵：112 共阴驱动：14段8位 共阳驱动：8段14位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*2 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629C 3.0～5.5V 驱动点阵：120 共阴驱动：15段8位 共阳驱动：8段15位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*1 封装：SOP32 抗干扰能力强VK1629D 3.0～5.5V 驱动点阵：96 共阴驱动：12段8位 共阳驱动：8段12位 通信接口：CLK/STB/DIO 动态电流/待机电流：＜5mA/-- 按键：8*4 封装：SOP32 抗干扰能力强VK6932 3.0～5.5V 驱动点阵：128 共阴驱动：8段16位 共阳驱动：16段8位 通信接口：CLK/STB/DIN 动态电流/待机电流：＜0.1mA/-- 按键：--- 封装：SOP32 抗干扰能力强(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LED驱动、LED屏驱动、数显驱动IC、LED芯片、LED驱动器、数码管显示驱动、LED显示驱动、LED数显驱动原厂、LED数显驱动芯片、LED驱动IC、点阵LED显示驱动、LED屏驱动IC、数显驱动芯片、数码管芯片、数码管驱动、数显屏驱动、数显IC、数显芯片、数显驱动、LED数显IC、数显驱动原厂、LED屏驱动芯片、LED数显驱动IC、LED数显驱动IC、LED驱动电路、数显LED屏驱动、LED数显屏驱动、LED显示屏驱动、LED数码管驱动、数显LED驱动、LED数显驱动、数码管显示IC、数码管显示芯片、数码管驱动芯片、LED显示驱动芯片、显示数码管驱动、LED控制电路、数显LED驱动芯片、数显LED驱动IC、LED驱动芯片、数码管显示屏驱动、数码管驱动原厂、LED驱动厂家、LED驱动原厂、LED数码驱动、LED数码屏驱动、LED数显芯片、数码管驱动IC、显示LED驱动、数码管LED驱动、LED显示IC、点阵数显驱动、点阵数码管驱动、点阵LED驱动、点阵数显驱动芯片、点阵数显驱动IC、点阵LED驱动芯片、点阵LED驱动IC、LED数显原厂、点阵数码管显示芯片、数码管驱动厂家、数显LED原厂 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK1623S封装模式：LQFP100/QFP100、DICE、COG(定制) 概述：VK1623S是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可反对最大384点（48EGx8COM）的LCD屏。单片机可通过3/4线串行接口配置显示参数和发送显示数据，也可通过指令进入省电模式。ZTT1022特点：• 工作电压 2.4-5.2V• 内置 32 kHz RC振荡器（上电默认）• 可外接32.768kHz晶体振荡器或32kHz时钟源• 偏置电压（BIAS）固定为1/4• COM周期（DUTY）固定为1/8• 内置显示RAM为48x8位• 蜂鸣器频率可配置为2kHz、4kHz• 省电模式（通过关显示和关振荡器进入）• 时基和看门狗共用1个时钟源，可配置8种频率• 时基或看门狗溢出信号输入脚为/IRQ脚 (开漏)• 3/4线串行接口• 软件配置LCD显示参数• 写命令和读写数据2种命令格局• 读写显示数据地址主动加1• VLCD脚提供LCD驱动电压（＜VDD）• 封装：LQFP100(14.0mm x 14.0mm PP=0.5mm)QFP100(20.0mm x 14.0mm PP=0.65mm)DICE（邦定PCB）；COG（邦定玻璃，定制）LCD/LED控制器及驱动器系列芯片简介如下：RAM映射LCD控制器和驱动器系列：VK1024B 2.4V～5.2V 6seg4com 63 6*2 偏置电压1/2 1/3 S0P16 省电模式VK1056B 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SOP24 省电模式VK1056C 2.4V～5.2V 14seg4com 143 14*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP24 省电模式VK1072B 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072C 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SOP28 省电模式VK1072D 2.4V～5.2V 18seg4com 183 18*2 偏置电压1/2 1/3 SSOP28 省电模式VK1088B 2.4V～5.2V 22seg4com 223 222 偏置电压1/2 1/3 QFN32（44mm PP=0.4mm）超小体积VK1128C 2.4V～5.2V 32seg4com 323 322 偏置电压1/2 1/3 QFN48 (55mm PP=0.35mm)超小体积VK0192M 2.4V～5.2V 24seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44 省电模式VK0256 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 QFP64 省电模式VK0256B 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK0256C 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP52 省电模式VK0384 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP64 省电模式VK1621 2.4V～5.2V 32seg4com 323 32*2 偏置电压1/2 1/3 LQFP44(QFP44正方形)/LQFP48/SSOP48/SDIP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1622 2.4V～5.2V 32seg*8com 偏置电压1/4 LQFP44/LQFP48/LQFP52/LQFP64/QFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1623 2.4V～5.2V 48seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE 裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1625 2.4V～5.2V 64seg*8com 偏置电压1/4 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 省电模式VK1626 2.4V～5.2V 48seg*16com 偏置电压1/5 LQFP100/QFP100；DICE/DIE裸片(绑定COB) 省电模式——————————————————————————————————————————————————高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK1C21A 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 SSOP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21B 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线/4线通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21C 2.4～5.2V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 LQFP44；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21D 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21DA 2.4～5.2V 18seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP28 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21E 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗VK1C21EA 2.4～5.2V 14seg*4com 偏置电压1/2 1/3 3线通信接口 SSOP24 高抗干扰/抗噪/低功耗———————————————————————————————————————————————————VK2C21A 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21AA 2.4～5.5V 20seg4com 168 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP28；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21B 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21BA 2.4～5.5V 16seg4com 128 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SSOP24；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21C 2.4～5.5V 12seg4com 88 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 SOP20；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C21D 2.4～5.5V 8seg4com 48 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 NSOP16；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22A 2.4～5.5V 44seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP52；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C22B 2.4～5.5V 40seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23A 2.4～5.5V 56seg4com 528 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C23B 2.4～5.5V 36seg*8com 偏置电压1/3 1/4 I2C通信接口 LQFP48；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24A 2.4～5.5V 72seg4com 688 60*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP80；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗VK2C24B 2.4～5.5V 56seg4com 528 44*16 偏置电压1/3 1/4 1/5 I2C通信接口 LQFP64；DICE/DIE裸片(绑定COB)；COG(绑定玻璃) 高抗干扰/抗噪/低功耗——————————————————————————————————————————————————超低功耗LCD液晶控制器及驱动系列:VKL060 2.5～5.5V 15seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP24 超低功耗/抗干扰VKL075 2.5～5.5V 19seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 SSOP28 超低功耗/抗干扰VKL128 2.5～5.5V 32seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 LQFP44 超低功耗/抗干扰VKL144A 2.5～5.5V 36seg*4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 TSSOP48超低功耗/抗干扰VKL144B 2.5～5.5V 36seg4com 偏置电压1/2 1/3 I2C通信接口 QFN48(66超小体积) 超低功耗/抗干扰——————————————————————————————————————————————————动态显示LCD液晶控制器及驱动系列：VKS118 2.4～5.2V 118seg*1com 偏置电压 -- 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动VKS232 2.4～5.2V 116seg*2com 偏置电压1/1 1/2 4线通信接口 LQFP128 可视角大,对比度好,不闪动(永嘉微电/VINKA原厂-FAE技术支持，主营LCD驱动IC； LED驱动IC； 触摸IC； LDO稳压IC； 水位检测IC)LCD驱动、液晶显示IC、LCD显示、液晶显示、显示LCD、段码液晶屏驱动、LCD液晶显示、段码屏LCD驱动、LCD显示驱动芯片、LCD显示驱动IC、液晶驱动原厂、LCD屏驱动、液晶屏驱动、驱动LCD、驱动液晶、LCD驱动控制器、液晶显示驱动原厂、段码LCD驱动、液晶段码屏驱动、液晶显示驱动芯片、点阵式液晶显示驱动、点阵式液晶显示IC、液晶驱动IC、液晶驱动芯片、LCD芯片、液晶芯片、液晶驱动控制器、液晶IC、段码驱动显示IC、笔段式液晶驱动、LCD液晶显示驱动、液晶LCD显示驱动、段码屏驱动厂家、段码驱动IC、段码驱动芯片、段码屏显IC、LCD显示IC、笔段式LCD驱动、LCD显示芯片、段码屏显示IC、段码屏显示芯片、LCD段码液晶驱动、段码LCD液晶驱动、段码驱动原厂、液晶显示芯片、段式液晶驱动、段码显示IC、LCD液晶屏驱动、笔段LCD驱动、LCD段码屏驱动、液晶屏驱动IC、液晶屏驱动芯片、液晶段码LCD驱动、液晶LCD段码驱动、LCD驱动器、液晶驱动电路、LCD驱动IC、断码LCD驱动、段码屏驱动原厂、LCD驱动厂家、LCD屏驱动IC、点阵式LCD驱动、LCD屏驱动芯片、点阵段码屏驱动、点阵液晶屏驱动、段码液晶驱动芯片、段码屏驱动、LCD驱动原厂、LCD驱动芯片、LCD段码驱动、LCD液晶驱动、液晶驱动IC原厂、液晶显示驱动IC、点阵LCD驱动、段式LCD驱动、LCD显示驱动、液晶显示驱动、段码液晶驱动 ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA产品型号：VK3601封装模式：SOT23-6 概述：VK3601具备1个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较 高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了1路间接输入性能。芯片外部采纳非凡的集成电路，具备高电源电压克制比，可 缩小按键检测谬误的产生，此个性保障在不利环境条件的利用中芯片仍具备很高的可靠性。 此触摸芯片具备主动校准性能，低待机电流，抗电压稳定等个性，为各种触摸按键+IO 输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。ZTT988特点：• 工作电压 2.4-5.5V • 待机电流4uA/3.0V，8uA/5V • 上电复位性能（POR） • 低压复位性能（LVR） • 触摸输入响应工夫 工作模式 48mS ，待机模式160m • CMOS输入，可通过AHLB脚抉择低电平无效还是高电平无效• 无触摸4S进入待机模式• CS脚接对地电容调节灵敏度(1-47nF） • 各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF） • 上电0.25S内为稳固工夫，禁止触摸• 上电后4S内自校准周期为64mS，4S无触摸后自校准周期为1S • 封装SOT23-6(3mm x 3mm PP=0.95mm)电容式触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列：VKD223EB 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/ 锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6；DICE/DIE 裸片(绑定COB) 低功耗VKD223B 工作电压/工作电流/待机电流：2.0V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DG/HG 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗VKD233DB/HB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗VKD233DH/HH 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms，低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD233DS/HS 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 长按16S复位VKD233DR/HR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/1.5A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：DFN6(2*2超小体积) 低功耗/长按16S复位VKD233DQ/HQ 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/4.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位VKD233DM/HM 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/5.0A/---(3V) 感应通道数：1 输入形式：开漏输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 长按16S复位——————————————————————————————————————————————————VKD232C 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接 输入(低无效) 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式220ms @VDD=3V 封装：SOT23-6 低功耗/长按16S复位VKD104BR/CR 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式46ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104BR-3H/VKD104CR-3H 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接/锁存输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装：SOP8 低功耗VKD104 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:DICE/DIE裸片(绑定COB) 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104BC/CC 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位VKD104CB/SB 工作电压/工作电流/待机电流：2.4V-5.5V/13A/2.5A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存/开漏输入 最长响应工夫疾速模式60ms,低功耗模式160ms @VDD=3V 封装:SSOP16 低功耗；可抉择长按16S复位/不复位抗干扰低功耗触控IC-高性价比系列VK3601 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/4A(3V) 感应通道数：1 输入形式：间接输入 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOT23-6VK3601SS-1 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/3A(3V) 感应通道数：1 输入形式：--- 抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，三段调光/无极调光 封装：SOP8/DIP8VK3602XS 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3602K/KA 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/8A(3V) 感应通道数：2 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰 封装：SOP8VK3603 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：3 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESOP8VK3604A 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3604B 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接/锁存输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SSOP16VK36E4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：ESSOP10VK36Q4 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/6A(3V) 感应通道数：4 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：DFN10(3*3超小体积)VK3606D 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/7A(3V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610I 工作电压/待机电流：2.4V-5.5V/9A(3V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入抗干扰/待机电流小，抗电源及手机烦扰，可调节灵敏度 封装：SOP16——————————————————————————————————————————————————实用开关电源触摸IC系列VK3606DM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 VK3606OM-A 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：6 输入形式：间接/开漏输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3608BM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：8 输入形式：间接输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16VK3610IM 工作电压/工作电流：3.1V-5.5V/3mA(5V) 感应通道数：10 输入形式：I2C输入 抗干扰能力强，抗电源及手机烦扰，可通过CAP调节灵敏度 封装：SOP16 ...

8 月 23 日，2023 RISC-V 中国峰会在北京召开。平头哥凭借玄铁 RISC-V 高性能全栈技术，在安卓商业化利用、视频视觉、数据中心、大屏交互等场景率先宽泛落地。龙蜥社区 RISC-V SIG 携手平头哥、算能、 RISC-V 大使傅炜等合作伙伴，共同完成针对算能 SG2042 的平台反对，同时欠缺包含数据库、JVM/Java、Web 服务等云上利用和场景的反对，推动 RISC-V 继续向高性能利用演进。 （图/平头哥生态副总裁杨静现场分享与龙蜥的单干成绩） RISC-V 架构开源、精简、可扩展性强，在此轮芯片产业周期中倒退最为迅速。2022 年寰球共生产 100 亿颗 RISC-V 芯片，有一半源于中国。此次峰会上，平头哥玄铁 RISC-V 高性能全栈技术全新亮相，从处理器 IP 到芯片平台、编译器、工具链等软硬件技术全面降级，并实现 RISC-V 与龙蜥社区、Debian、Ubuntu、安卓、OpenKylin、OpenHarmony、酷开 WebOS 等支流操作系统的深度适配，推动 RISC-V 继续向 2GHz 高性能利用演进。 龙蜥社区基于社区单干，后续还将进一步欠缺 RISC- V 架构虚拟化反对和优化，包含 RISC-V 数据中心场景性能评估和剖析体系、数据中心 RAS 技术、编译、语言和运行时技术等等。将来将进一步加强与龙蜥社区合作伙伴、RISC-V 国内基金会、RISC-V 软件生态打算的单干，联合云上的利用场景教训与业务特点，与产业界和学术界独特摸索 RISC-V 在数据中心的技术倒退和落地路线，独特为 RISC-V 能真正走向数据中心，走向云计算而致力。 （图/龙蜥反对虚拟化、数据库等成绩展现） 编程语言是根底软件的外围，也是龙蜥技术生态的八大方向之一，Dragonwell 是龙蜥社区 Java 语言和虚拟机 SIG 下的我的项目。Dragonwell11 的二进制版本曾经于2023 年 2 月公布，Dragonwell11 的 RISC-V 版本曾经集成进龙蜥的 Anolis 源中，如果是应用 Anolis OS 的用户能够间接应用 yum 源来装置 Dragonwell11 JDK。 ...

2023年9月6日（周三），龙智行将亮相于上海举办的D&R IP-SoC China 2023 Day，出现集成了Perforce与Atlassian产品的芯片开发解决方案，助力企业更好、更快地进行芯片开发。 D&R IP-SoC China 2023 Day 是中国首个齐全致力于IP（硅知识产权）和基于IP电子系统的独特全球性流动。作为芯片设计业翻新的种子，IP-SoC展商受邀展现最新的产品和服务，并分享对半导体行业下一步翻新的瞻望。IP用户能够高深莫测地查看最新的技术趋势和令人兴奋的翻新IP/SoC产品。通过全局视角，电子系统首领能够辨认颠覆性翻新，带来新的细分市场增长。 9月6日下午4:50，龙智资深参谋、技术支持部门负责人李培也将于平安解决方案（Security Solution）环节，为大家带来主题为《撑持、共享与平安：芯片开发中的数字资产治理》的精彩演讲。 撑持，共享与平安——芯片开发中的数字资产治理嘉宾简介： **李培龙智资深参谋、技术支持部门负责人** 李培是龙智资深参谋、技术支持部门负责人。他率领团队为Perforce、Smartbear、CloudBees、Mend等多个产品线提供技术咨询与反对服务。凭借其对Perforce产品深刻的理解和杰出的专业技能，他曾荣获“2022年Perforce技术英雄”名称。李培曾就任于大唐挪动、中兴通讯、泰克科技（中国）等公司，从事嵌入式软件开发工作。他领有东北交通大学计算机利用业余硕士学位。 演讲主题： 撑持，共享与平安——芯片开发中的数字资产治理 演讲要点： 芯片开发是高度简单且精细的畛域。扩散在寰球不同地点的团队在工作中产生了大量数字资产，包含设计、开发和验证过程中产生的各种数据等。这些数字资产不仅多样简单，数据量也十分宏大，如何更好地对这些数字资产进行治理，确保其安全性的同时让芯片团队更加不便、高效地合作，为芯片开发提供强有力的撑持？ 本次演讲，李培将重点关注数字资产治理的两个层面——文件级别的治理和更高抽象层次的治理，分享数字资产治理的最佳实际，助力芯片我的项目的高效推动和产品的准时交付。演讲次要内容包含： 芯片开发面临的挑战如何在IP层级治理数字资产可追溯、精细化的IP版本治理欢送光临龙智展位，理解更多芯片开发解决方案与精彩流动本次盛会，龙智不仅带来了集成Perforce与Atlassian产品的芯片开发解决方案，还将在展位带来最新资讯、行业报告等。同时，龙智DevSecOps专家也将在现场与您面对面交换，为您解答各种对于芯片开发的问题，分享咱们的最佳实际和教训。您还能够参加精彩的抽奖流动，赢取丰富奖品。热忱地欢送各位返回龙智展位！ IP-SoC China 2023 Day工夫：2023年9月6日地点：上海市长荣桂冠酒店（浦东新区祖冲之路1136号） 龙智精彩环节：① 主题演讲——撑持、共享与平安：芯片开发中的数字资产治理② 展台交换互动及惊喜抽奖流动③ 更多流动详情，请查看IP-SoC China 2023 Day官网网站

半导体的将来正在一直演变，以后的趋势预示着更高水平的翻新和竞争。在2023年之前，一直减少的需要、地缘政治抵触、工厂敞开以及通货膨胀导致了半导体的短缺和生产下滑。随之而来的是，毕马威和寰球半导体联盟公布的2022年半导体行业信念指数降至56/100，较上一年的历史最高程度降落了18个百分点。 然而，这种波动性是短期的。咱们不仅看到了芯片短缺的完结，而且毕马威考察的高管中，超过四分之一的人预计行将呈现芯片供给过剩的状况。生产量的减少意味着企业将须要适应新的技术和流程。 本篇文章将探讨了半导体畛域的将来，包含趋势、哪些行业将受到最大影响，以及您的企业该如何取得成功。 半导体行业的将来会怎么？许多半导体公司通过将多个性能集成到一个芯片中来扩充市场份额，直到最近仍旧是这样。这种想法认为芯片只需设计一次，就能在各种不同的情境中应用。 基于小芯片（Chiplet-Based）的设计 IP复用依然是半导体行业将来的一个焦点——在2023年Perforce半导体情况考察中，大多数行业领导者称其为首要关注点——但当初的设计曾经转为通过定制来实现市场增长。半导体设计的将来不是设计繁多的单片芯片，而是依赖于小芯片。这些是专用的模块化芯片，能够组合在一起，以创立简单的零碎级芯片（SoC）。 这些基于小芯片的设计是由更小的、可定制的构建块所组成的。这种办法能够带来更轻的硬件，升高消费者的老本，并进步可持续性。一些IP供应商正在将小芯片与“IP软核”的理念连接起来，即企业依据其特定需要配置的IP。《麻省理工学院技术评论》也将这种转变（也称为“多芯片零碎技术”）认定为半导体行业的将来。尽管基于小芯片的设计越来越受欢迎，但它们要足够遍及、甚至成为行业标准之前，可能还须要五年左右的工夫。 全球化 除了半导体设计的将来转变外，该行业还将变得更加全球化。当毕马威询问半导体高管他们的公司是否打算扩充寰球招聘、与多个公司的多个分布式团队单干时，有71%的人给出了必定的答复。 半导体行业在增长吗？半导体行业正在迅速倒退。随着主动驾驶汽车等产品的呈现，以及交融了人工智能和机器学习产品的呈现，对于半导体的需要变得更加迫切。 麦肯锡公司预测，到2030年，半导体将成为价值数万亿美元的产业。 只管往年半导体行业的支出预计将略有降落，但到2024年，该市场预计年增长率将达到18%。 半导体行业将来的次要趋势有一些趋势正在重塑半导体的将来，其中包含新技术和市场的拓展，还有一些现有技术的新鲜用法，例如在成熟的工艺节点上应用小芯片2.5D封装。 利用新技术 现在驱动半导体行业将来的三大关键技术趋势是： 开源硬件正在颠覆市场，并扭转公司对设计的认识；物联网减少了对具备老本效益的半导体的需要；5G进步了对高性能计算设施的需要。拓宽市场 半导体的利用范畴曾经显著扩充了。从智能手机到主动驾驶汽车传感器，现在半导体驱动着所有。《麻省理工学院技术评论》2023年的调查结果指出，客户期待并要求更多的个性化。企业也在响应这一需要，超过一半的受访高管示意，他们打算扩大业务的“智能”产品范畴。 新型垂直一体化零碎公司的崛起 垂直一体化零碎公司也将推动半导体设计的需要，因为非传统的半导体公司正在生产本人的设施和平台来反对他们的生态系统。 以苹果公司为例，他们在2022年公布了新的M1处理器。苹果公司的自主研发以及对这项专利的领有代表了半导体将来的一个强劲趋势：更多公司进入市场，竞争日益强烈。 那么，为什么其余零碎公司都在效仿苹果呢？ “苹果正在设计更多的自有芯片，以更好地管制其设施的性能，并将其与竞争对手辨别开来。（彭博社) 通过垂直一体化，这些公司可能从可追溯性中受害。如果您没有一个可追溯的平台，不免遇到挑战。然而，如果您领有一个具备可追溯性的IP管理系统（例如Methodics IPLM），您就会晓得您领有什么，以及它们的地位。这有助于减速翻新并进步性能。 半导体行业将来的次要挑战目前，半导体行业面临的最大挑战是上市工夫和老本。劳动力及人才短缺在最近也成为一个重要问题。 上市工夫 上市工夫是半导体设计中的次要关注点。Perforce年度半导体现状考察发现，缩短上市工夫是大部分半导体企业高管的次要指标。当半导体不能在指定工夫上市时（这在大概一半的生产状况中会产生），支出就会大幅降落。 老本 制作半导体的老本昂扬。有专家指出，这是该行业始终被多数公司所垄断的起因。从新设计的老本特地高，因而公司必须确保半导体在制作和生产之前可能失常运行。 人才短缺 随着工作环境的变动，包含向近程工作和更多寰球团队构造的转变，企业对人才的竞争日益强烈。德勤公司的钻研发现，到2030年，半导体企业将须要超过一百万名员工来填补新岗位。只管导致这个问题的起因很简单，但企业会发现，简化工作流程、改善合作，并采纳新的提高效率的工具，有助于加重工作人员的不满。 是什么导致了这些挑战？ 导致半导体挑战的根本原因有很多： 企业的工程环境跟不上设计的复杂性企业报告称组件复用微不足道收买可能会产生一个个设计孤岛设计数据大小正在急速增长，导致性能降落制造商不足从需要到设计再到验证的可追溯性，导致从新设计需要变动时沟通有余复用现有IP时未能满足整体设计的要害要求这些挑战都很重大，然而，您能够应用具备可追溯性的平台（例如Methodics IPLM）来克服它们。 借助Methodics IPLM更好地为半导体行业的将来做好筹备以下是应用MethodicsIPLM克服半导体设计挑战的办法。 实现齐全可追溯性如果没有可追溯性，您将无奈跟踪重要的元数据，以及在何处应用了哪些IP。 应用MethodicsIPLM这样的平台，您能够跟踪已构建的内容、可用资源以及可复用的局部。通过取得从需要到设计再到验证的可追溯性，您能够防止从新设计，改善对需要变更的沟通。 实现IP复用因为半导体的设计十分复杂，因而在设计阶段治理版本及其依赖关系是很有挑战性的。这可能导致错过上市工夫。 MethodicsIPLM提供了一种解决方案，能够轻松辨认和复用IP。这意味着您设计了一次 IP后，就能重复使用它。这放慢了上市工夫并大大降低了老本。 保护繁多可信数据源随着收买其余公司或扩充设计团队，保护繁多可信数据源变得无比重要。 Perforce Helix Core可能在繁多存储库中存储所有设计文件（包含硬件、固件和软件）并对其进行版本控制，反对文件级别的平安访问控制。它与Methodics IPLM无缝集成，通过联合应用它们，您能够联结公司设计孤岛中的所有设计数据和元数据，改善设计团队之间的沟通。 改善合作，甚至改善安全性在半导体畛域，合作变得愈发重要。设计团队遍布寰球，减少了芯片设计合作的复杂性。因为严格的进口法规，您须要领有更弱小的IP平安保障。 通过联合应用Perforce Helix Core和Methodics IPLM，寰球设计团队能够在不就义IP安全性的状况下增强合作。 面向未来的半导体解决方案Perforce Helix Core通过反对模仿、数字、基础设施和软件开发的设计资产的存储、拜访和治理，为寰球芯片团队提供了弱小反对。它专为大规模团队和简单我的项目而设计，是繁多可信数据源。 Methodics IPLM是设计半导体将来的现实平台。无论您的企业是半导体制造商，还是刚刚涉足芯片设计的电子公司，Methodics IPLM都是适宜您的解决方案。 Perforce Helix Core与Methodics IPLM严密集成，使团队能全面地理解IP的状态与应用状况，涵盖了从IP进入零碎到交付SoC的整个过程。 文章起源：https://bit.ly/47Spvuh

2023年9月6日（周三），龙智行将亮相D&R IP-SoC China 2023 Day，出现集成了Perforce与Atlassian产品的芯片开发解决方案，助力企业更好、更快地进行芯片开发。龙智资深参谋、技术支持部门负责人李培将带来主题演讲——撑持、共享与平安：芯片开发中的数字资产治理。龙智参谋与技术团队也将在展位与参会嘉宾面对面交换。 IP-SoC China 2023 Day工夫：2023年9月6日地点：上海市长荣桂冠酒店（浦东新区祖冲之路1136号）龙智精彩环节：①主题演讲——撑持、共享与平安：芯片开发中的数字资产治理②展台交换互动及惊喜抽奖流动芯片开发面临的挑战零碎级芯片（SoC）设计的复杂性正在超出工程师的能力范畴。这是由两个趋势所引起的： 市场要求产品在十分无限的工夫内推出；设计复杂性日益进步，翻新的老本空前进步，数据规模也急剧收缩；监管要求更高，同时，爱护IP资产的压力变大，可追溯性需求和平安顾虑都在减少。这些因素的叠加使得芯片开发比以往任何时候都更具挑战性。每一代芯片的复杂程度都高于前一代。客户的需要愈发迫切，每个人都谋求最新的产品，这也导致公布工夫更为紧迫。 然而，在满足市场冀望的同时保障按时上市简直是一项不可能实现的工作。即便是顶级的芯片公司都很难做到这一点。许多企业不得不超出预算，并且在将芯片产品交付市场时遇到提早的问题。 为了克服这些挑战，抉择适合的芯片开发解决方案就变得至关重要。 芯片开发解决方案须要什么为了满足市场冀望、按时上市，您抉择的芯片开发解决方案最好应该具备以下特点： 高效的IP复用，以及共享；端到端的可追溯性；平安，可扩大，满足寰球团队和大型项目所须要的性能；所有数据管理，笼罩设计和开发的繁多可信数据源；我的项目进度治理，bug及工作跟踪；常识共享，并放弃团队始终同步，共同进步。龙智芯片开发解决方案，减速上市工夫龙智在D&R IP-SoC China 2023 Day行将出现芯片开发解决方案，集成Perforce与Atlassian产品解决芯片开发的挑战与难题，帮忙企业减速上市工夫、升高总体老本。 IP生命周期治理 Methodics IPLM可能实现企业级的可追溯性，以及在整个IP生命周期内复用所有设计组件。它提供内置的追溯性功能,齐全可追溯的生态系统将IP和IP版本与需要和验证后果互相关联，可确保我的项目的透明度，实时反映散布在多个站点的寰球团队的所有我的项目情况。它可能进行IP公布治理，确保以品质为驱动的公布流程，向上、向下捕获并流传SoC层次结构中的变更，并通过对所有数字、模仿和混合信号IP及元数据进行主动编目，实现高效的IP复用。 通过应用Methodics IPLM，实现自动化和集中化SoC的开发流程，升高芯片开发的复杂性，放慢产品上市，升高芯片开发成本。 数据管理 Perforce Helix Core通过反对模仿、数字、基础设施和软件开发的设计资产的存储、拜访和治理，为寰球芯片团队提供了弱小反对。它专为大规模团队和简单我的项目而设计，是繁多可信数据源。Perforce Helix Core提供了高度牢靠的代码版本控制和协同开发性能，可能治理大文件和二进制文件，同时可能反对无限度的扩大，满足寰球团队对性能的需要。 不仅如此，Perforce Helix Core还与Methodics IPLM严密集成，使团队能全面地理解IP的状态与应用状况，涵盖了从IP进入零碎到交付SoC的整个过程。 动态代码剖析 30多年来，Helix QAC始终是值得信赖的C/C ++语言动态代码分析器。凭借其剖析的深度和准确性，Helix QAC已成为监管严格、平安至上的行业满足合规要求的首选动态代码分析器。它能检测代码谬误、是否编码标准合乎（例如MISRA和AUTOSAR），是否存在安全隐患，并帮忙团队遵循合规规范（例如ISO 26262），有助于晋升代码品质和安全性，从而为团队发明更高标准、更牢靠的产品。 动态代码剖析 Klocwork实用于C、C++、C#、Java、JavaScript、Python和Kotlin等多种语言，可辨认软件安全性、品质和可靠性问题，帮忙强制恪守规范。在高度简单的开发环境下，Klocwork通过深入分析源代码，发现潜在的缺点和破绽，保障稳定性和安全性。同时，Klocwork的多语言反对使得开发团队可能在不同开发阶段应用不同的编程语言，保障全程品质管制。 项目管理 Jira Software是Atlassian公司开发的课题管理工具（项目管理工具）。通过高度的自定义性，实现bug治理，工作治理，工时治理，进度治理以及日程治理等整个我的项目的治理。可对立治理多个我的项目的进度和工作。它能够帮忙团队无效布局、跟踪和治理简单我的项目的进度，提供实时我的项目洞察，帮忙团队高效推动我的项目进度，缩短交付工夫。 知识库治理 Confluence是一个团队工作区，动静页面为团队了提供一个可用来创立、收集和协同解决任何我的项目或创意的中央。空间让团队可能结构、整顿和共享工作，每一位成员都能洞悉零碎常识，并轻松拜访所需的信息。 Confluence帮忙团队轻松共享技术文档、设计材料和我的项目信息，无论文档大小如何。成员还能在Confluence上进行实时合作，保障所有人都能获取最新的信息。它进步了团队沟通效率、我的项目透明度与合作能力，助力芯片产品的胜利开发。 欢送光临龙智展位理解更多芯片开发解决方案与精彩流动热忱地欢送各位光临龙智展位！咱们不仅提供丰盛的芯片行业资讯与业余技术领导，帮忙芯片开发团队减速开发，还有精彩纷呈的抽奖流动，不容错过。 2023年9月6日，上海市浦东新区祖冲之路1136号长荣桂冠酒店，D&R IP-SoC China 2023 Day现场，龙智期待与您亲切交换，独特探讨芯片畛域的翻新与倒退。

2023 年 8 月 19 日，龙蜥社区合作伙伴单位南京龙众创芯电子科技有限公司(以下简称“龙众创芯“)与龙蜥社区理事单位龙芯中科(武汉)技术有限公司（以下简称“龙芯”），联结可道云、上海七朵信息等多家生态搭档，以及龙芯开源社区、龙蜥社区等多个技术社区，公布了基于龙架构的优龙国产全固态桌面存储一体机及其公有云网盘、NAS 计划。该产品次要面向集体、家庭、个人和小微企业，具备国产率高、全固态存储、数据安全加固、软件功能丰富、界面柔美、协同办公能力强、提供多种近程拜访服务等特点，率先提供了高国产率的桌面网络存储计划，开启桌面网络存储行业国产新浪潮。 （图/优龙国产全固态桌面存储一体机 8 盘位） 当今中国，数字经济蓬勃发展，各种数据存储需要规模微小，其中以家庭和小微企业为次要用户的桌面存储需要也迅猛发展，如集体产生的大量手机图片、视频和影视文件须要存储备份，小微企业的商业数据或监控视频也须要平安存储。这类用户个别应用体积绝对机架服务器玲珑的桌面 NAS、桌面公有云网盘等产品。然而，长久以来桌面存储产品的 CPU 和内存、硬盘都以国外产品为主，进口计划不仅市场价格经常受到国内环境的影响而稳定，网络存储的信息安全也受到到威逼。现在国民和国家对数据存储的依赖性越来越高，国产桌面网络存储计划跃然纸上。 早在《龙芯& Linux 周日》龙芯体验流动上，有企业基于龙芯开发的网络存储产品亮相。十几年过来了，龙芯曾经在性能和软件生态上获得了微小的提高，尤其是采纳自主指令集-LoongArch64 龙架构的 3A5000 CPU 诞生以来，生态适配曾经更加成熟，在国产畛域大量利用达到百万片级，成为国产 CPU 领军品牌。 现在国产IT产业曾经和二十二年前龙芯刚刚诞生的时候有了很大的提高，不仅仅是 CPU，在内存、硬盘、操作系统、存储管理软件等方面的倒退也有了质的飞跃，一个全面国产的网络存储产业生态成熟起来了。 优龙是龙众创芯品牌商标，该桌面存储一体机计划实现了 CPU、零碎指令集、内存颗粒、硬盘主控芯片、存储颗粒、操作系统、存储管理软件的全国产配置，产品配置如下： CPU 方面，3A5000 是龙芯第一款采纳自主指令集-LoongArch 龙架构的CPU，4 核，最高主频 2.5G。而个别在支流的桌面 8 盘位 NAS 产品里采纳进口 CPU 个别也多在 4 核 2.2G的程度。故龙芯 3A5000 曾经齐全满足桌面网络存储利用的需要。 （图/龙芯 3A5000） 内存方面，配置了采纳国产长鑫颗粒的嘉合劲威（神可）、力积存储（力存）、紫光等国产品牌产品，企业版计划专门装备带 ECC 的服务器内存型号，可靠性更高。 （图/国产内存采纳长鑫颗粒） 硬盘配置方面，因为国产品牌的固态硬盘厂商皆采纳优质国产存储颗粒，与龙芯进行了欠缺的适配，可靠性更高、供应链更稳固平安。故优龙桌面存储一体机在硬盘方面与百芯微、大唐存储、泽石、神可、芯盛等国产存储品牌厂商单干，默认系统盘和存储盘采纳全固态计划。主控芯片采纳国产主控，存储颗粒采纳长江存储颗粒。 （图/国产硬盘采纳国产主控长江存储颗粒与龙芯适配更好） 尤其是龙众创芯与大唐存储、国科微（芯盛）等平安 SSD 存储厂商单干，为保障网络存储的数据安全，提供了可信启动和数据安全加固性能，无效避免数据近程泄密和人为窃取硬件可能，为用户提供无忧的存储计划抉择。 （图/大唐存储的平安固态硬盘） 机箱外观计划，提供了迷你主机、NAS 主机等计划，有入门型、社区型、门锁型、企业型等不同样式。优龙桌面网络存储一体机与万由、樊隆、登世、优易、拓普龙等厂商单干，提供规范和定制机箱，可满足各类用户的需要。 （图/优龙桌面网络存储一体机各款外观） 操作系统方面，优龙桌面网络存储一体机与龙芯开源社区单干，采纳了 Loongnix 操作系统，与龙蜥社区单干采纳了最新公布的 Anolis OS 8.8，该版本新增 3D5000 CPU 反对、新增 2k0500 BMC 驱动反对、新增虚拟化二进制翻译反对。功能完善，运行稳固，满足用户企业级需要。存储管理软件方面，七朵信息基于 loongnixserver 8.4，可道云基于龙蜥操作系统 Anolis OS 8.8 别离移植和 NAS 零碎和公有云网盘零碎，可为集体、个人，企业提供业余的网络存储应用服务。基于 Anolis OS 的可道云企业公有云存储操作系统 8.8 LoongArch64（优龙定制版） 是一个专门反对龙芯的 Anolis OS 商业发行版，将在龙芯俱乐部社区和龙蜥社区推广。 ...

产品型号：VKD223EB 产品品牌：VINKA/永嘉微电 封装模式：SOT23-6 产品年份：新年份 （C21-183） 深圳永嘉原厂直销，原装现货具备劣势！工程服务，技术支持，让您的生产居安思危！ 概述：VKD223EB具备1个触摸按键，可用来检测内部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具备较高的集成度，仅需极少的内部组件便可实现触摸按键的检测。提供了1路输入性能，可通过IO脚抉择输入电平，输入模式。此触摸芯片具备环境变动自校准性能，低待机电流，宽工作电压等个性，为各种单触摸按键+IO输入的利用提供了一种简略而又无效的实现办法。 特 点：• 工作电压 2.0-5.5V• 待机电流 1.5uA/3V• q：28；85；15；75；26• 工作电流 4.0uA/3V• 电： 13；63；28；14；41；2• 触摸输入响应工夫：工作模式 60mS ，待机模式220mS• 通过AHLB脚抉择输入电平：高电平无效或者低电平无效• 通过TOG脚抉择输入模式：间接输入或者锁存输入• 各触摸通道独自接对地小电容微调灵敏度（0-50pF）• 上电0.5S内为稳固工夫，禁止触摸• 依据环境变动自校准参数• 封装SOT23-6L(3mm x 3mm PP=0.95mm)利用范畴各种消费性产品取代按钮按键 触摸触控IC系列简介如下：规范触控IC-电池供电系列： VKD223EB ---工作电压/电流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感应通道数：1 通信接口最长响应工夫疾速模式60mS，低功耗模式220ms 封装：SOT23-6 VKD223B ---工作电压/电流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感应通道数：1 通信接口最长响应工夫疾速模式60mS，低功耗模式220ms 封装：SOT23-6 VKD233DB ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 通信接口：间接输入，锁存(toggle)输入 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DH ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 通信接口：间接输入，锁存(toggle)输入 无效键最长工夫检测16S VKD233DS ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装）通信接口：间接输入，锁存(toggle)输入 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DR ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/1.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装）通信接口：间接输入，锁存(toggle)输入 低功耗模式电流1.5uA-3V VKD233DG ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感应按键 封装：DFN6（2*2超小封装）通信接口：间接输入，锁存(toggle)输入 低功耗模式电流2.5uA-3V VKD233DQ ---工作电压/电流：2.4V-5.5V/5uA-3V 1感应按键 封装：SOT23-6 接口：间接输入，锁存(toggle)输入 低功耗模式电流5uA-3V ...

产品品牌：永嘉微电/VINKA /产品型号：VKL128 / 封装模式：LQFP44 概述：VKL128 LQFP44是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可反对最大128点（32SEGx4COM）的 LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通 过关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的个性实用于水电气表以及工控仪表 类产品。C21-156 特点：• 工作电压 2.4-5.5V• 内置32 kHz RC振荡器• 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3• COM周期（DUTY）为1/4• 内置显示RAM为32x4位• 帧频80Hz• 掉电模式（通过关显示和关振荡器进入）• 可配置4种功耗模式• I2C通信接口• 显示模式32x4• 3种显示整体闪动频率• 软件配置LCD显示参数• 读写显示数据地址主动加1• VLCD脚提供LCD驱动电压（<(VDD-VLCD)）• 内置上电复位电路(POR)-TEST2接低电平使能• 低功耗、高抗干扰• 封装：LQFP44(10.0mm x 10.0mm PP=0.8mm) LCD/LED控制器及驱动器系列芯片简介如下： RAM映射LCD控制器和驱动器系列： VK1024B  2.4V～5.2V   6seg4com  63   6*2    偏置电压1/2 1/3   S0P16  省电模式 VK1056B  2.4V～5.2V   14seg4com   143  14*2   偏置电压1/2 1/3   SOP24  省电模式 VK1056C  2.4V～5.2V   14seg4com   143  14*2    偏置电压1/2 1/3   SSOP24 省电模式 VK1072B  2.4V～5.2V   18seg4com   183  18*2    偏置电压1/2 1/3   SOP28  省电模式 ...

导语：进入第二季度，MLCC龙头三环团体官宣跌价!风华高科紧随其后。车市价格战蔓延至芯片端，车厂开始砍单芯片，短短半年工夫不到，车用芯片市场从价格飞涨和一片难求的背景，转为砍单与提价促销...更多详情请浏览本月行情资讯报道。 市场行情【MLCC龙头官宣跌价！】 MLCC龙头三环团体4月公布二季度跌价函，示意Q2各月份套单理论交易价格全面上调，所有签约搭档自4月份新提交的套单审批时同步同比例调整并执行。 继三环团体公布跌价函后，风华高科也有跌价信号。一位风华高科高管近期示意“咱们公司次要是采取随行就市的形式，局部MLCC料号在跌价，但不是所有产品都在跌价”。问及具体跌价的状况，上述人士示意，因为目前终端各方面的需要还没有全面复苏，所以在不同的畛域利用、不同的尺寸上，产品价格的跌价状况区别很大。 业界示意，2022年MLCC行业经验了提价、去库存的低谷后，随着车用、工业用MLCC需要回暖，库存去化逐步实现，局部产品价格反弹，2023年MLCC市场无望迎来复苏。 【MCU订单回温，但提价压力仍在】 MCU曾经进入第2季的传统淡季，开始订单回温，但整体状况个别，欧美市场还是太弱了。 同时，MCU市场价格在2023年开年因为终端市场需求不佳、库存仍高，少数MCU业者提价压力犹在。目前就库存水位来看，MCU将去化到第3季的基调曾经确定。至于在价格局部，MCU因为少数为通用型产品，目前提价的压力仍存在，按照不同产品的库存、价格而定。 【车市价格战蔓延至芯片端，车厂开始砍单芯片】 据报道，车市价格战正蔓延至芯片端，因终端需要不振，车用芯片设计厂商将在第2季加码砍单，环比降幅约有10%-20%。被点名调节订单的产品包含PMIC、驱动IC、MOSFET、IGBT。对于上述芯片除了砍单外，也呈现业者要求供货商提价的景象。 在去年生产电子芯片萎靡情况下，因为车市暴发，许多业者将汽车畛域视为避风港，将产能转向车用芯片。但业者示意，短短半年工夫不到，车用芯片市场从价格飞涨和一片难求的背景，转为砍单与提价促销。 但对此，半导体业内人士指出，英飞凌、NXP、ST、TI、瑞萨等国内车用IDM厂订单仍绝对巩固。 【局部功率器件因新能源需求走热】 随着新能源车渗透率的晋升，以及国家新能源产业建设的倒退，局部功率器件取得更多需要。 比方，英飞凌的MOSFET IPD90P04P4L-04、TI的晶体管ULN2803ADWR和安森美的肖特基整流器MBRS340T3G热度增长，价格也有所上涨。 原厂动静TI 目前，TI整体需要显著缩小，价格继续降落，逐步回归常态价位。德州仪器最新财报显示，2023年Q1营收43.79亿美元，较去年同期的49.05亿美元同比降落11%。 通用型号库存短缺，惯例物料现货价格逐步回归至21年下半年左右现货价格，客户放弃继续张望态度，订单量锐减。但MSP为首的MCU仍旧供给缓和，TMS320为首的DSP个别供给缓和。大部分惯例物料预计会在三季度左右回归至2020年的现货价格;缺货暴涨汽车物料个数会越来越少。 另外，TI推出全新Wi-Fi 6配套IC，预计往年四季度量产。 ST ST的整体需要依然不算高，需要次要集中在车规料上，仍旧处于“冰火两重天”的状态。 ST通用型MCU从去年下半年开始曾经开始重回常态价，103、407系列交期缩短至16-24周，原厂有大量到货，局部型号较于1月初提价显著。而局部难以替换的汽车芯片仍旧热门，交期目前52周起步，价格居高不下；即使有高价货流入市场也是被光速清货，如用于车身稳固零碎的L9369、用于安全气囊的L9680等等。 ST把消费类产能转移至汽车类之后，无望在三季度看到交期回春转折。 另外，ST在4月官宣与采埃孚签订碳化硅器件多年供给协定，ST将提供数百万个碳化硅器件给采埃孚，用于新型模块化逆变器架构中。同时，本月ST还公布高集成度32通道超声波发射器——STHVUP32，其输入电流达到±800mA，用于对同轴电缆探头有更高的驱动能力要求的便携式零碎。 Microchip Microchip需要整体较弱，代理端及市场端库存短缺，价格显著回落，逐渐趋于失常价格水平。需要集中在KSZ8999I、PIC32MX795F512、ATXMEGA128系列。 微芯整体交期也在逐渐复原，一些通用料的交期预计30周左右，预计在2023年下半年无望复原至18周左右。但热门的ATMEL的8、16位MCU产能排期较无规律，如局部ATXMEGAx交期继续52周，热门料号的周期在往年复原至常态还比拟艰难。 NXP 目前NXP品牌大部分物料交期已回归失常，但汽车和工业用芯片的需要仍具“韧性”。 汽车MCU系列FSx、MCFx交期仍旧缓和52周起步；Freescale的MK系列交期维持45-50周，较于2022年有所缓解；16位MCU中S9x系列供给缓和，现货价格在十分高位。 32位MCU之中，除老飞思卡尔的MK系列，其余系列像LPC系列等交期都失去了一些改善。恩智浦示意正在思考在得克萨斯州进行产能扩张。 S32K产品线将代替MC系列的驱动芯片，所以往年MC系列的缺口将会变大，对应的芯片交期仍是52周起步。音讯称NXP原厂及代理商已同大客户签定保供协定，并通过扩充产能以及产线优化，保供车企以及工控类客户，供货状况将会在2023年二季度失去大部分缓解。 英飞凌 近期消费类和工业类客户需要低迷，库存水位较高，随着太阳能逆变器和新能源汽车对IGBT的用量晋升，半导体产业结构的调整，近期英飞凌IGBT相当炽热，交货期在39-50周。 高端汽车MCU(以SAK结尾)因无奈替换始终比拟紧俏，如SAK-TC277TP-64F200N、SAK-TC222S-16F133F AC较常态价均是高价。2023年车用产品产能曾经全副预约，英飞凌产品的交货期广泛偏长，包含IPW和IPD系列，在现货市场上较为紧缺。 另外，英飞凌推出首款车用LPDDR闪存芯片——Infineon SEMPER X1，以满足下一代汽车E/E架构的新需要，预计将于2024年上市。 美光 近日有经销商走漏，日前正式接获美光告诉，从5月起DRAM及NAND Flash将不承受低于现阶段行情的询价，意味着美光将不再跟进涨价的要求。 美光对此示意不予置评。 另外，美光正在削减新工厂和设施的估算，目前预计2023财年的收入为70亿美元至75亿美元，低于此前高达120亿美元的指标。该公司还在加快引进更先进制作技术的速度。 安森美 目前，安森美大部分型号市场价格有所降落，但车规市场需求仍处于增长趋势，图像传感器、MOSEFT和晶体管依然有很大的短缺，目前交期都在50周以上。 MBRS系列现货市场价格继续上涨，热门型号有MBR0520LT1G、MMBT3906LT1G等。 瑞萨 瑞萨缺货次要在个别较冷门型号，以R5Fxx/ISLxx等系列居多。服务器以及消费类客户群体需要低迷，客户不再急于找现货，能够等3-4周甚至12周或更长时间。 瑞萨惯例物料排单已恢复正常，大部分交期回到16-24周，交期恶化促使原厂和代理商库存水位一直回升，同时继续到货让代理和工厂倍感压力，很多工厂为回笼资金陆续抛售库存。 另外，瑞萨4月公布首颗22纳米MCU样片，可能在更小的裸片面积上实现雷同的性能，从而实现了外设和存储的更高集成度，新产品预计第四季度全面上市。 行业风向 【三星将增产NAND闪存产能5%，西安厂为重点】 据韩媒报道，三星将在第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比降落了5.34%。 特地是在第二季度，三星在西安半导体工厂将大幅增产。就西安一厂而言，预计将增产至每月11万片，比去年第四季度的每月12.5万片缩小12%。西安二厂预计将生产13.5万片，比之前的14.5万片缩小了约7%。业界察看人士认为，三星抉择砍掉局部NAND产能，因为以后内存市场局势惨淡。 【台积电28nm设施订单全副勾销！】 4月音讯，因为需要变动，台积电28nm设施订单全副勾销！ 对于这一音讯，台积电方面示意，相干制程技术与时间表依客户需要及市场动向而定，目前正处法说会前沉默期，不便多做评论，将于法说会阐明。 目前28nm工艺代工市场一共就72亿美元左右，台积电一家就拿走了其中3/4的份额。如果音讯属实，台积电面临客户的砍单状况将会比预期的还要重大。 【博世拟15亿收买芯片制造商TSI】 4月26日，博世发表将收买美国芯片制造商TSI半导体公司，以扩充其碳化硅芯片(SiC)的半导体业务。TSI是专用集成电路(ASIC)的代工厂，次要开发和生产200毫米硅晶圆上的大量芯片，用于挪动、电信、能源和生命科学行业的利用。这项收买包含在将来几年投资15亿美元，以降级TSI半导体在加州Roseville的生产设施。从2026年开始，第一批芯片将在基于碳化硅的200毫米晶圆上生产。 【欧盟就430亿欧元芯业补贴达成统一】 据路透社报道，欧盟曾经批准一项总值430亿欧元的打算，以晋升其半导体产业的竞争力，试图赶上美国和亚洲的程度。 这项打算被称为《欧洲芯片法案》，旨在减少欧盟在寰球芯片产出中的份额，从目前的10%进步到2030年的20%，这项打算是在美国发表了其芯片法案之后出台的。欧盟委员会最后只提议赞助最先进的芯片工厂，但欧盟各国和议会曾经将范畴扩充到笼罩整个价值链，包含较老的芯片和钻研设计设施。 【ASML第一季度营收67亿欧元，新增订单大幅下滑】 ASML最新财报显示，2023年Q1，ASML共售出100台光刻机，其中全新光刻机96台，二手光刻机4台;净销售额67亿欧元，净利润20亿欧元。 该季度ASML新增订单金额为37.5亿欧元，较上季度大幅下滑约40%。中国市场销售收入占比为8%，环比小幅下滑。ASML首席财务官Roger Dassen解释称，来自中国的订单仍占其未交付订单中超过20%的比例，这意味着随后的几个季度里，来自中国市场的营收将大幅增长。 ...

日前，英国品牌估值征询公司“品牌金融”(Brand Finance)公布最新“寰球半导体品牌价值20强(Brand Finance Semiconductor 20 2023)”报告。报告显示，在最强品牌排名中，台积电位列第一。 Brand Finance通过计算品牌价值，以及透过市场环境、股东权益、商业体现等诸多指标，评估品牌的绝对强度。最终，台积电以品牌分数78.9分的最高分，成为半导体产业最强的品牌，取得AA+评级。 台积电有多强？ 2022年寰球市值十大的公司中，美国占了八家，因外两家别离是沙特阿拉伯国家石油公司和台积电。 台积电公司目前属于世界级一流程度的业余半导体制作公司，成立于1987年，是过后寰球的第一家业余积体电路(集成电路/芯片)制作与服务兼硅晶圆片代工的大型跨国企业。 台积电占据了寰球芯片代工市场过半的份额。2022年，台积电全年营业支出2.264万亿元新台币，同比增长42.6%，净利润为1.017万亿新台币，是台湾最能赚钱的企业。 能够说，台积电在台湾的位置，是妥妥的经济擎天柱。 台积电芯片制程技术遥遥领先其余对手，尤其是先进芯片设计，简直都是交给台积电来做晶圆代工。你用的手机或电脑或新能源汽车，可能都是用台积电生产的晶片。包含很多国家的战斗机、飞弹也都会应用到台积电的晶片。 搜寻“华秋商城”理解更多元器件信息！

文/尚旭春 Intel Sapphire Rapids(简称SPR)即第四代至强可扩大处理器，是 Intel 承前启后的一代产品。新引入加强指令、硬件加速器、 AMX 矩阵计算、SGX 秘密计算、Scalable IOV、PCIe 5.0、CXL1.1 协定，涵盖了计算、平安、I/O 及虚拟化方面的泛滥技术升级和加强。 龙蜥社区对 Intel 平台的反对始终当先于业界，紧随 Intel 研发节奏，基于 Intel Arch SIG 第一工夫实现对 SPR 产品全面的反对，助力龙蜥用户以开箱即用的形式，享受新技术个性，整体反对状况如下图： 以上个性均在龙蜥社区失去全面反对： 加速器层面，Anolis 5.10 内核曾经反对DSA、IAA，配合龙蜥社区提供的 accel-config 用户态工具，用户能够对这两个加速器进行疾速配置并使能。对于 QAT 和 DLB ，其驱动曾经以 OOT 的模式公布于龙蜥社区，用户只需下载安装对应的 rpm 包即可享受新硬件加速带来的性能晋升。 平安层面，龙蜥社区曾经集成 SGX 的 SDK/PSW/DCAP 软件栈，并以 rpm 包模式公布，用户能够通过 Anolis 零碎便捷部署本人的秘密计算计划。 虚拟化层面，Anolis 内核率先反对 SIOV 个性，用户不论是应用 SPR 平台自带的硬件加速器，还是反对 SIOV 的第三方硬件，抑或是 DWQ/SWQ 的部署模式，都能够无感应用，真正做到了 One for All 。 以下以对 AMX 指令的反对为例，介绍一下基于 Anolis 内核构建业务计划所带来的微小性能晋升： Anolis 通过反对 AMX 指令并对其进行深层次的优化，搭建如图所示基于 Anolis 内核的深度学习计划，实测表明： ...

近日，成都北中网芯科技有限公司（以下简称“北中网芯”）签订了CLA（Contributor License Agreement，贡献者许可协定），正式退出龙蜥社区（OpenAnolis）。 作为业余的智能网络数据处理芯片及零碎解决方案提供商，北中网芯专一于网络通信与平安畛域芯片的设计开发，外围团队来自于业内知名企业，外围人员具备 20+ 年通信行业工作教训，已经胜利开发和量产多款网络处理器芯片与平安芯片。 汇聚芯火，点亮时代之光，北中网芯砥砺深耕，获得了多项关键技术的冲破，推出了 NE6000 DPU 芯片等一系列的技术研发成绩，体现了中国网络通信与平安畛域的领先水平。 北中网芯示意：“北中网芯鲭鲨 NE 系列 DPU 网络数据处理芯片兼具高性能，灵便可编程、可扩大低功耗的特点，其设计开发的外围模块、指令集、编译器，可适应繁冗多样的客户需要及业务场景，以及实现多样化的产品状态，作为云计算数据中心下一代基础设施核心部件，将与龙蜥操作系统进行适配，将来也将踊跃与龙蜥社区单干，独特构建生态体系，促成 5G、人工智能、大数据等产业的继续倒退。” 龙蜥社区理事顾剑示意：“北中网芯面向信息化建设需要打造的 DPU 芯片已和多行业客户进行单干、提供算力反对。北中网芯的退出将助力龙蜥生态倒退，加强社区在芯片畛域的创新力与竞争力。” 截至目前，已有 300+ 家企业签订 CLA 协定退出龙蜥社区，包含平安厂商格尔软件、海泰方圆，数据库厂商南大通用、巨杉数据库，中间件厂商西方通、中创中间件、宝兰德等，欢送更多企业退出。 龙腾打算 2.0 可参看：首批招募 50 家！「龙腾社区生态倒退打算」正式公布 —— 完 ——

2023年2月28日，龙智联结寰球当先的数字资产治理和DevSecOps工具厂商Perforce独特举办Perforce on Tour网络研讨会——“赋能‘大’研发，助力‘快’交付”。 研讨会上，在芯片行业有15年教训的Perforce Helix Core深度用户——何刚了带来精彩演讲，从芯片开发的需要和痛点登程，分享如何利用Perforce Helix Core来实现快构建，快迭代，高合作，大文件的版本治理，如何实现芯片我的项目的继续集成和自动化，并使用实例让大家具体理解如何在芯片的研发中落地Helix Core版本控制。 何刚现任上海星思半导体芯片开发部部长，他从事芯片开发工作已15年余，曾负责十几颗大型简单芯片的开发骨干，如华为晚期无线基站芯片SD6xxx，投影仪芯片PA168，AMD锐龙R9系列dGPU显卡芯片和主动驾驶芯片A1000等。何刚从业以来所有参加芯片，包含近期负责的5G基带芯片，均一版胜利。 在线研讨会“赋能‘大’研发，助力‘快’交付”内容回顾 《芯片研发中的IP资产治理》演讲嘉宾：何刚，上海星思半导体芯片开发部部长大家好，我是上海星思半导体芯片开发部的部长，何刚。非常感谢龙智的邀请，让我有机会与大家分享Perforce (Helix Core) 的应用体验。明天，我将从芯片开发的IP资产治理角度来分享Perforce应用体验。 芯片我的项目开发需要和痛点我简略地总结出以下八大需要和痛点： 首先，须要稳固、牢靠的版本治理来进步工作效率，没有版本治理的芯片开发就是一团乱麻。 其次，须要粗疏的权限治理来满足安全性。因为芯片开发过程波及到很多团队配合，所以不同团队的权限治理须要不同的配置，保障公司信息安全。 而后须要进行代码的分级管理，继续集成。芯片开发过程中，在设计的时候是Top down，然而开发的时候是Bottom up。Bottom up实际上是先从小模块到大模块，到IP再到磁吸层最初到芯片的过程，这个过程也要分级管理，也就是继续集成，CI/CD。 再而后是常常须要拉各种分支进行某种个性开发，要保障主分支的稳定性，拉一些开发分支进行个性的开发。个性开发比拟多，所以开发分支也会比拟多。 接下来是常常须要做多分支同时merge到主分支，开发分支被拉出去后，相当于将它开展，还是须要发出来的。 有时还须要做大文件和大数据量治理。后方开发在开发代码的过程中不会波及到大文件和大数据量，然而因为芯片开发有综合和后端，这就会生成大文件，最好能做版本治理，但其余工具没有这个能力。一些公司应用SVN或Git，但因为它们不是用文件夹来进行治理，所以会造成信息的损失，文件和原版的对齐可能呈现谬误。 个别都可能须要跨地区、多团队合作，芯片开发动辄几十人，甚至成千盈百人，特地大的公司上万人，必定波及跨地区、多团队合作。 因为用户较多、应用形式较杂，须要用户接口敌对，升高应用老本。否则难以操作会减少应用过程的困难性，进而导致成本增加。 明天次要从四个方面说起。首先是回顾Perforce的劣势，第二是芯片的我的项目版本治理，第三是芯片我的项目继续集成和自动化，也就是CI/CD。芯片行业的CI/CD可能没有传统软件畛域的CI/CD那么好、那么彻底。然而芯片我的项目如果引入了CI/CD将会带来十分大的效率和品质晋升。最初给大家介绍芯片行业利用实例。 Perforce的劣势中题目部署保护简略，我置信应用过Perforce的人应该有很深的感触，它的部署和保护是很快、很简略的。用户界面十分敌对，还有弱小且成熟的图形化GUI界面，对我来说非常便当。 Perforce对大文件大数据量的反对很优良，这一点也是引人注目的。团队的协同工作在应用Perforce后更便当、更高效了。Perforce的权限治理非常灵活不便，SVN曾经很不便了，但与Perforce相比还是略逊一筹。最初，我会简略地比拟一些版本管理工具。 Perforce部署保护相当简略，大概500人的团队只需一位管理员来进行部署和保护。备份也特地不便。应用过程中无需放心Perforce自身的问题，因为Perforce曾经是业界公认的应用无问题的软件。 Perforce用户界面是多方面敌对的，经典集中式治理对于以前应用CVS、SVN、ClearCase的用户来说易于上手。GUI界面工具P4V可能和命令行工具联合应用。图形界面能够不便地浏览文件版本的演进历史，分支构造和目录构造高深莫测。命令行工具能够更不便的实现脚本化。 Perforce对大文件大数据量的反对次要体现在大于10G的文件，只有Perforce能进行治理，其余工具无奈接受。Perforce多线程技术能够充沛应用网络带宽和本地磁盘的速度，给上传下载带来高速的体验与感触。它无需存储本地管制信息，也能大幅晋升上传下载文件的速度。Perforce能够按需下载文件，当要获取某一个须要的文件时，不须要获取整个仓库。 团队协同工作便当高效是因为Perforce的集中式治理能够晚期发现抵触，加重在前期合并时的工作量。您能够带锁check out，防止check out文件被别人批改。跨地区寰球部署，各地的开发人员在本地服务器上工作，本地提交后寰球站点都可应用。 Perforce的权限治理非常灵活不便，能够细化到文件级别，SVN等只能针对文件夹做治理，不能对文件进行治理。除了管理员管理权限以外，您还能够委托给各个分部门进行权限治理。无需将所有的权限治理都给权限管理员。公司级能够由管理员治理，部门级设置管理员反对部门外部的、更精密的权限治理。权限治理也能够细化到文件级，管理员能够委托部门管理员进行治理，缩小业务部门等待时间。 芯片行业晚期也应用CVS、ClearCase等工具，但CVS只针对文件进行治理，无奈对文件夹进行排名。ClearCase咱们以前用来治理文档、代码，当初比拟少见。目前来说SVN、Perforce和Git是支流。 SVN和Git都有各自的劣势，也有各自的缺点。SVN有很强的权限治理，然而分支和merge能力很弱。所以在应用SVN开发芯片时，是没方法拉分支的。如果拉了分支前面的merge会很好受。 Git的分支能力还能够，但它的权限治理十分弱，只能对整个库进行权限治理，简直没方法对子目录、子文件夹进行权限治理。 他们各自的长处Perforce都有，但他们的毛病在Perforce里都解决了。Perforce有很强的权限治理，同时有很强的分支能力。他的分支能力能够说是非常灵活自若，并且有规定。 比方主分支、公布分支、开发分支、测试分支，这些根本的分支创立后，开发过程中就能十分自若拉分支、进行合并。 Perforce能够进行文档治理。文档有时也要分不同的架构进行不同部门的权限配置。SVN、Git、ClearCase其实都能够治理文档，Perforce当然也没问题。Perforce对整个开发过程中须要版本治理的文件进行版本管控。 方才回顾Perforce的长处，咱们目前简直没有发现他的毛病，欢送大家来挑刺。 芯片我的项目版本治理Perforce领有弱小的芯片我的项目版本治理能力。它有经典的Local类型分支治理性能，Stream类型分支治理性能。接下来会讲到Stream Graph示例，Changelist与Revision的概念，以及动态标签、主动标签，最初是便捷的CI/CD。 Perforce经典的Local类型分支治理性能中，我的项目组装是对各模块的援用，而不是拷贝。在工作区中组装SOC时，通过View Mapping即可实现。便捷的Branch Mapping性能可能不便地保护分支间的对应关系。这一块曾经被应用多年。 Perforce还有Stream类型分支治理性能，它标准了每个分支的目录深度，防止分支档次凌乱。在目录深度方面，Stream是间接定义好的。标准每个分支的类型和父子分支之间合并行为，就是主分支、公布分支和开发分支这几个类型之间的合并行为。将SOC组装从工作区定义晋升到Stream定义，Stream曾经把SOC组装定义好，用户可间接应用Stream定义来实现SOC组装。同一工作区可自在切换Stream分支，缩小磁盘空间占用。比方您的工作区原先在主分支上，当初想切换到某个公布分支，在同一个工作区内能够自在切换，这样您就能够在不同的分支上进行流动，无需再下载一个工作区。可视化的Stream Graph分支治理视图，看起来十分便当。 这是Stream Graph的一个示例，有主分支、公布分支、开发分支。一般来说，一个IP或一个模块就会有一个这样的Stream体系。每个模块可能含有其它模块的公布分支，同时也会有本人的新开发内容。 Changelist与Revision的概念是，Revision是针对文件有数字累加的版本，Changelist是整个库的Changelist。然而针对单个文件，它既有Revision号，同时也有Changelist号。 芯片我的项目版本治理的动态标签方面，您能够取得任何一个文件的版本号，做成动态标签，用户能够应用动态标签对版本进行check out。 Auto Label可间接应用Changelist作为智能标签。 芯片我的项目继续集成和自动化芯片我的项目的继续集成和自动化其实借鉴了软件行业多年的实践经验。 芯片开发的整个Fullchip中有很多子系统，例如5GNR、ISP、AI/NPU、PCIe、CPU、GPU、LPDDR5、USB，每个子系统中又蕴含多个IP，每个IP又集成了多个模块。在开发过程中，这些模块先进行开发，而后公布给IP。IP开发到肯定成熟度时，公布给子系统，子系统再公布给Chip。这个过程有点像流水线，从模块流到IP，IP流到子系统等等。 这样的流过程如何实现？您须要对每个模块进行版本公布，其实就应用了它的公布分支，它自身在也还在开发过程中，当然有些第三方IP例如PCIe，底下的一级代码是成熟的，然而自研模块必须边开发边往上一级进行版本公布。 每个模块都有本人的主分支、开发分支和公布分支。在IP这一层也有本人的三个分支，有公布分支、主分支，它的开发分支指IP的顶层。 这些分支，例如若干个模块的公布分支被IP拿到后，就是在模块进行开发时，公布分支能够人为公布，也能够自动化公布。当然，自动化公布要基于一些规定。比方一些新的个性曾经开发成熟，或是最简略的，一些典型的case曾经pass，这是就能够用工具自动化公布，当然手动公布也能够。 ...

编者按：在开源新基建放慢建设的背景下，越来越多的企业抉择退出龙蜥社区，以后社区生态合作伙伴已冲破 300 家。于是，龙蜥社区能为退出的企业提供哪些反对成为越多搭档们更加关注的话题。本文将以龙蜥社区和龙芯中科联结研发龙蜥 LoongArch 架构零碎为例，为大家进行具体介绍龙腾打算 2.0 的技术单干新范式。 双龙组合 打造中国操作系统外围能力龙芯中科成立于 2001 年，全面把握 CPU 指令系统、处理器IP核、操作系统等计算机核心技术。2021 年 4 月 30 日，龙芯中科正式公布了龙芯架构指令集手册 V1.00，推出 LoongArch 指令集。一种指令系统承载了一个软件生态，龙芯中科为打造 WIntel 体系和 AA 体系之后的第三套生态体系，踊跃推动 LoongArch 生态建设方面的工作。LoongArch 生态建设在内核、编译器工具链、解释器等诸多国内上游开源社区停顿迅速，正在成为与 X86、ARM 并列的顶层生态系统；龙芯也十分重视国内开源社区的单干，因而联结龙蜥社区研发龙蜥 LoongArch 架构零碎。 在龙蜥社区的建设工作中，龙芯中科作为社区理事单位，不仅积极参与社区版本技术布局，成立 LoongArch SIG （Special Interest Group 特地兴趣小组），助力龙芯软件生态建设；同时也积极参与社区的相干治理和推广，独特推动龙蜥社区生态可继续倒退。 万众一心 克服 0 到 1 的初期艰难龙芯指令系统（LoongArch®）是龙芯中科基于二十年的 CPU 研制和生态建设积攒推出的新指令集，具备较好的自主性、先进性与兼容性的新平台，包含基础架构局部和向量指令、虚拟化、二进制翻译等扩大局部，近 2000 条指令。龙蜥 LoongArch 架构零碎是龙蜥社区启动的第三个分支版本，也是社区发行版的重要分支。但在社区初始启动 LoongArch 架构零碎研发之时，面临很多艰难，比方工夫紧、技术人员短缺、龙芯 LoongArch 架构由 0 到 1 的适配、龙芯企业外部保护的系统软件版本与龙蜥社区版零碎次要软件版本的取齐等问题。 面对重重困难，社区和龙芯都极为器重，为推动龙芯版本的工作，社区成立 LoongArch SIG 工作组。同时，来自龙芯中科、统信软件、中科方德、万里红、阿里云、红旗软件的社区开发者对小组建设和将来布局做了粗疏和深刻的探讨，统一决定持续逐渐建设和丰盛多维度、多生态的 LoongArch SIG 小组，如编译器、内核、图形、多媒体、虚拟机、二进制翻译、NET 等各个细分畛域。 单干新范式 LoongArch SIG 组成果斐然通过缓和有序的工作，龙芯先后实现社区 LoongArch 构建零碎的部署，内核、工具链、外围零碎库、Java 语言虚拟机等外围模块的适配与研发。在 LoongArch SIG 组的推动下，不到 1 年工夫里，先后实现了 Anolis OS 8.4 LoongArch 预览版、正式版的公布。对于 LoongArch 版本的龙蜥操作系统，用户在应用后，示意出极大的认可。欢送宽广用户可能踊跃反馈应用中遇到的问题，LoongArch SIG 组的同学都会在后续的版本中认真改良。 ...

GM8775C 型DSI 转双通道 LVDS 发送器产品次要实现将MIPI DSI 转单/双通道 LVDS 性能，MIPI 反对 1/2/3/4 通道可选，最大反对 4Gbps 速率。LVDS 时钟频率最高154MHz，最大反对视频格式为 FULL HD（1920 x 1200）。 2.产品特色; I/0 电源电压：1.8V /3.3V；core 电源电压：1.8V；反对 MIPI® D-PHY 1.00.00 和 MIPI® DSI 1.02.00。MIPI 反对 1/2/3/4 通道可选的传输方式，最高速率1Gbps/通道。MIPI 接管 18bpp RGB666 、24bpp RGB888 、16bpp RGB565 的打包格局。MIPI 反对 LPDT 传输（Low-Power Data Transmission）和反向 LPDT 传输。LVDS 的时钟范畴为 25MHz 到 154MHz。LVDS 输入反对单/双通道模式。抉择双通道模式时，可配置输入为 18/24bit，JEIDA/VESA 模式；抉择单通道时，每通道可同时输入，且可独自配置输入模式 (18/24bit，JEIDA/VESA 模式）。LVDS 的输入数据通道可灵便调整程序以不便PCB 布线。可抉择采纳 MIPI 时钟或内部参考时钟做 LVDS 输入的参考频率，且反对主动 校准性能。反对 MIPI commandmode 配置和内部 I2C配置两种芯片配置形式；GPO能够输入PWM信号，管制屏幕背光。封 装 : QFN48-pins with e-pad.工作温度：-40℃~85℃；ESD 能力：≥2KV。CapStone最近新推出的CS5518是一个MIPI DSI输出，LVDS输入转换芯片。可齐全代替GM8775C。 ...

编者按：在刚刚完结的 PyCon China 2022 大会上，龙蜥社区开发者朱宏林分享了主题为《ARM 芯片的 Python+AI 算力优化》的技术演讲。本次演讲，作者将向大家介绍他们在倚天 710 ARM 芯片上发展的 Python+AI 优化工作，以及在 ARM 云平台上部署 Python+AI 工作的最佳实际。 以下为本次演讲内容： （图/朱宏林现场演讲） 咱们的场景是 ARM 平台的和 AI 相干的工作，次要的指标是进行性能优化，具体来说咱们首先关注的是深度学习推理工作（inference task），次要起因也是来自于业务需要。 这里说的 ARM 平台不是咱们了解的终端设备，比方手机之类的，而是指服务端平台。在大家印象中，AI 工作，特地是深度学习的程序个别是跑在 GPU 或者 x86 的 CPU 上，出于功耗、老本、性能等因素的思考，云厂商逐渐开始建设 ARM 架构的服务平台，这是一个趋势。当然 ARM 平台还不是很成熟，许多软件还无奈胜利跑起来，更不要说晋升性能了。 咱们想要吸引一部分用户将AI利用从原先的 x86 平台上迁徙到 ARM 平台上。这就要求 ARM 平台能提供更好的性能，或者更好的性价比。所以说如何整合 Python+AI 的相干软件使其施展最好的性能成为了咱们关注的重点。 下文的分享整体分为两局部，一部分是介绍咱们进行的优化工作，次要是跟矩阵乘法相干的优化，第二局部是对于 Python AI 利用在 ARM 云平台-倚天 710 上的最佳实际。 一、优化工作介绍 后面说咱们的优化是和矩阵乘法相干的，那首先须要阐明为什么咱们会关注到这个。 这里有一个绕不开的场景就是深度学习，不论是前几年出名的 AlphaGo，还是以后炽热的 ChatGPT，都用到了大量深度学习的技术，深度学习自身只是AI的一个分支，但却影响宽泛，不容忽视。所以咱们从深度学习开始切入，从以后最宽泛应用的深度学习框架，TensorFlow 和 PyTorch 开始。此外，咱们还须要联合硬件场景，即后面说到的 ARM 服务端平台，对于阿里云来说就是联合倚天 710 芯片。 ...

关注新能源车的敌人应该都知“IGBT”这个词，如果你去4S店买新能源车在谈到提车工夫时，销售可能都会说因为芯片产能的有余，缺“芯片”导致整车的交付工夫加长。这个“缺芯片”中也蕴含新能源汽车上必不可少IGBT。 受害于新能源汽车、新能源发电等需要推动，实际上，局部IDM厂在年中即公开表态，订单一路接满至2023年，虽难排除有局部客户可能是超额下单(overbooking)。IGBT是新能源汽车中的外围元器件，目前寰球供给次要仍集中在国内整合元件厂(IDM)。机构认为，受害于国内新能源车的高速倒退，新能源车IGBT在2020年已成为中国IGBT第一大应用领域，占比约30%。 明天次要从技术的角度，具体来聊聊IGBT吧。 相比于传统汽车，新能源汽车的生产须要用到的芯片可达到500-800个，有的甚至超过1000个不同类型的芯片。这远远超过了传统的燃油车。汽车的芯片品种次要包含主控芯MCU、存储芯片、传感器类器件、IGBT功率类芯片、其次是信号链类的通信芯片。 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor） ，能够等效看做是MOS管和三极管的结合体。 图片起源：华秋商城 回顾三极管和MOS的工作原理&特点：01 先来理解下三极管:三极管属于电流管制型，通过在基极施加一个很小的电流，能够在集电极和发射极之间取得更大的电流通过。在电路中利用的最多的放大作用和开关作用。 图片起源：华秋商城 如上图所示，PNP三极管Q1在电路中属于开关作用，当开关KEY1按下时Q1的基极与电源GND导通，电流此时从Q1的集电极流向发射极，LED1被点亮。图中Q1是一个一般的三极管，Ice仅仅只有几百mA。驱动一个发光二极管是入不敷出的。 在一些须要大电流的驱动场景就须要一个叫GTR（Giant Transistor）的三极管，GTR 是三极管的一种，属于巨型晶体管，因为可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。GTR也是属于电流驱动型器件，导通后集电极和发射极之间的导通电阻十分小，载流密度十分大，能够做到很高的通路电流。然而在大功率利用场景下时须要耗费较高的驱动电流，此时就要寻求新的突破点。 02 MOS管如何呢？MOS管，又称为绝缘栅场效应管，留神几个词“绝缘”、“场效应”。这将是MOS与三极管最大的不同之处。 图片起源：华秋商城 MOS管从构造上次要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具备很高的输入阻抗。这就是其名称中 “绝缘” 一词的由来。 因为绝缘层的存在，在栅极与源极之间加电压后，是通过电场的作用下吸引载流子造成导电沟道，所以工作原理能够了解为它是利用VGS来管制“感应电荷”的多少，以扭转由这些“感应电荷”造成的导电沟道的情况，而后达到管制漏极电流的目标。所以这就是其名称中 “场效应” 的起源。 在一些高电压驱动场景中，须要高耐压的MOS，这样就要从结构上做调整，内部结构就要做的很厚，同时带来的新的问题就是导致导通电阻增大。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各局部电阻比例散布也不同。 比方耐压30V的MOS管，其内涵层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的内涵层电阻则是总导通电阻的96.5%。想要取得高阻断电压，就必须采纳高电阻率的内涵层，并且厚度减少。这就是高耐压MOS的导通电阻高的起因。 03 总结三极管和MOS管的优缺点：三极管（特指GTR巨型晶体管） 长处：载流子多，导通电阻小；毛病：电流管制形式，耗费较大的驱动电流；MOS（特指低压MOS） 长处：输入阻抗大，简直不耗费驱动电流。毛病：导通电阻大。那么在一些低压大电流的驱动场景应该如何抉择呢？对于合格高效的电路来讲，以上MOS管和三极管的任何一个的毛病都是不被容许的存在的，会大大影响电路的工作效率，同时会产生比拟难克服的热量，影响整个产品的寿命。 IGBT的诞生IGBT诞生了，如后面所讲，IGBT是由MOS管和三极管联合组成的，既然要联合，那么必定要继承两者的低劣基因。所以IGBT相较于三极管和MOS管的特点就是高耐压、大通路电流、低导通阻抗、不耗费驱动电流，非常适合大功率驱动场景。 如下图是IGBT结构示意图，相当于在MOS管的根底上再叠加一个三极管。通过PNP和NPN的组合形成了PNPN的排列，这样同时就实现如其名字的特点，“绝缘栅”和“双极性”。 图片起源：华秋商城 如下图所示，从它的等效电路图来看，当在栅极加正向电压后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极造成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压勾销或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT就实现了MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通电阻个性，能够当做开关利用在大功率的驱动电路中。 图片起源：华秋商城 IGBT的利用IGBT是能源变换与传输的外围器件，也被称为电力电子装置的“CPU”，次要利用在航空航天、轨道交通、智能电网、、电动汽车与新能源配备等畛域。 如下是仙童半导体的FGH60N60SMD规格参数,次要利用在太阳能逆变器UPS，焊机等畛域，能够看到耐压能够达到600V，Ice在常温下能够达到120A。 图片起源：华秋商城 新能源汽车为什么会用到IGBT呢？新能源汽车是通过电池驱动电机来给汽车提供能源输入的，所以存在交换市电给汽车电池充电和电池放电来驱动电机使汽车行驶的场景。这两个过程都是须要通过应用IGBT设计的电路来实现。 01 利用在充电桩220V交换市电给电池充电时，须要通过IGBT设计的电源转换电路将交流电转变成直流电给电池充电，同时要把220V电压转换成适当的电压以上能力给电池组充电。 比方特斯拉的快充为高功率直流电充电，充电功率个别可达40kW以上，把电网的交流电转化成直流电，输送到汽车的快充口，电能间接进入电池充电。 02 利用在电机驱动新能源汽车应用的是三相异步交换电机，电池的直流电是不能间接驱动电机转动的，电池放电驱动电机的时候，通过IGBT组成的电路，把直流电转变成交换电机应用的交流电，同时起到对交换电机的变频和变压的管制。 如下是直流电源利用IGBT的开关作用来驱动电机转动的简略示意图，控制器负责输入管制IGBT1~6的开启和敞开的信号，从而将电池的直流电转换为可驱动三相异步交换电机转动的交流电。 03 利用在车载空调新能源汽车车载空调的工作原理与电动驱动雷同，即通过逆变器将电池的直流电转换成交流电后，驱动空调压缩机电机进行工作。 04 逆变器有些新能源车还装备了向外输入220V/50Hz交换的接口，这个过程是将电池的直流电通过逆变电路转换为交流电，这个过程中IGBT同样是不可或缺的器件。 结语IGBT是功率半导体器件，能够说是电动车的的核心技术之一，IGBT的好坏间接影响电动车功率的开释速度。特斯拉Model X应用132个IGBT管，其中后电机为96个，前电机为36个IGBT约占电机驱动零碎老本的一半，IGBT是除电池之外老本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。

11 月 28 日下午，由中国半导体行业协会、教育部高等学校电子信息类业余教学领导委员会独特领导，机械工业出版社主办的“2022 年半导体技术倒退与人才培养翻新论坛暨《半导体简史》新书发布会”于线上顺利召开。 中国半导体行业协会副秘书长刘源超，机械工业信息研究院党委书记、机械工业出版社总编辑郭锐，中国科学院半导体研究所研究员姬扬，北京航空航天大学研究生院常务副院长赵巍胜，电子科技大学教授周琦，《半导体简史》作者王齐独特参加了此次会议。本次线上研讨会共 52295 人次在线观看。 中国半导体行业协会副秘书长 刘源超致辞 机械工业信息研究院党委书记机械工业出版社总编辑 郭锐致辞 中国半导体行业协会副秘书长刘源超和机械工业信息研究院党委书记郭锐别离代表会议的领导单位和主办方致辞。刘源超示意，以后半导体产业以其弱小的创新性、交融性、带动性和渗透性，曾经成为经济和社会倒退的外围驱动力，成为世界经济倒退的重要支柱。受害于生产电子、碳中和等因素，半导体产业作为数字经济的底部撑持，在寰球经济蒙受重击的环境下仍放弃了快速增长。中国半导体行业协会自 1990 年成立 30 多年以来，始终增强本身建设，晋升服务能力和程度，当好企业与政府、国内与国外产业沟通的桥梁与纽带，为行业倒退营造良好的外部环境。同时，他对机械工业出版社多年来坚守初心、敢于担当的作为以及多年来出版的泛滥有重大社会影响力的科技图书示意了充分肯定，并对机械工业出版社最新策动出版的重磅图书《半导体简史》的出版表示祝贺。郭锐指出，半导体产业作为数字时代的底层撑持，曾经成为影响古代经济社会倒退和保障国家信息安全的重要畛域。促成半导体产业高质量倒退、加强自主创新能力火烧眉毛。机械工业出版社成立于 1952 年，作为新中国成立后的第一家科技出版社，机工社已走过70年倒退历程，多年来机工社立足科技领域，始终致力于推动行业技术提高与科技知识流传。面对我国半导体产业倒退瓶颈的问题，机工社踊跃联结多方资源，独特发动了此次会议，心愿通过此次会议深度聚合优质资源，为我国晋升芯片半导体产业策略自主性奉献本身的力量。 产学研界的五位专家围绕半导体技术翻新、产业倒退及人才培养做了精彩的宗旨报告。内容别离为：中国半导体行业协会副秘书长刘源超做题为“寰球半导体产业的现状和发展趋势”的报告，在报告中从多维度剖析了半导体产业的现状，以及我国半导体产业以后的竞争态势和倒退时机；中国科学院半导体研究所研究员、中国物理学会半导体物理业余委员会秘书长姬扬做了题为“半导体物理的根底钻研和学科倒退”的报告，姬扬从 20 世纪的物理学反动开始，介绍了半导体物理史上的关键人物、事件，以及重大实践冲破，讲述了半导体物理学的历史沿革；北京航空航天大学研究生院常务副院长、教育部长江学者 、IEEE Fellow 赵巍胜做了题为“集成电路人才培养的几点思考”的报告，从高校层面分享了多年来对于集成电路人才培养的一些思考以及实践经验；电子科技大学教授周琦做了题为“宽禁带功率半导体倒退现状与趋势”的报告，他在报告中介绍了 GaN 和 SiC 功率半导体的技术与产业倒退现状，剖析了 GaN 和 SiC 的技术劣势与以后面临的技术挑战。《半导体简史》作者王齐做了题为 “半导体七十年——还原历史的实在，是人类构筑将来的基石”的报告，他以半导体产业发展史为主线，介绍了半导体产业全貌，并对其中的要害事件进行解读，洞见半导体的将来倒退。 中国科学院半导体研究所研究员中国物理学会半导体物理业余委员会秘书长 姬扬主题报告 北京航空航天大学研究生院常务副院长教育部长江学者、IEEE Fellow 赵巍胜主题报告 电子科技大学电子迷信与工程学院传授博士生导师 周琦主题报告 《半导体简史》作者 王齐主题报告 在随后的专家连线环节，主持人和专家们就半导体技术翻新、产业倒退以及人才培养等热点话题进行了访谈交换。专家们从多个维度进行了具体的解答。刘源超副秘书长示意，因为岗位技能门槛高，半导体行业结构性人才供需矛盾始终十分突出。往年 4 月，中国半导体行业协会和教育部学生服务与素质倒退核心联结打造了“芯星打算”，旨在聚焦高校毕业生技能晋升、集成电路企业员工岗前培训两大外围问题，通过集成电路企业宽泛参加，共建共享培训成绩，帮忙集成电路企业买通高校人才通道，升高单个企业发展岗前培训的老本。赵巍胜院长认为，高校应该从导师队伍建设、人才培养计划与模式的变动、增强实习实际环节的能力建设这三个方面进行晋升，并对北航的“卓越工程师”打算的施行教训进行了分享。姬扬老师在连线中示意，半导体物理是半导体钻研的重要根底，其科研前景光明但路线波折，因而高校要器重半导体物理的教学，尤其是实验教学，增强产业沟通，不可闭门造车。周琦传授对 GaN 功率器件的利用挑战进行了介绍，他示意 GaN 功率器件在利用时其自热效应仍旧显著，因而长期的可靠性是一个潜在问题，其次因为较大的冗余设计，器件的芯片面积会较大，带来了老本的减少。在谈到宽禁带半导体资料时，周教授示意尽管其在耐压性方面具备劣势，然而因为本身的散热性等问题，其面向利用还有很长的路要走。王齐老师认为，主观上 RISC-V 的倒退任重道远，目前 RISC-V 的技术劣势从性能和生态角度来看其实并不显著，但其易学性和开放性使得当初有更多的年轻人违心去学习 RISC-V，投入到这一畛域，这会撑持它一路向前。同时，王老师对《半导体简史》一书的创作初衷和思路进行了分享。 专家连线环节 会议期间还举办了《半导体简史》的公布典礼。郭锐书记和《半导体简史》作者王齐独特启动新书公布典礼，恭喜新书正式公布。该书失去中国工程院院士陈左宁、海康威视总裁胡扬忠、中国科学院院士冯登国、高通寰球副总裁侯明娟等行业专家的联袂举荐。新书公布后，中国半导体行业协会副秘书长刘源超、教育部高等学校电子信息类业余教学领导委员会秘书长邓成、中国电子电路行业协会声誉秘书长王龙基、北京大学集成电路学院院长蔡一茂、海康存储总经理孙承华、长鑫存储执行副总裁曹堪宇等多位专家，以及该书的策动编辑、机械工业出版社计算机分社社长时静公布了举荐视频，从多个角度解读了《半导体简史》的出版意义，并对该书给予了高度评价和充分肯定。 《半导体简史》公布典礼此次会议为产学研用各界搭建起交换和学习的平台，有助于推动我国半导体行业迈向高质量倒退。同时，《半导体简史》一书的出版也可能为公众遍及半导体常识，让更多人关注并参加到促成半导体产业倒退提供智力反对。 本次会议特为广大读者申请到了会议专享优惠，精选 40 余种半导体技术图书，全场5折销售，仅限明天！扫描上图中的二维码即可进入图书专题。 撰 稿 人：管娜责任编辑：李馨馨审 核 人：时静

MLX91208是一款可编程的电流检测芯片，采纳规范SO-8封装。具备极高的灵敏度。MLX91208可检测由电流所产生的平行于芯片外表的磁感应强度，并提供高速的模拟信号输入，响应工夫可达3us。 MLX91208电流检测芯片合乎汽车级规范，尤其实用于高达250KHz的隔离式直流，交换以及交直流的电流检测。MLX91208的独特设计还能显著缩小芯片的寿命漂移从而可在器件的使用寿命内保障稳固的性能。 MLX91208的传输个性齐全能够由客户进行编程（如偏移、灵敏度以及响应工夫），以此可弥补在组装过程中所产生的机械/磁路误差。 个性和劣势•客户可编程的高速电流传感器•不同的IMC版本反对不同的电流范畴•疾速响应工夫•大带宽直流-250kHz•进步了使用寿命稳定性•疾速模拟输出•48位ID编号•单芯片SO-8封装，合乎绿色环保规范•无铅RoHS组件，实用于无铅焊接，MSL3

近日，天数智芯天垓100 产品卡与龙蜥操作系统（Anolis OS）8 实现并通过互相兼容性测试认证，单方进行严格测试后，结果显示：互相兼容，性能失常，运行稳固。 天垓100 采纳 7 纳米制程工艺和 2.5D CoWoS 晶圆封装技术，集成 240 亿晶体管，反对多精度数据类型规范或混合训练，提供片间互联扩大，AI 算力密度与能效比业界当先。以后，天垓 100 已撑持近百个客户在人工智能畛域进行超过两百个不同品种模型训练，ResNet50、SSD、BERT 等骨干网络模型的性能比肩国内市场主流产品。此外，天垓 100 还广泛支持传统机器学习、数学运算、加解密及数字信号处理等畛域，已适配 X86、Arm 等各种类型 CPU 架构。 龙蜥社区原生研发的龙蜥操作系统（Anolis OS）是龙蜥社区发行的 Linux 发行版，反对多计算架构，提供稳固、高性能、安全可靠的操作系统反对。 操作系统和芯片是数字化产业生态的外围，软硬件要协同能力保障性能的最大化。此次龙蜥社区与天数智芯实现产品兼容互认证，一方面，将助力天数智芯为用户提供更加高性能、安全可靠的产品，减速产业智能化降级；另一方面，也将促成产用协同翻新。 龙蜥社区始终秉持着“中立凋谢”的准则持续诚邀各企业与龙蜥操作系统（Anolis OS），围绕兼容适配、技术单干、商业版发行等多角度进行逐渐单干，欢送各位合作伙伴来进行产品适配，如有适配需要，请分割：陈佳 [email protected] 「龙腾打算」自公布以来，已有超过百家企业签订 CLA 协定退出龙蜥社区，包含平安厂商格尔软件、海泰方圆，数据库厂商南大通用、巨杉数据库，中间件厂商西方通、中创中间件、宝兰德等，欢送更多企业退出。 龙腾打算可参看：“龙腾打算”启动！邀请 500 家企业退出，与龙蜥社区一起拥抱有限生态。 —— 完 ——

2022GOPS寰球运维大会·深圳站，咱们对话了龙智大规模平安研发技术专家李培，为大家带来版本控制工具Perforce Helix Core的特点介绍、芯片行业用例、平安实际以及胜利案例，并与另一款版本控制工具SVN进行比照，帮忙您更深刻地理解版本控制。 https://www.bilibili.com/vide... 视频文字实录Q：Perforce Helix Core是目前龙智代理的一款版本控制工具，可否介绍一下它的特点？ A：当初，版本控制软件有很多收费的产品，比方SVN、Gitlab或是gerrit。小团队用这些产品就能满足需要，所以不违心花钱洽购Perforce Helix Core。然而，Perforce Helix Core次要用于以下场景：一是有很多大文件。另一个是数据量特地大，比方数百TB级别甚至更多。还有一个是公司对权限及审计有较高的要求，个别这些团队都比拟适宜应用Perforce Helix Core。 Q：有收费、开源的工具，然而更多企业还是会抉择免费的企业版的工具。 A：因为（在研发中工具）太重要了，不能承受出错。对于研发流程，在负荷很重、分支治理非常复杂时，人脑曾经不能胜任这个工作。但这时，如果零碎也出错，就是不能接受之重。这些资产自身就处于解决简单问题的撑持位置，所以这些工具不能出错。因为口碑不是一天建设的，公司也不会把外围资产放到一个便宜但并不牢靠、未经证实的零碎上。 Q：哪些行业应用Perforce Helix Core较多？他们抉择这个工具的次要起因是什么？ A：目前在国内游戏和芯片行业用得较多。芯片行业对权限管控较严格，外部也有大文件。另外，一个人造的劣势是国外的大厂都应用Perforce，大厂的人到国内公司工作，应用Perforce Helix Core可能让他习惯于相熟的工作环境，这都是一些因素。 Q：请问芯片行业是如何利用Perforce Helix Core的，有什么具体用例吗？ A：最典型的例子是工作区组装。模仿开发可能会产生一些大文件，权限治理要求比拟严格。另外是数字芯片，如果是做一个大的SOC，外面有外购或是自研的IP，这些可能数以千计。比方几千个模块，如何把这些疾速变动的模块组装到工作区里，组装到工作正本里，这就能够借助Perforce的工作区治理能力。 Q：据理解，芯片行业也有应用SVN的，可否具体比照一下SVN和Perforce Helix Core？ A：SVN与Perforce不是一个级别的。首先，SVN连分支的反对都近似于无，无论是治理的数据量、用户治理以及性能等方面。其次，它天生不反对分布式部署，所以这两个实际上不是一个量级。 它们也没有比照的必要。芯片行业也有应用SVN的，但要看规模大小。为什么国内有公司应用SVN，而国外的芯片公司简直不必呢？因为国内的芯片行业刚起步，守业初期的数据量没那么大，节俭一点用SVN即可。但应用SVN就意味着额定的投入，比如说管理工作区，损失的工作效率就是额定的损失。 Q：龙智是一家DevSecOps解决方案提供商，Perforce Helix Core在DevSecOps中处于什么地位？ A：我的个人观点，像从事IT研发或波及IT研发相干的公司，数字资产就是这家公司的根基。每天微小的人力老本，到最初都转化为存储在版本控制系统里的数字资产。团队有可能遍布寰球， 尤其在疫情影响之下，很多公司转为居家办公，那这么多重要的资产，要撑持寰球客户和研发人员，以及CI/CD的流程，这个零碎的重要性就显而易见了。所以Perforce Helix Core在整个流程中处于外围地位。 Q：Perforce Helix Core个别会对接什么工具？ A：咱们对接的是比方上游，需要设计这一块。当初Jira比拟风行，上游与Jira对接较多。上游是跟自动化工具，例如Jenkins和CloudBees这些工具。可能还能够跟代码评审工具，当然Perforce自带了代码评审工具，它就跟本身的代码评审工具进行集成等等。 Q：能够分享一下龙智为芯片行业的公司提供Perforce Helix Core解决方案的胜利案例或者最佳实际？ A：这种案例很多。咱们心愿能实现客户、用户集体以及公司三方的三赢。龙智很多客户到最初都成为了咱们的好敌人，比方XX哥、XX库，当然还有很多其余公司。咱们在售前工作中，首先把工具能做到的性能给客户进行介绍，让他充沛了解。施行中，咱们会帮忙客户制订适合的部署计划，思考到当前的可扩展性。 另外，咱们会追随客户的需要，比方某大企业在国外搭建办公室，然而受限于法律法规，代码的进口会受到管制、影响，这就须要实施方案。在国外无奈间接看中国代码，或中国无奈间接看国外团队的代码，相似种种。遇到这些非凡的需要，首先，咱们会制定方案给客户review，review之后在本地进行测试，测试无误后，咱们将到现场帮忙客户对现有业务无中断的施行。 Q：能分享一下您平时的工作内容吗？ A：Perforce Helix Core我次要负责部署计划，以及客户的实时反对，或是现场施行的问题，响应平时客户的问题。另外，有时我本人会写一些文章，比如说新的个性的音讯，会公布在龙智的官网账号上。 有潜在客户的话，咱们会给客户介绍产品的劣势以及个性、特点。客户如果洽购了，龙智会提供全程服务，包含售前、售后以及售中施行，次要是这些工作。

导语：随着芯片工艺的跃升，EDA 须要越来越大的计算能力，解决高达 PB 级的海量数据。传统的算力交付模式已无奈跟上疾速倒退的芯片设计行业，云的疾速交付与弱小生态提供了丰盛的能力、可扩展性与灵活性，成为行业的最佳抉择。 近年来，随着云在各行各业的一直浸透与工业 4.0 时代的到来，芯片设计行业与云计算的联合也在不断深入。 半导体行业涵盖设计、制作、封装等一系列环节，其中芯片设计是一个高风险的业务。从手工实现集成电路设计、布线等工作，到应用计算机辅助设计软件来实现超大规模集成电路芯片的功能设计、综合、验证、物理设计等工作，电子设计自动化（EDA）的倒退已近 60 余载，EDA 的呈现极大缩短了芯片设计周期及进步成功率。 随着芯片工艺的跃升，解决的数据已高达 PB 级别，EDA 须要的计算能力越来越大。传统的算力交付模式已无奈跟上疾速倒退的芯片设计行业。缓和的上市工夫压力与 IT 建设的长周期与高投入之间存在微小矛盾：一方面产品流片工夫节奏缓和，另一方面 IT 洽购估算准确度低，洽购周期长，无奈匹配研发节奏。 目前，芯片设计行业在 IT 方面普遍存在以下四个方面的挑战： ◾ 工夫：EDA 验证须要大量工夫，资源有余会导致验证工作无奈收敛，且硬件设施洽购周期长，部署建设须要消耗大量工夫，连累产品上市速度；◾ 老本：工作具备显著的波峰个性，长期持有大量硬件老本较高，测算我的项目老本及 IT 资源占用老本剖析难度较大；◾ 平安：架构设计次要用本地文档保留，容易产生外泄，数据交付简单且体量微小，受权审核环节泛滥，管控存在破绽；◾ 协同：多地区办公工作协同，一方面 IT 部门难以疾速提供对立的研发桌面环境，另一方面数据安全也面临新的挑战。阿里云针对 EDA 业务特点和需要，推出齐备的 EDA 上云解决方案，帮忙芯片设计企业晋升 EDA 运行效率，减速产品上市；加重 IT 投资压力，升高 IT 运维难度。 在该计划中，阿里云残缺的平安产品，实现从网络层到业务数据的全面平安防护与全链路数据安全。云端存储的高并发、高性能和良好的可扩展性，极大缩短了 EDA 工作流作业的运行工夫。当先的高性能计算产品 EHPC 构建了强壮的超算集群，兼容业内支流的各类调度器和域控计划，反对构建多种状态的混合云计划；平台可依据工作须要弹性伸缩算力，自动化运维管控服务节俭了运维与资源老本。无影能够帮忙半导体企业构建多地对立的办公与研发环境，实现数据不落地，行为可审计。 阿里云 EDA 上云解决方案架构图 国内某头部 IC 设计企业已经面临算力有余、不足弹性、交付周期长、运维工作量大、不足无效管控等问题。阿里云为该客户设计了数据落盘加密的计划，反对平安操作审计、用户自带密钥上云等，保障了其在数据安全的需要；在计算资源方面，举荐了新一代高主频、大内存裸金属服务器，通过独占物理机资源和虚拟化卸载确保了云服务器施展出极致的算力性能；弹性高性能计算平台 E-HPC 不仅通过自动化部署和集群治理能力节俭了客户的运维投入，还让客户在作业调度器、调度策略等方面保领有与原来统一的应用习惯，丝滑连接。 2022 年 9 月 20 日，在阿里云官网“阿里云 EDA 上云解决方案”节目中，三位来自阿里云的专家将带大家理解阿里云如何助力芯片设计驶入“云端高速路”，欢送各位收看。 点击这里，观看本次直播回放。

作为数字化产业重要的基础设施之一，物联网迎来了黄金发展期。物联网通信技术通过数据的采集、剖析、输入，从浅层次的互联工具和产品深入，到成为重塑生产组织形式的基础设施和要害因素，正粗浅地扭转着传统产业状态和人们的生存形式，泛在物联的时代未然到来。 因为物联网场景的复杂化、碎片化，使得市场上缺失高效灵便的物联网计划，行业倒退受限，天花板亟待进一步关上，物联网技术及生态交融是产业需要也是大势所趋。市场上有泛滥的物联网IoT技术解决方案，例如ZETA、LoRa、Sigfox、Zigbee、蓝牙、RFID、WiSun以及基于受权频谱的NB-IoT等技术。 但这些技术并不能相通，每种协定的终端只能与其对应的网关通信，导致物联网IoT终端成为一个个孤岛。比方资产的盘点以及流转跟踪在不同场景须要用到不同的协定，如物件在仓库内基于ZETA等被动上报的物联技术；而出仓库时的扫描记录、快递点位的跟踪以RFID、二维码等技术为主；在高速公路上的可视化跟踪须要用4G、ZETA等技术，而在沙漠、公海等通信笼罩无限的场景又采纳卫星通信，这样导致各个环节须要不同的物联技术计划以及线上化治理并不能齐全买通，极大地减少了经营老本。 除不同协定之外，因为物联网的碎片化利用，物联网终端即便采纳同一协定，在不同场景也会用到不同参数。比方在工业、电力行业，设施的监测数据个别要求较高速率的传输。针对站点获取艰难、容量要求较低和传输速率低的场景，则对接收灵敏度要求比拟高。下表列出两种典型Advanced M-FSK两种速率： 因为速率不同，两者对同步灵敏度要求都齐全不一样，对相应发射端导频长度和接收机算法要求就不一样。如果应用一套高灵敏度接管同步算法笼罩所有速率，则在应用高速率场景时，同步算法就会显得冗余，意味着功耗较大，资源节约。如果把现有技术关注部分连贯，技术多而不通，数据难以交融，演绎为LPWAN1.0时代，那么咱们急需一个让各种技术交融贯通，让物理世界极低成本、无感、低碳连贯的“LPWAN2.0时代”。 如果说LPWAN 1.0技术是为了连贯，那么LPWAN 2.0的技术演进方向将会是从场景中来到场景中去，其中十分重要的实现根底便是“软件定义物联网芯片”。 综上，纵行科技在继自主翻新研发“Advanced M-FSK”物理调制技术上又提出“软件定义芯片（DSP + ASIC）”架构的物联网设计理念，让一颗物联网芯片能反对多种通信协议以及同一种协定不同速率得以实现。而其中核心技术之一是DSP技术，即如何通过DSP来定义物联网的物理层调制和解调技术。上面将着重介绍一下DSP的构造与特点。 随着大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）的倒退，依靠于数字信号处理实践的提高，数字信号处理（Digital Signal Processing，DSP）逐步倒退成为一门独立的学科。DSP的利用，使多模归一成为可能，典型的DSP构造如下图所示： DSP解决的外围是三个运算单元Scalar ALU，Vector ALU和MAC。它们在传统Scalar ALU的根底上，减少了矢量运算单元Vector ALU以及DSP特有的乘加运算单元MAC。Program Fetch Unit从Program Memory System中取出指令，在Program Control Unit单元中进行译指并分发给三个运算单元。三个运算单元依据指令须要，调用Scalar Load/Store Unit和Vector Load/Store Unit 与 Data Memory System 获取须要的输出数据，进行运算，并把运算后果写回 Data Memory System。 DSP次要特点如下：1.超长指令字（Very Long Instruction Word ，VLIW）和可变长度指令集（Variable-Length Instruction Set， VLIS）超长指令字，联合可变长度指令集，使处理器在一次执行多个指令的同时，又保障了指令存储单元的高效应用。编译器依据以后解决的具体需要，在确保数据处理程序，保障正确的前提下，智能地进行多指令的组合。从而使处理器在一个时钟周期内，实现尽可能多的运算。 2.单指令多数据（Single Instruction Multiple Data ，SIMD)并发数字信号处理，往往随同着大量的数据操作。SIMD加大了数据的并行度，从而冲破了大量数据处理的场景下，取数存数的瓶颈。 3.定制乘加单元（MAC）DSP的典型运算是实数的乘加运算，以及运算更简单的复数乘加运算。因而，针对性地进步乘加运算的效率是进步零碎容量的无效伎俩。 4.多级流水（Pipeline）为了进步指令执行的各个模块（示意图中的：Program Fetch Unit、Program Control Unit、运算单元Scalar ALU/Vector ALU与MAC、Scalar/Vector Load/Store Unit等）的工作效率，DSP把一条指令合成为与串行模块个数相当的流水级数，从而使各个模块都并行地工作，进而进步了数字信号处理器的运行效率。 ...

近日，云脉芯联签订了 CLA（Contributor License Agreement，贡献者许可协定），正式退出龙蜥社区（OpenAnolis）。 云脉芯联是一家专一于云数据中心网络芯片产品研发与技术创新的高科技翻新企业，以“构建数字世界的互联底座”为倒退愿景，致力于打造用于大规模数据中心和云计算基础设施的网络互联芯片，帮忙用户构建端网交融的高性能网络基础设施，以应答进入全面数字化和智能化时代的技术挑战。往年 5 月，云脉芯联正式公布了国内首款反对多场景 RDMA 智能网卡(DPU)产品，可无效帮忙用户升高部署 RDMA 网络的技术门槛，实现高带宽、低提早的高性能集群组网，全面晋升算力集群整体效力。 云脉芯联软件研发副总裁闫磊示意：“将来，云脉芯联将积极参与龙蜥社区的深度单干，提供云脉芯联 DPU 产品针对可编程网络、高性能网络等新技术方向，探讨新的软硬件一体化计划在龙蜥操作系统（Anolis OS）的落地。云脉芯联愿携手社区搭档们，为推动操作系统的继续衰弱倒退、助力我国信息技术的翻新利用做出一份奉献。” 龙蜥社区理事龚文示意：“云脉芯联是在芯片畛域继续耕耘的高科技翻新企业，其团队核心成员将多年的互联网和云厂商的行业积攒积淀在云脉芯联的 DPU 产品中。将来，在与龙蜥社区的交换中，云脉芯联将聚焦底层技术，向新技术方向延长， 在芯片畛域与龙蜥社区进行高质量单干。” 截至目前，已有 200+ 家企业签订 CLA 协定退出龙蜥社区，包含平安厂商格尔软件、海泰方圆，数据库厂商南大通用、巨杉数据库，中间件厂商西方通、中创中间件、宝兰德等，欢送更多企业退出。 龙腾打算可参看：“龙腾打算”启动！邀请 500 家企业退出，与龙蜥社区一起拥抱有限生态。 —— 完 —— 退出龙蜥社群 退出微信群：增加社区助理-龙蜥社区小龙（微信：openanolis_assis），备注【龙蜥】与你同在；退出钉钉群：扫描下方钉钉群二维码。欢送开发者/用户退出龙蜥社区（OpenAnolis）交换，独特推动龙蜥社区的倒退，一起打造一个沉闷的、衰弱的开源操作系统生态！ 对于龙蜥社区龙蜥社区（OpenAnolis）由企事业单位、高等院校、科研单位、非营利性组织、集体等在被迫、平等、开源、合作的根底上组成的非盈利性开源社区。龙蜥社区成立于 2020 年 9 月，旨在构建一个开源、中立、凋谢的Linux 上游发行版社区及翻新平台。 龙蜥社区成立的短期指标是开发龙蜥操作系统(Anolis OS)作为 CentOS 停服后的应答计划，构建一个兼容国内 Linux 支流厂商的社区发行版。中长期指标是摸索打造一个面向未来的操作系统，建设对立的开源操作系统生态，孵化翻新开源我的项目，凋敝开源生态。 目前，Anolis OS 8.6 已公布，更多龙蜥自研个性，反对 X86_64 、RISC-V、Arm64、LoongArch 架构，欠缺适配 Intel、兆芯、鲲鹏、龙芯等芯片，并提供全栈国密反对。 欢送下载： https://openanolis.cn/download 退出咱们，一起打造面向未来的开源操作系统！ https://openanolis.cn

近日，芯动微电子科技（珠海）有限公司（以下简称“芯动科技”）签订了 CLA（Contributor License Agreement，贡献者许可协定），正式退出龙蜥社区（OpenAnolis）。 芯动科技（Innosilicon）是国内一站式 IP 和 GPU 领军企业，其通过一直降级 GPU 内核，打造出弱小渲染 GPU 处理器—风华系列。风华系列在图形渲染和智能计算畛域具备强能效比和通用性，广泛支持台式机/笔记本、工控机、智能座舱、云游戏等各种桌面和服务器利用场景，自推出以来取得了生态合作伙伴和第三方厂商的统一好评。 芯动科技副总裁敖钢示意：“芯动科技作为当先的芯片定制及 GPU 赋能企业，始终践行科技翻新、单干共赢凋谢理念。退出龙蜥社区是风华 GPU 走进千家万户的重要布局，也是芯动赋能智慧生态的战略部署。将来，咱们愿与泛滥产业搭档单干共享，继续用先进的芯片级翻新和软硬件反对能力，推动生态凋敝倒退，助力合作伙伴产品胜利，赋能数字经济和智慧生存。” 龙蜥社区经营委员会主席陈绪博士示意：“风华 GPU 是目前国内反对框架较多、延展性和可靠性较强的高性能 GPU 产品，在 Benchmark 测试过程中性能体现不俗，大幅晋升了现有图形 GPU 能力与用户体验，非常期待风华 GPU 在桌面和服务器各类支流利用上的惊艳退场。置信芯动科技的退出，必将为龙蜥操作系统提供更高效、更牢靠的解决方案，也为 GPU 生态注入翻新生机。” 截至目前，已有 200+ 家企业签订 CLA 协定退出龙蜥社区，包含平安厂商格尔软件、海泰方圆，数据库厂商南大通用、巨杉数据库，中间件厂商西方通、中创中间件、宝兰德等，欢送更多企业退出。 —— 完 ——

关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 这是IC男奋斗史的第24篇原创 本文2252字，预计浏览6分钟。 模仿芯片巨头遣散MCU研发团队 前两天杰哥从前共事处理解到，老东家模仿芯片巨头遣散了上海研发核心的MCU团队，并把原MCU产品线全副迁往印度。目前团队所有成员均被扩散安顿到了其余产品线，名义上岗位与薪资待遇都放弃不变。 公司给员工两个抉择——要么承受安顿去其余产品线工作，要么本人被动提到职。这一招其实比拟有神思，阐明公司压根没打算走裁员流程，也不会给被动到职的员工任何弥补。 回想到2013年杰哥一毕业就退出到这个团队的情景，过后MCU中国团队成立3年不到，还处于疾速上升期。随后经验了几年工夫发展壮大，2017年左右达到巅峰。巅峰期间团队超过60人，是老东家在上海研发核心人数最多、性能最齐全的团队。从市场/零碎工程师到数字/模仿设计，从验证到后端幅员，从ATE测试到芯片利用，甚至还包含客户品质相干的岗位。 杰哥在《我的奋斗：我在外企那些年（二）》这篇文章中有讲过，从2018年初开始随着国内半导体产业的飞速发展，MCU团队开始陆续有人到职，他们跳槽的下家次要以国内芯片企业为主。整个MCU团队也就是从那个时候开始走下坡路的。 去年杰哥跟前共事一起吃饭聊天的时候理解到，MCU团队的大老板都换成了印度人。杰哥过后就预感到这一天可能会产生，然而没想到会来的这么快、这么忽然。杰哥之前在《润还是不润？这是个问题》这篇文章中有提到，将来外企很可能会为了升高劳动老本，把研发团队迁往印度、东南亚等国。没想到这所有居然就产生在本人已经与之战斗过的团队身上。 外企减速撤退中国 2022年4月11日，苹果公司发表曾经开始在印度生产iphone 13智能手机。其实去年3月份就有印度媒体报道，苹果打算把10%的iphone 12产能从中国转到印度。 从2018年4月到2020年8月，三星陆续敞开了在华所有的手机厂和电脑厂，全副迁到越南和印度。目前三星在国内仅剩苏州和西安两个半导体制作基地。 今年年初，存储芯片巨头美光科技遣散了上海研发核心的DRAM设计团队，同时还给40多位外围研发人员提供技术移民美国的资格。 4月18日，汽车芯片巨头安森美曾对外公布告诉，随着疫情封控措施增强，其位于上海的寰球配送核心被迫敞开。因为没有收到任何对于可能解除关闭的告诉，公司打算将配送转移到其余分区——例如其在新加坡或者菲律宾的配送核心，以缓解产能限度并升高影响。尽管起初在上海政府的大力支持下，安森美复原了寰球配送核心的经营，也对外造谣说不会把配送核心转走，然而这次事件体现进去的外企对将来的担心还是不言而喻的。 从手机厂商到芯片企业，高科技外资企业撤退中国的新闻逐步变得频繁起来。尤其是上海疫情全域动态治理之后，相干新闻层出不穷，网友对此体现出特地乐观和焦虑的情绪。作为一名芯片从业者，杰哥关怀的是芯片外企撤退中国的起因是什么？外企的撤退会对国内的芯片产业造成哪些影响？ 外企撤退中国的起因 杰哥认为，芯片企业撤退中国的起因次要有以下3点： 1升高劳动力老本 随着中国经济的快速增长，国内劳动力老本大幅减少，尤其是在北上广深等一线城市，芯片从业人员的薪资待遇曾经靠近发达国家程度。外企为了升高劳动力老本把工厂或者研发团队迁往印度或者东南亚等国。 2避免核心技术外漏 随着国内半导体行业疾速崛起，国内芯片企业发展势头强劲，他们破费高薪挖走各种人才，像美光、三星、德州仪器等国内芯片大厂的人才流失不少。这些外企可能放心其核心技术随人才一起外流至国内企业，索性间接遣散团队。 3美欧日韩等国纷纷出台政策吸引外国芯片企业回国投资 2022年，美欧日韩等国纷纷加大对半导体产业的反对力度。美国520亿美元搀扶半导体产业的芯片法案已在两院通过。欧盟也发表推出芯片法案，到2030年投入450亿欧元用于半导体相干产业。日本将拨款近万亿日元搀扶芯片产业。韩国将在将来10年投入4500亿美元反对半导体产业。外企在外国各种优惠政策的吸引下抉择迁回外乡经营。 外企的撤退会对国内芯片行业的影响 1.国内芯片企业失去与国外优良企业近距离交换与学习的通道，容易多走弯路 芯片外企起到了“鲶鱼效应”，对国内企业起到督促的作用。芯片外企尤其是像美光、三星、德州仪器等大厂都是各细分畛域的标杆企业，其产品规格、研发流程、质量标准等都是国内企业学习的榜样。 在芯片研发与制作畛域，国内企业还是追赶者，还须要排汇这些优良企业的先进经验。外企的来到会让国内的追赶者失去近距离交换与学习的机会，国内企业容易陷入“闭门造车”的困境。 2.国内半导体产业失去了一个很好的人才培养摇篮 外企欠缺的人才培养机制为中国半导体产业输送了很多优良的人才。随着最近几年国内半导体产业的疾速倒退，泛滥优良的芯片人才从外企流入国内企业，将先进的技术与教训带给国内芯片企业。 一旦外企撤退中国，国内半导体产业就失去了人才培养的一个大摇篮。杰哥认为，这对中国半导体产业来说才是最大的损失。 3.国内芯片从业者少了很多就业机会与待业抉择 外企在中国的研发核心与工厂基本上都是以中国外乡的员工为主。芯片行业属于人力密集型产业，研发核心的员工数量动辄过百，工厂员工数量动辄上千。因而泛滥外企为中国半导体产业提供了数以万计的待业岗位，让国内芯片从业者领有很多就业机会。 外企的工作气氛、工作节奏以及提倡工作生存均衡的理念也给宽广芯片从业者提供了多元化的抉择。在国内芯片企业“速度至上”与奉行加班文化的明天，外企犹如一股清流，给芯片从业者提供不一样的工作体验。 老东家遣散位于上海研发核心的MCU团队后，后续MCU研发工作由印度团队承当。印度政府最近几年通过一系列政策吸引寰球芯片制造商返回印度建厂投资。那么印度半导体市场现状如何？印度政府对半导体产业都有哪些政策反对？印度会成为下一个“寰球工厂”吗？杰哥将在下一篇文章中为大家一一解答。 未完待续…... 文末互动：疫情封控期间，不晓得各位读者的老东家体现如何？是让你想当自来水宣传、挖人内推？还是让你想劝退同行？能够纵情投票或留言，大肆吐槽或褒扬，为其余同行提供一个参考。毕竟，各个公司在疫情期间的种种体现也是一面镜子。 参考文献： [1]三星敞开在华最初一家手机工厂 布局转为高端制作：https://tech.sina.cn/t/2019-1...；

这是IC男奋斗史的第22篇原创 本文3203字，预计浏览8分钟。 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 谷歌：互联网造芯“开山鼻祖” 2016年3月，谷歌旗下DeepMind公司开发的围棋机器人AlphaGo以4:1的总比分战败围棋世界冠军李世石。人类智慧的最初一块圣地被机器人攻破，全世界一片哗然。直到现在，杰哥还分明的记得过后一边下班一边用手机围观这场“围棋世纪大战”文字直播的场景。 两个月后谷歌正式公布自研神经网络专用处理器芯片TPU (Tensor Processing Unit)。而AlphaGo背地的硬件平台就是TPU，AlphaGo超强的计算能力就是靠谷歌TPU实现的。 其实谷歌早在2013年就曾经开始了TPU的研发之路，2014年正式研发实现并率先部署在自家的数据中心上应用，只是没有对外公布而已。从这一点上来说，谷歌相对是互联网造芯的开山鼻祖。 2017年5月，谷歌公布第二代TPU芯片TPU v2，随后AlphaGo在与世界冠军柯洁的“围棋人机大战”中再次获胜。谷歌TPU又一次向世界展现了其弱小的计算能力。 尔后几年谷歌又陆续公布了云端AI专用芯片TPU v3/v4、边缘端AI减速芯片Edge TPU、手机SOC芯片Tensor等不同畛域的芯片。谷歌的造芯之路也越走越远。 亚马逊：从“买买买”到芯片设计大厂 2015年1月，寰球网络电子商务巨头、大型云服务供应商亚马逊发表收买以色列芯片设计公司Annapurna Labs，正式进入自研芯片畛域。 2017年12月，亚马逊收买平安监视器供应商Blink，其次要用意在于Blink的低功耗节能芯片设计能力，进一步布局自研芯片畛域。 2018年11月，亚马逊旗下云计算服务平台AWS公布首款基于Arm架构的云服务器CPU芯片Graviton以及首款云端AI推理芯片AWS Inferentia。 到目前为止，亚马逊曾经陆续公布了4代网络芯片Nitro、3代云服务器芯片Graviton、1代云端AI推理芯片Inferentia以及1代云端AI训练芯片Trainium。亚马逊曾经成为了坐拥网络芯片、服务器芯片和云端AI芯片三条产品线的“大型芯片设计公司”。 Facebook：为视频需要自主造芯 2018年5月，Facebook首席AI科学家Yann LeCun，在故土巴黎举办的科技峰会上首次披露Facebook在AI芯片畛域的钻研。他还透漏，Facebook之所以自研芯片，是因为传统办法曾经无奈满足当初的视频剖析解决需要，Facebook须要一款AI芯片来实时剖析和过滤视频内容。 2019年，Facebook与英特尔、高通和博通一起合作开发用于人工智能推理和视频转码的半定制ASIC芯片(Application Specific Integrated Circuit)，以晋升视频转码的效率。 据美国技术媒体报道，目前Facebook正在独立研发两款新的机器学习芯片。其中一款AI推理芯片次要用于视频算法举荐，另外一款则次要进行视频转码工作，以进步用户观看录制和直播视频的品质。 与谷歌和亚马逊相比，Facebook在自研芯片畛域起步较晚，技术积攒工夫也较短。然而Facebook自研芯片的指标十分明确，就是为了解决自家视频畛域的需要。 百度：从结盟单干到自主研发 百度是国内互联网企业中布局芯片业务最早的一家，技术积攒也是最深厚的。 2017年9月，百度与FPGA供应商赛思灵(Xilinx) 单干公布了基于FPGA的云计算减速芯片XPU，采纳百度本人设计的AI处理器架构，领有专用计算单元和数百个处理器。 2018年7月，百度正式推出首款自研云端AI芯片——昆仑芯片。该款芯片采纳百度自研XPU AI处理器架构，提供512GB/s的内存带宽，可能在150W的功耗下提供高达256TOPS的算力。 2019年7月，百度对外公布终端语音AI芯片——鸿鹄芯片。据悉这款芯片是依照车规级规范打造，次要利用于车载语音交互、智能家居等场景。 2021年8月，百度正式推出其第二代云端AI芯片——昆仑芯2代，同时发表昆仑芯2曾经实现量产。该款芯片采纳7nm制程，搭载百度自研的第二代XPU架构，实用于云边端等多种场景。 与谷歌相似，得益于自家数据中心的应用环境，百度昆仑芯片能够疾速实现部署，及时发现问题并反馈至设计端，进而实现昆仑系列芯片的疾速迭代。 据杰哥理解到的音讯，百度目前正在放慢第三代AI云端芯片——昆仑芯3代的研发进度，同时还在研发用于主动驾驶的专用昆仑芯片。 阿里：投资+自研并行不悖，打造端云一体化 阿里在芯片畛域的布局起初次要体现在投资上。从2017年开始，阿里相继投资了寒武纪、深鉴科技、翱捷科技、恒玄科技等泛滥芯片公司。 2017年10月，阿里发表成立达摩院，次要进行基础科学和颠覆式技术创新钻研，芯片技术也是其钻研畛域之一。达摩院专门组建了AI芯片技术团队，正式进入自研芯片畛域。2018年4月，阿里全资收买嵌入式CPU企业中天微，而后把中天微和达摩院自研芯片团队整合成一家独立的芯片公司，取名“平头哥”。 2019年7月，平头哥公布RISC-V处理器玄铁910。玄铁910是CPU IP核，反对16核，单核性能达到7.1 Coremark/MHz，主频达到2.5GHz。基于玄铁910能够设计高性能处理器芯片，利用于5G、人工智能以及主动驾驶等高端畛域。 2019年8月，平头哥公布SoC芯片平台“无剑”。无剑由SoC架构、处理器、各类IP、操作系统、软件驱动和开发工具等模块形成，是面向AIoT时代的一站式芯片设计平台，提供集芯片架构、根底软件、算法与开发工具于一体的整套解决方案。 2019年9月，平头哥公布AI芯片含光800，采纳自研芯片架构，通过推理减速等技术无效解决芯片性能瓶颈问题；软件层面集成了达摩院先进算法，针对CNN及视觉类算法深度优化计算、存储密度，可实现大网络模型在一颗NPU上实现计算。 到目前为止，平头哥已集齐玄铁CPU、无剑SoC、含光NPU三大产品线，涵盖了处理器IP、SoC设计平台和AI芯片三大畛域。 与亚马逊相似，阿里平头哥曾经成为了坐拥处理器IP、SoC设计平台和AI芯片三条产品线的“大型芯片设计公司”。 腾讯：从投资到自研，起步虽晚但不会缺席 相较于在自研芯片方面已取得成效的阿里和百度，腾讯起步要晚不少。从2018年开始，腾讯屡次投资云端AI芯片企业燧原科技，Pre-A 轮融资腾讯领投3.4亿元，A轮融资和B轮融资，腾讯也相继跟投。 2019年12月，燧原公布基于其“邃思”芯片的人工智能训练加速卡“云燧T10”。腾讯投资董事总经理姚磊文示意，在产业互联网策略以及人工智能等前沿科技的摸索上，腾讯与燧原也有很强的协同效应，邃思芯片落地过程中，腾讯的技术团队与燧原开展了全面单干，帮忙公司大大减速了研发过程。 2020年3月，腾讯旗下腾讯云成立了一家名为“深圳宝安湾腾讯云计算有限公司”的企业。材料显示，该企业注册资本2000万元，经营范围包含集成电路设计与研发。 在业界看来，国内外互联网企业自研芯片已成一大趋势，随着竞争对手相继踏上造芯之路，腾讯涉足自研芯片畛域只是工夫问题。依据杰哥从腾讯外部员工处理解到的信息，目前腾讯曾经在研发服务器相干的AI芯片。置信在不久的未来腾讯也会对外公布其自研芯片。 字节跳动：新晋互联网巨头入局造芯 2016年，字节跳动成立了人工智能实验室，其次要钻研重点是开发为字节跳动内容平台服务的翻新技术。 2018年，字节跳动副总裁杨震原向媒体走漏，字节跳动领有寰球数量最大的用户上传视频须要剖析解决，有大量的芯片洽购和利用。目前也在芯片相干畛域踊跃寻求冲破。 2021年2月，字节跳动参加国内GPU芯片设计公司摩尔线程的Pre-A轮融资。3月，有媒体引述知情人士音讯报道称，字节跳动正在自研云端AI芯片和Arm服务器芯片。随后字节跳动回应示意，公司是在组建相干团队，在AI芯片畛域做一些摸索。在招聘市场上，字节跳动也投放了很多芯片研发相干的岗位。杰哥有好几位前共事小伙伴接都触过字节芯片相干的岗位招聘。 与Facebook相似，字节跳动入局芯片畛域的目标其实很明确，就是要解决自家视频剖析解决相干的需要。 比照国内外互联网巨头的造芯现状，杰哥总结出以下几个特点： 1 作为互联网搜索引擎巨头，谷歌和百度基于本身大型数据中心的应用环境，可能实现其专用处理器芯片从研发到利用的疾速部署以及从利用到研发的疾速反馈，从而实现产品的疾速迭代并一直晋升产品性能与用户体验。简略说就是芯片研发“速度快”。 2 作为网络电子商务巨头与大型云服务供应商，亚马逊和阿里得益于本人云计算、电子商务等畛域的应用环境，可能同时布局多条芯片研发的产品线，涵盖不同的应用领域。简略说就是芯片研发“范围广”。 3 作为社交和视频畛域的互联网巨头，Facebook、腾讯和字节跳动涉足芯片畛域的目标次要是为了满足自家视频剖析或者服务器减速优化等需要。简略说就是芯片研发“指标专一”。 ...

这是IC男奋斗史的第21篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文3357字，预计浏览8分钟。 从3月1日官网通报第一例确诊病例到明天，这一轮上海疫情曾经继续了将近两个月工夫。杰哥也曾经居家办公超过一个月。在家办公的日子里，杰哥除了解决工作上的事件外，还要配合老婆一起“抢”菜做饭、定期做核酸或者自测抗原。 当初杰哥每天醒来第一件事曾经不是关上手机看天气预报，而是抢菜、抢菜、抢菜。如果说21天能够扭转一个习惯，那么杰哥的工作和生活习惯曾经产生了扭转。 这篇文章杰哥想从一个工程师的角度切入，谈一谈疫情对集体、对企业、对上海芯片产业乃至整个中国半导体产业的影响。文中有一些数据是杰哥依据本人的教训评估的，可能会与理论存在偏差，请大家不用深究，仅供参考。 疫情对一线芯片工程师的工作影响 如果你从事的是芯片设计、验证或者后端幅员相干的工作，次要的研发工作都是在EDA软件上实现的。因为波及外围知识产权，通常芯片设计公司的EDA软件环境都在公司内网搭建，居家办公的最大瓶颈是须要近程拜访到公司内网。 公司之所以搭建内网环境，就是出于信息安全思考，所以不心愿大家从内部进行拜访。对于非凡状况的内部拜访，IT也设置了层层关卡，须要输出各种拜访明码。 首先，登录内网环境就要比现场办公效率低很多。其次，因为IT对近程拜访内网设计了层层关卡，访问速度几乎无奈直视。最初还有一个很重要的限度，就是芯片研发工程师之间无奈面对面探讨问题，只能采纳线上沟通或者线上会议的形式进行，沟通效率也会升高。 如果你从事的是芯片测试或者芯片利用相干的工作，次要的研发工作都是在实验室实现的。例如测试工程师须要用到ATE机台(Automatic Test Equipment，自动化测试设施)，利用工程师须要应用仪器仪表搭建芯片或者板卡测试环境。居家办公的最大瓶颈是无奈应用实验室。 没有试验环境就没法对芯片进行测试，无奈进行数据收集，这个影响比近程拜访内网更大。近程拜访只是效率低，而无奈应用实验室很多工作都间接歇菜。杰哥负责的就是芯片生产测试相干的工作，目前在家办公就遇到了很大的问题，很多须要在实验室实现的工作只能临时往后放，如果遇到特地紧急的就须要协调工厂相干资源去反对。 不过侥幸的是，咱们的代工厂不在上海，否则疫情期间也会受到影响。公司外部团队之间因为无奈面对面交换，沟通效率也会受到影响。 如果你从事的是芯片销售、FAE与市场相干的工作，次要工作是在客户那边实现的，例如市场拓展、产品推广、技术支持、客户反馈意见收集等都须要出差去客户所在地实现。居家办公的最大瓶颈就是无奈出差去客户处或者展会现场。尽管销售推广与客户反对的很多工作都能够通过的线上的形式进行，然而不论是从沟通效率还是客户满意度上看，都是会打个折扣的。 杰哥评估下来，疫情导致芯片设计、验证与后端幅员相干工作效率升高约30%，芯片测试与芯片利用相干工作效率升高约50%，芯片销售、FAE与市场相干工作升高约40%。 当然对于集体来说，能够通过调整工作的优先级来进步本人的工作效率，例如把以后无奈执行的工作往后放，把以后能够做的事往前排。然而想达到跟现场办公一样的产出必定是不可能的。总体来说，对于一个芯片工程师，疫情期间居家办公的产出比平时现场办公升高约30%。 疫情对芯片企业的影响 对于芯片设计企业，研发人员占比是掂量其技术竞争力的次要指标之一。2020年寰球十大芯片设计公司研发人员占比全副超过60%，其中9家超过70%，3家甚至高达80%以上[1]。芯片设计企业次要的生产力就是研发工程师。 依照杰哥之前的评估，疫情导致芯片工程师的产出升高约30%。假如依照所有芯片研发工程师产出的总和来估算整个芯片设计企业的产出，疫情导致芯片企业的总产出也会升高约30%。 对于芯片生产相干的企业，例如芯片制作或者封测企业等，各类大型生产设施与产线上操作设施的员工一起决定产出效率。产能利用率是掂量芯片生产相干企业产出的次要指标之一。举个例子，如果一个芯片晶圆厂设计有10条28nm晶圆制作产线，以后阶段10条产线全副失常生产，那么其产能利用率就是100%。其中一条产线出问题停掉了，那么产能利用率就降到90%。然而操作产线设施的归根到底还是产线上的员工，所以疫情对于这类企业的影响次要还是看有多少产线工作人员能够失常到岗。 芯片生产相干企业通常都会在厂区外部建有员工宿舍。据杰哥理解到的信息，上海很多芯片生产企业都在疫情初期做了充沛的部署，让大部分员工疫情期间临时住在宿舍，而后工厂采取封闭式治理，保障生产失常进行。 位于临港的硅片供应商上海新昇，公司为员工提前购买了生活用品，从3月27日开始安排抗疫工作，600多名员工与管理层始终驻扎在生产园区，在疫情背后争取保持良好生产秩序和工作状态，保障了企业80%的产能供给。位于张江的晶圆代工厂华虹，及时采取了“只进不出的关闭治理”，保障生产不会中断。国内晶圆代工龙头中芯国内也提前做出部署，目前生产失常进行中[2]。位于上海外高桥的芯片封测厂安靠科技，前段时间被爆出有大量员工确诊，公司立刻做出紧急解决，对相干员工进行了隔离，并免去了员工宿舍一个月的房租。目前生产并未受到显著影响，还在失常经营中。 从2021年寰球缺芯潮开始，国内大部分芯片生产相干的企业产能根本都处于满载状态。受本轮上海疫情影响，尽管所有企业都做了提前部署，而且芯片生产大部分都是自动化产线，杰哥评估其产能利用率会升高约20%。 上海在中国半导体行业中的核心作用 2021年12月，上海张江益江路上的一个小区——玉兰香苑四期因为疫情起因关闭了14天。过后微博上有一句话流传很广，“张江不能失去玉兰香苑，就像东方不能失去耶路撒冷”。 玉兰香苑是张江最大的住宅区之一，一期到四期总计屋宇将近8000户。玉兰香苑是很多在张江工作的小伙伴进入上海的第一站，所以才会有网上的段子。杰哥也不例外，毕业后第一年跟同学一起合租在玉兰香苑。还有人开玩笑说“中国一半的半导体人才住在玉兰香苑，没有什么比关闭玉兰香苑更令半导体行业颤动了”。 杰哥想说，如果玉兰香苑是张江的耶路撒冷，那么张江就是上海半导体的耶路撒冷，而上海就是整个中国半导体的耶路撒冷！ 据公开数据统计，2021年上海集成电路产业销售收入约2500亿元，位居全国第一，约占全国总产值的四分之一[3]。单纯的数字并不能体现出上海在中国半导体畛域的外围位置，上海是中国半导体产业链最全的城市，周边长三角城市例如苏州无锡等，也依靠上海也建设了半导体配套反对产业。 在芯片设计畛域，除了高通、博通、英伟达、AMD等出名外企在上海设立研发核心外，还有紫光展锐、复旦微电子、澜起科技、思瑞浦等一系列外乡IC设计企业。 在芯片制作畛域，除了寰球晶圆制作龙头台积电在上海设有分厂外，上海还领有中芯国内和华虹宏力两大晶圆代工厂。 在芯片封测畛域，寰球前两大封测厂日月光和安靠科技均在上海设有分厂，寰球第三大封测厂江阴长电科技与第四大封测厂南通通富微电都集中在长三角区域。 在半导体资料和设施畛域，上海也有像沪硅产业、上海新阳、上海微电子等致力于实现半导体资料或者设施国产化的优良企业。 在芯片生产所需的配套治具畛域，长三角地区尤其是苏州的产业链最为残缺。从这方面看，苏州相对是上海半导体产业的前方基地。 疫情对整个中国半导体产业的影响 本轮疫情曾经影响到了上海半导体产业链的各个环节，上面杰哥根据教训给大家做个简略的估算。 2021年上海芯片设计企业总产值约1200亿元[4]，疫情期间居家办公导致芯片设计企业的产出升高约30%。目前上海大多数上班族曾经在家办公超过三周，乐观预计还要在家办公到4月底。也就是说总共须要居家办公2个月，这样估算下来间接经济损失约为60亿元。 2021年上海芯片生产相干企业（包含生产制作、封测、资料、配备等）总产值约1300亿元，疫情期间居家办公导致芯片生产相干企业的产出升高约20%。同样的办法估算下来，疫情导致的间接经济损失约为43亿元。 也就是说，本轮上海疫情预计导致整个中国半导体产业间接损失超过100亿元，约占上海半导体产业每月产值的48%，全国半导体产业每月产值的12%。这些只是数字层面的影响，还有很多其余层面的影响，例如我的项目研发进度延误导致新产品上市比原打算晚，物流受限导致产品无奈按时交付给客户等。这些尽管不能间接估算出具体的经济损失，然而对企业的影响也是十分重大的。 好的状况是最近曾经有半导体生产制作相干的企业开始陆续停工了。置信咱们芯片设计企业离停工也不远了。心愿本轮疫情尽快完结，不管集体、企业还是社会都尽快恢复失常，心愿上海的小伙伴们还能抓住春天的尾巴，好好浪一浪！ 全文完。 参考文献： [1]芯片设计业剖析：高强度研发投入费用都花去哪了？：https://ee.m.ofweek.com/2021-...； [2]上海芯片业抗疫120小时：全线关闭生产、80%产能已复原：上海芯片业抗疫120小时：全线关闭生产、80%产能已复原 (baidu.com)； [3]平凡的中国工业比赛与上海的将来：https://view.inews.qq.com/a/2...； [4]上海IC设计业何以跃居全国第一？：https://zhuanlan.zhihu.com/p/...； END 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！

近日，DPU 头部企业深圳云豹智能有限公司（以下简称“云豹智能”）签订了 CLA（Contribution License Agreement，贡献者许可协定），正式退出龙蜥社区。 云豹智能是专一于云计算和数据中心数据处理器芯片（DPU）和解决方案的当先半导体企业，旨在成为一家引领数据中心和云计算最前沿技术、并建设“软件定义芯片”行业标准的高科技公司。其外围产品 DPU 芯片和 DPU 解决方案，面向云计算服务商、新型互联网公司、5G 运营商及大型企业。云豹智能还将推出中国第一款高性能云原生 DPU SoC 芯片和解决方案，以应答云计算技术带来的新需要。 云豹智能利用和解决方案高级总监黄明飞示意：“云豹 DPU 作为新一代数据中心基础设施的核心部件，与龙蜥操作系统适配，为网络、存储、平安和管控等基础设施性能构建了一个弱小的基石。将来，云豹智能将踊跃与龙蜥社区单干，互相实现优势互补、资源共享，搭建欠缺的生态体系，更好地反对 Arm 及 RISC-V 生态，推动异构计算的倒退，促成 AI、大数据、云原生等利用的凋敝倒退。” 龙蜥社区理事顾剑博士示意：“作为国内头部 DPU 芯片企业，云豹智能始终专一于云计算和数据中心数据处理器芯片和解决方案。云豹智能的退出必将减速社区的倒退，晋升社区的技术价值及产业影响力，独特为将来数据中心的人工智能和大数据等利用提供更弱小的综合数据处理和平台撑持。” 自「龙腾打算」公布以来，已有超过百家企业签订了 CLA 协定并退出龙蜥社区，包含平安厂商格尔软件、海泰方圆，数据库厂商南大通用、巨杉数据库，中间件厂商西方通、中创中间件、宝兰德等，欢送更多企业退出。 —— 完 —— 退出龙蜥社群 退出微信群：增加社区助理-龙蜥社区小龙（微信：openanolis_assis），备注【龙蜥】与你同在；退出钉钉群：扫描下方钉钉群二维码。欢送开发者/用户退出龙蜥社区（OpenAnolis）交换，独特推动龙蜥社区的倒退，一起打造一个沉闷的、衰弱的开源操作系统生态！ 对于龙蜥社区 龙蜥社区（OpenAnolis）是由企事业单位、高等院校、科研单位、非营利性组织、集体等在被迫、平等、开源、合作的根底上组成的非盈利性开源社区。龙蜥社区成立于 2020 年 9 月，旨在构建一个开源、中立、凋谢的Linux 上游发行版社区及翻新平台。 龙蜥社区成立的短期指标是开发龙蜥操作系统(Anolis OS)作为 CentOS 停服后的应答计划，构建一个兼容国内 Linux 支流厂商的社区发行版。中长期指标是摸索打造一个面向未来的操作系统，建设对立的开源操作系统生态，孵化翻新开源我的项目，凋敝开源生态。 目前，龙蜥OS 8.4已公布，反对 X86_64 、Arm64、LoongArch 架构，欠缺适配飞腾、海光、兆芯、鲲鹏、龙芯等芯片，并提供全栈国密反对。 欢送下载： https://openanolis.cn/download 退出咱们，一起打造面向未来的开源操作系统！ https://openanolis.cn

这是 IC 男奋斗史的第 19 篇原创 关注公众号【IC 男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文 3810 字，预计浏览 10 分钟。 之前在《凤姐如何变冰冰？》这篇文章中杰哥有介绍过 CP 测试，也提到了 CP 测试须要用到探针卡。那么探针卡到底是什么？探针卡在芯片测试畛域的利用现状如何？寰球有哪些次要的探针卡制造厂商？国内的探针卡企业倒退如何？杰哥将在这篇文章中为大家一一解答。 探针卡是什么？ 从利用角度看，探针卡是连贯 ATE 测试机台与半导体晶圆之间的接口，是实现 CP 测试的必备器件，也是晶圆测试中的外围耗材。 在 CP 测试过程中，ATE 测试机台不能间接对晶圆进行量测，须要通过探针卡中的探针(probe) 与晶圆上的焊垫(pad) 或者凸块(bump) 接触后，能力与晶圆中的芯片(chip) 建设电气连贯，从而达到电性能测试的目标。CP 是 chip probing 的缩写，其命名就是来源于探针卡，这也体现出探针卡在晶圆测试中的外围位置。 通过对晶圆上的芯片进行电性能测试，就能够筛除其中有缺点的芯片，而后再去做封装。这样既能够缩小芯片封装的老本，同时也能保障芯片的品质。 从构造上看，探针卡次要由 PCB、探针以及性能部件等组成。依据不同的状况，还会有电子元件、补强板(Stiffener) 等需要。其中 PCB 是芯片测试须要的连贯板，芯片测试须要的所有外围电路通常都在 PCB 下面实现。 晶圆测试应用的探针卡属于定制器件，每一款产品都须要供应商依据芯片设计公司提供的输出信息进行定制化设计，不具备通用性，所以其出货量也不大。即使一款芯片在其生命周期内年出货量能够达到上百万片，探针卡的需求量通常每年也不会超过 3 个。 探针卡在芯片测试畛域的利用现状 探针卡依照其构造类型次要分为悬臂式探针卡(Cantilever Probe Card)、垂直式探针卡(Vertical Probe Card) 以及 MEMS 探针卡(MEMS probe card) 三种类型。 1 悬臂式探针卡 悬臂式探针卡通常体积较大，探针直径也较大。探针的间距不能做的太小，探针数量也不能做的太多。次要利用于焊垫(pad) 或者凸块(bump) 尺寸较大的芯片上，例如传统的 Analog 芯片、Driver 芯片、Logic 芯片与利基型 Memory 芯片等。 ...

这是IC男奋斗史的第18篇原创关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文1771字，预计浏览4分钟。 杰哥在后面几篇文章中有提到过，疫情之后寰球范畴内呈现芯片供给短缺问题。2021年开始各大半导体企业纷纷扩充产能以应答“缺芯潮”。 依据IC Insights统计，2021年整个半导体行业的资本收入高达1131亿美元，2022年预计达到创纪录的1520亿美元。寰球13家资本投入增速超过40%的半导体企业，在2021年总共投入606亿美元，同比增长62%。这些企业2022年预计总投入918亿美元，同比增长52%[1]。 这两天看到网络上有不少业内人士批评这些半导体企业是在自觉扩张，也有人说是千金豪赌。杰哥也想联合这个问题，剖析下整个半导体行业将来几年的发展趋势。 参考上面这张图，咱们能够把这13家企业分为两类。其中GlobalFoundries(格罗方德)、Vanguard(世界先进)、UMC(联电) 以及TSMC(台积电) 这4家是晶圆制作企业，也就是咱们通常说的晶圆代工厂；Winbond(华邦电子)、Nanya(南亚科技)、Renesas(瑞萨)、Analog Devices(亚德诺)、ONsemi(安森美)、ST(意法半导体)、Intel(英特尔)、TI(德州仪器)、Infineon(英飞凌) 9家全副是IDM(Integrated Design and Manufacture)，也就是垂直整合型模式，具体指的是从芯片设计、制作、封测到销售全副都一手包办的半导体企业。 这两类半导体企业的共同点是芯片制作，也就是说这两年整个半导体行业投入最大的其实是芯片制作畛域。这也很好了解，芯片制作是重资产行业，生产用的设施动辄上千万人民币，所以芯片制作企业扩产必定会导致资金投入老本大幅度减少。 据IC Insights预测，2022年寰球半导体市场预计增长约11%，达到6800亿美元[2]。从市场端看，2022年整个半导体行业上游利用端需要仍旧强劲，芯片制作企业产能继续吃紧，须要加大投入裁减产能放弃增长。 2022年3月8日，国内芯片制作龙头企业——中芯国内对外披露了2022年前两个月的经营数据。经初步核算，中芯国内前两个月营业支出同比增长59.1%，净利润同比增长94.9%，实现了2022年的开门红[3]。产能布局方面，中芯国内上海临港新厂曾经于2022年初动工，北京和深圳两个我的项目也稳步推动，预计2022年底能够投入生产。 寰球芯片制作龙头企业台积电的产能更是热门，连苹果、高通、AMD等数十家科技巨头都须要提前领取巨额预付款，能力拿到其高端工艺制成的产能。台积电岂但裁减了原有工厂的产能，还正在寰球范畴内投资新建几家新厂。其中台湾地区的3nm厂和5nm厂正在建设，美国工厂目前曾经动工。 不光是台积电，韩国三星、台湾联电等企业对于其高端工艺制成的产能也须要客户提前领取预付款。而且芯片设计公司一旦领取预付款，就示意锁定了产能，前面就必须生产，否则将面临损失。这就好比买房子的时候先付定金，把房子锁定，前面再走交易流程。如果长期反悔不想买了，定金大概率也拿不回来了。不过有区别的是，芯片设计公司的预付款通常数额微小，不是买房定金能比的。 比方杰哥晓得的几家国内芯片设计公司，须要跟台积电提前半年预约产能，还要向其提供短缺的现金流证实。当初的晶圆代工厂就是乙方爸爸，不论你甲方如何牛逼，都得低声下气求人办事。 晶圆代工厂裁减产能是因为来自芯片设计公司的订单需求量大。而IDM企业间接面对的是上游芯片利用端，能获取到第一手的市场需求。IDM企业也在裁减芯片制作产能，更能阐明市场需求的继续强劲。 继续旺盛的市场需求给了这些芯片制作企业扩产的信念，但他们并不是在自觉扩产，而是因为从客户那里拿到的理论生产订单超出了本人的供给能力。这些企业通过扩产来满足客户需要的同时，也给本人也带来了新的增长。 从2022年底开始这一波新增的产能将开始逐渐开释，寰球缺芯问题预计2023年开始能够失去无效缓解。 尽管整个半导体行业于2023年开始进入短暂调整期，但杰哥预测2025年左右又将迎来新一轮疾速增长期。 因为后面几年市场需求旺盛的时候，通常芯片厂商都备了不少库存，2023年开始芯片供给稳固后须要优先把这部分库存消耗掉。所以给到芯片制作企业的需求量就会绝对缩小，芯片制作企业可能会呈现产能过剩问题，但持续时间不会太长，因为个别芯片厂商的库存备货最多不会超过2年。 随着5G、人工智能、物联网、主动驾驶等技术的减速落地，半导体上游利用端的需要会疾速暴发，从而率领整个行业进入新一轮增长期。将来是万物互联的数字化时代，芯片利用随处可见。 在国家“东数西算“、“中国制作2025”等政策环境下，杰哥对半导体行业、尤其是中国半导体行业将来十年的倒退都放弃乐观态度。 芯片制作企业这一轮扩产除了应答最近几年的“缺芯潮”以外，也是在为整个行业进入下一轮疾速增长期提前做筹备。正因为芯片制作企业对整个半导体行业将来的倒退也是持乐观态度，所以才会“千金豪赌”。 全文完。 参考文献： [1]半导体企业的千金豪赌：https://finance.sina.cn/2022-...； [2]三大权威调研机构预测2022年寰球半导体增长约10%，2023年消退恐难防止：https://www.eet-china.com/new...； [3]中芯国内2022年“开门红” 前两月净利同比增长95%：https://company.stcn.com/gsxw...； 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 扫码加杰哥助理微信，收费提供各种半导体行业研报： ●我要跳槽了！●半导体资料的国产代替，时机与挑战并存！●紫光展锐解除楚庆CEO职务，外部员工爆料那些鲜为人知的内幕！●半导体资料的国产代替，时机与挑战并存！●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第17篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！本文1948字，预计浏览5分钟。 接上文：我的奋斗：我在外企那些年（一）我的奋斗：我在外企那些年（二） 人生第一次跳槽 2018年上半年，工作上loading不够，共事又接踵而至地来到，然而杰哥过后并没有被动寻求扭转。这是因为我其实是一个门路依赖十分重大的人，不违心被动走出本人的舒服区。杰哥曾经习惯了外企的工作环境与团队气氛，心理上也没有做好跳槽的筹备。 杰哥在《我的奋斗：我在外企那些年（二）》这篇文章中有提到过，从2017年底到2018年中这段时间，因为中美贸易战，国内半导体行业产生了天翻地覆的变动。外企的芯片人才开始陆续跳槽至国内芯片企业，尤其初创公司。然而杰哥过后并没有察觉到，这是十分不明智的行为。 在杰嫂的再三倡议下，杰哥才决定去市场上看看机会。这里须要重点褒扬下杰嫂，每次在我人生的要害节点，她总是能及时地揭示我，包含这一次跳槽，也包含咱们买上海的房子等等。这些杰哥会在前面的文章中做具体的复盘。 当初回过头来看，杰哥是18年下半年才开始看机会的。这时候其实曾经有点晚，上半年曾经有不少好坑位被占了。如果杰哥早点看机会，兴许当初的职业倒退状况会更好。 环境时刻都在发生变化，将来有各种可能，谁也不能保障本人会在一家公司干到退休。咱们要对本人所从事的行业变动放弃敏感，常常理解待业市场的行情。 条件容许的状况下，即便不到职，也能够尝试去面试里面的岗位，而后针对本人欠缺的中央去做能力晋升。只有这样能力让本人始终放弃市场竞争力，在下一次跳槽时立于不败之地。 offer抉择 第一次跳槽其实有点仓促。大略只面试了一个月工夫，杰哥拿到了两个offer。一个是华为无线部门做5G通信零碎测试，另一个是某AI芯片独角兽做芯片测试。两家公司给的薪资待遇差异不是很大，华为比某AI芯片独角兽多几万，发展前景都还不错。 华为是国内科技企业的标杆，无线是华为的外围业务，5G在过后又是重点倒退对象。AI芯片独角兽，过后还处于守业初期，规模不大，然而发展势头很猛。 杰哥陷入了艰巨的抉择窘境。 坦白说，杰哥过后是偏向于去华为的，在模仿芯片巨头工作了5年多，杰哥心田还是想去大企业。 杰哥征询过在华为工作的前共事，也失去了侧面反馈。一方面，华为的机会是我交大的学弟帮忙举荐的，而我要去的也正好是他们团队，面试都是学弟全程帮我安顿好，校友印象很加分；另一方面，我跟部长面试时聊得很投机，部长还帮我争取了不错的职级和薪资，甚至他们还请我吃饭，印象分又加不少。 而AI芯片独角兽这边，进度比拟迟缓，第一轮面试完后两个礼拜都没反馈，第一印象很不好（入职后才晓得，负责招聘的HR切实太忙了）。直到华为那边催我入职，我迫于无奈找到面试我的总监，跟他说下周筹备入职华为，他连忙亲自推动HR加快进度。尽管offer很快发给我，但留给我做决定的工夫也没几天了。 关键时刻，杰嫂又一次起到了王牌军师的作用。咱们一起从行业倒退、薪资待遇与降职空间3个维度做了具体的剖析与探讨。这里杰哥简略复盘下，心愿能给大家提供借鉴。 1从行业倒退看 2018年通信行业早已过了巅峰期，始终在走下坡路。尽管5G技术带来了新的增长点，但也无奈扭转整个行业如日方升的大趋势。而贸易战之后，全国从上到下都在关注芯片“卡脖子”问题，国内芯片行业开始走上风口，忽然变成向阳行业。集体的职业倒退下限，是由行业的天花板决定的。 2从薪资待遇看 华为尽管多几万，但税后差异不大。短期看的确是去华为支出更多，久远看AI芯片初创公司前面会有分股票的机会。换句话说，华为的支出更稳固，预期是能看到的；而AI芯片公司这边不确定性更大，股票是个未知数，上市工夫、股价都不确定，冀望也更高。 3从降职空间看 华为是倒退成熟的大企业，有十分欠缺的考核机制与降职体系，去了大概率是做螺丝钉，很少有降职的机会。AI芯片初创公司还处于高速扩张阶段，尽管流程与管理体系还比拟凌乱，然而做的好的话，降职机会与空间必定要比华为大。 最终咱们达成统一，决定去做AI芯片。 这一次的跳槽经验，让我对本人有了清晰的意识。通过跟猎头和不同企业的HR沟通，让我对半导体行业倒退现状理解得更为全面。 在外企的5年，杰哥始终埋头工作，对外部环境理解得非常少，以至于跳槽时猎头举荐的很多芯片公司我都没听说过。我分明的记得，过后猎头给我举荐一家十分火的芯片设计公司时，我答复说不晓得，猎头过后很诧异，我也一脸懵逼。起初我跟杰嫂聊起这件事，她也很无语。连她一个外行人都晓得这家公司，我居然不晓得！我是真的该好好反思下了。 从这件事，我失去了一个教训：要对本身所从事的行业放弃十分清晰的认知，对行业倒退动向放弃高度敏感。及时理解行业内有哪些优良的企业怀才不遇，这些优良的企业就代表着行业的倒退方向。摸清楚大方向，你能力在关键时刻做出正确的抉择。而抉择，远远比致力重要。 长者曾曰过，“一个人的命运啊，当然要靠自我奋斗，然而也要思考到历史的行程。”起初的职业倒退证实，我的抉择是对的。 最初，杰哥祝所有女同志节日快乐！对人生中最重要的女人——杰嫂致以最真挚的感激！ 全文完。 相干文章： 我的奋斗：我在外企那些年（一）我的奋斗：我在外企那些年（二） 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报： 图片 世界因你们而漂亮 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●紫光展锐解除楚庆CEO职务，外部员工爆料那些鲜为人知的内幕！●半导体资料的国产代替，时机与挑战并存！●系列文(下)：这是咱们的黄金时代●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第16篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文1574字，预计浏览4分钟。 本文两则问答都来自私信征询。杰哥已征得对方批准把内容展现在公众平台。 感激对杰哥的信赖，杰哥会竭尽所能帮忙大家。 修建转IC模仿幅员 问： 本科电气工程，从事建筑业两年，目前已到职。当初筹备培训进入IC行业的模仿幅员，是否还有机会上车？ 答： 你好，我感觉对于你来说，当初转行到芯片做模仿幅员(layout)工程师齐全没有问题。 首先，国内芯片行业这两年进入高速发展期，人才需求量十分大，薪资待遇也水涨船高。抉择一个处于上升期的行业，你将来几年的职业倒退随着行业大环境一起回升，大概率也会很不错。 其次，本科毕业两年也就是25岁左右，当初转行开始从头学也来得及。何况你本科还是电气工程业余，像数电、模电、电路剖析等根底课程应该都学过，有肯定的芯片从业根底。 最初，也是最重要的一点，抉择一家人才培养流程比较完善的公司，或者有资深的layout工程师违心带你的公司。这样对你转行初期的帮忙会很大，也会给你当前的职业生涯带来很大的帮忙。 无线通信转SSD（固态硬盘）芯片 问： 杰哥，你感觉SSD当初还有前景吗？目前我在做无线，但手里有个做SSD芯片的offer。 答： 1无线通信行业大趋势向下 从2010年开始，通信行业曾经过了巅峰期，始终在走下坡路。尽管5G等新技术带来了新的时机，但也扭转不了整个行业如日方升的大趋势。 杰哥在2010年南邮本科毕业时，大学室友中有2个去了通信运营商。毕业后咱们差不多每年聚一次，每次都能从交换中感觉到通信行业比前一年又差了一些。直到去年，其中一个深圳挪动的室友曾经跳槽去了腾讯。 有一件杰哥印象特地粗浅的事，也能够从另一个角度反映通信行业的上行趋势。 记得我本科毕业找工作时，最优良的学生都还争着去通信运营商。然而本科毕业三年左右的时候，在挪动工作的室友就埋怨说，回母校招聘曾经招不到优良的学生，因为这些学生根本都抉择去互联网公司。又过了几年，他说曾经不回母校招聘，因为去了也招不到人。 2存储芯片处于红利期 SSD芯片属于存储芯片中的一个重要分支。整个中国半导体行业处于疾速回升阶段，行业倒退处于红利期。 2020年存储(Memory) 芯片市场规模达到1175亿美元，仅次于逻辑(Logic) 电路位列第二。2003-2020年复合增长率约8%，位列集成电路畛域第一，同期市场规模占比从23%晋升至33%。 存储芯片次要由内存(DRAM) 和闪存(NAND Flash) 两大类产品形成，前者是内存类产品的存储介质，后者是固态硬盘的存储介质。 此前受到NAND Flash产能转换带来的原材料供给富余度影响，2018年前后存储芯片价格经验了先大幅回升既而迅速下滑的变动，带来了市场规模的短期稳定。 长期来看，寰球范畴内存储芯片市场将保持良好的增长态势。只管疫情的影响给半导体市场带来不确定性，寰球范畴内一直深入的数字化过程仍将为这一市场的增长提供无力的保障。 存储芯片是内存和闪存次要的上游原材料，其持重的增长步调折射出相应产品市场的强劲需要。 3固态硬盘代替机械硬盘是大趋势，SSD将来几年需求量会持续增长 固态硬盘相较于机械硬盘呈现较晚，市场推广晚期份额较低，2015年寰球出货量占比仅有不到15%。据统计核算，2020年寰球固态硬盘出货量首次超过机械硬盘，2023年寰球固态硬盘出货量占比将超60%，达到2015年占比的4倍以上。 IDC数据显示，2020年寰球企业级固态硬盘收入已超过企业级机械硬盘，预计这一趋势将来仍将继续。 固态硬盘相较于机械硬盘在诸多畛域有着显著的性能劣势，而固态硬盘出货量占比的持续增长体现出市场对其高性能的认可，随着其价格继续优化，市场竞争力将会进一步提高，实现对机械硬盘更深层的代替。 4将来是数字化时代，在国家“东数西算”大政策下，存储芯片的需要会继续强劲 近期国家提出“东数西算”大政策，将来几年将会有不少大型数据中心须要建设，给存储芯片的市场带来了新机遇。 将来是数字时代，各类大数据都须要存储。作为存储器原材料的存储芯片，其市场需求与增长空间都相当大。这是一个很好的行业细分畛域。 综上所述，杰哥倡议你早点抉择SSD芯片，趁着行业红利期占一个好的坑位，给本人的职业生涯打下松软的根底。 全文完。 相干文章： 我是一名数学业余的应届博士，我该如何抉择offer？ 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报 惊蛰 | 春雷响，万物长 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●紫光展锐解除楚庆CEO职务，外部员工爆料那些鲜为人知的内幕！●第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！●系列文(下)：这是咱们的黄金时代●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

近年来，越来越多的企业抉择走出国门，为产品开辟海内市场。正所谓“顺境之中见真章”，在疫情与“逆全球化”的影响下，局部出海企业都受到了不同水平的影响，但也有企业在此顺境之中“转危为机”，摸索出了一条十分期间的企业出海科技抗“疫”之路。 凭借 “新渠道策略“，高通量算力芯片出海领军企业JASMINER，承压之下高歌猛进，并从泛滥出海玩家中怀才不遇，为寰球累计约5亿用户提供了稳固良好的算力体验，成为全球化区块链、人工智能等新基建畛域头部高通量算力技术品牌。 目前，JASMINER旗下产品矩阵次要开辟的“高通量、低功耗”产品线，包含区块链专用算力解决方案、人工智能通用芯片在研解决方案以及相干算力服务，已惠及寰球38个国家和地区，遍布五大洲。同时，自启动海内代理招募打算以来，JASMINER寰球劣势代理商已遍布美国、加拿大、日本、韩国、欧洲等多个国家和地区，而随着JASMINER品牌知名度一直晋升，代理商开辟仍在飞速增长中。 作为一家全球化科技品牌，JASMINER多年在研发继续投入与翻新，肩负“品质担当”，深谙好高鹜远做好产品才是王道。2021年，JASMINER突破萦绕行业多年的困局，以“算力让世界更美妙”的品牌核心理念，率先公布了新一代“存算一体高通量算力芯片”——JASMINER X4，强势进军寰球高通量芯片市场。其“高通量、低功耗”的要害劣势，除了将技术倾泻于高性能计算的体现，更刻画出清洁环保、绿色高效的新时代价值，一经推出备受海内外专业人士激赏。 泛滥海内出名科技博主反馈，搭载JASMINER X4芯片的算力产品能够带来十分稳固的应用体验，不仅能够在继续输入的同时，还不占用大量功耗，这是高通量芯片在低功耗技术畛域的一项十分有意义的翻新。此外，翻新的“高通量、低功耗”设计在算力方面也领有相对当先的劣势，能够为用户带来非个别的稳固晦涩体验。 JASMINER示意，公司管理层开辟的“新渠道策略“优化了业务管理，为创始寰球业务蓝图起到了十分重要的作用。 JASMINER首先建设了以客户为核心的体系。在企业外部零碎建设了客户的根本信息管理、客户的关系治理与客户需要治理等模块，为解决寰球客户工作中的“痛点”提供了无效的帮忙，更好地赋能了市场营销治理团队，以及市场笼罩策略布局落地等。 此外，通过寰球劣势代理商的叠加效应，JASMINER还实现了欠缺的销售治理和商机线索治理，可能让客户更好的感触到专业性服务和更优质的客户体验，同时也能让更多的客户享受到JASMINER科技成果、牢靠的产品质量及欠缺的服务。 最初，“新渠道策略“的推动更减速了JASMINER全球化人才策略的落地。通过寰球员工的严密沟通，保障员工更快相熟海内本地文化，尊重当地法律文化，让JASMINER市场团队能够跟寰球范畴内的客户疾速建设互信，并牵引着JASMINER国内市场，尤其是发达国家市场的无缝对接，一直打造全球化公司。 以后，数字化正在开启新一轮的全球化，并激发企业全因素的后劲，成为寰球经济的深入交融与可继续翻新倒退的无效门路。对于JASMINER而言，出海之路仍是时机大于挑战，将来唯有持续“风雨兼程”，保持戗风破浪开新局的勇气，重视产品翻新并深耕产品质量，打造寰球消费者可信赖的产品和品牌，才是疫情“新常态”下跨过出海难关的制胜之策。

这是IC男奋斗史的第15篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文2060字，预计浏览5分钟。 接上文：俄乌和平影响寰球半导体资料供给，芯片老本恐上涨 从国内半导体产业的倒退现状来看，半导体资料是整个产业链最大的短板，与世界先进程度的差距大于芯片设计、制作、封测等环节，半导体资料倒退过程甚至落后于设施。半导体资料的国产化火烧眉毛！ 半导体资料国产化的时机 1国产代替空间大 不论是晶圆制作还是芯片封装畛域，次要的资料供应商还是以国外大企业为主，国内企业的市场占有率非常低，国产代替的空间很大。 晶圆制作资料方面，日本在大尺寸硅片(8寸和12寸)与光刻胶畛域简直处于垄断位置，电子气体也被欧美日等大企业联结垄断。 芯片封装资料方面，基板和引线框架次要由日本、韩国、中国台湾的企业占据主导，键合线尽管大部分在国内生产，然而外资品牌厂商依然占据大部分的市场份额。 依据公开数据，目前很多要害的半导体资料国产化率还不到10%，在一些技术壁垒十分高的畛域甚至有余5%。反过来看，这也意味着半导体资料的国产化空间十分大，很多要害畛域都有90%以上的空白能够填补。 2国内半导体资料迎来政策红利期 受贸易战影响，芯片的国产化代替曾经成为必然趋势。作为产业上游的半导体资料，也属于“卡脖子”的关键技术，须要尽快实现国产代替。 国家半导体产业大基金一期就曾经投资了国内硅片龙头沪硅产业，二期更是把半导体资料作为重点投资畛域。 大基金二期持续加大了对沪硅产业的投资，此外还新增了电子气体供应商派瑞特种气体、光刻胶供应商宁波南大广电、电子级磷酸供应商兴福电子以及封装基板供应商深南电路的投资。大基金二期笼罩硅片、电子气体、光刻胶、高纯试剂以及基板等关键环节，表明国家在一直进步对半导体资料畛域的器重水平[1]。 3寰球半导体资料短缺给国内企业带来百年不遇的国产代替机会 芯片短缺蔓延至上游资料端，国内芯片制作与封装企业在资料短缺的时候也更有志愿导入国内供应商的产品。 寰球半导体资料供给呈现短缺后，国内芯片制作与封装企业从国外供应商处拿到的产能会受到影响，通常资料供应量会受到限制并且交付周期会变长。 这就给国内半导体资料企业带来了机会。如果这些企业可能趁此抓住机遇，迅速填补这个空缺，成为国内芯片制作与封装企业的稳固供应商，就能够实现这一部分的国产代替。 例如沪硅产业就抓住寰球硅片供给短缺的机会，胜利打入中芯国内、武汉新芯等国内次要芯片制造厂商，实现了国产代替。深南电路也抓住了寰球基板供给短缺的时机，胜利打入寰球三大封测厂日月光、安靠科技以及长电科技的供给体系。 从这两个胜利的案例能够看出，半导体资料国产化的机会曾经成熟，国内半导体资料企业迎来了十分好的时机。 半导体资料国产化的挑战 1很多高端半导体资料须要从零开始 国内半导体资料技术根底绝对单薄，在很多细分畛域还处于空白状态，须要实现从零到一的冲破，其难度不亚于芯片的国产代替。 以晶圆制作为例，28nm以下先进制成工艺所须要的资料国内目前还处于空白，65nm以下硅片、光刻胶、湿电子化学品以及电子特气都还处于空白，90nm以下硅片、光刻胶还尚未实现国产代替。 这些都属于高端半导体资料，技术难度绝对较大。对于国内企业来说，想要填补这些空白畛域，还有很长的路要走。 2美日欧等国在很多要害资料的核心技术上对国内施行技术封闭 2020年2月，《瓦森纳协定》中的美国及日本等42个国家决定，将进口管制范畴扩充到可转为军用的半导体制作资料以及网络软件，避免半导体资料相干技术外流到中国[2]。 据日本媒体报导，美日两国政府最近正在钻研成立标准尖端技术进口管制的新框架，同时也思考欧洲国家单干。具体的标准对象目前还在钻研，但可能包含半导体制作、量子技术、人工智能等相干技术。其目标也是限度中国在包含半导体资料的高端技术畛域的倒退。 面对美日等国的重重围堵，国内半导体资料企业须要一直晋升本身创新能力，放慢技术积攒与产品迭代速度，乘风破浪、突出重围，须要在关键技术上能获得重大突破！ 3半导体资料相干人才紧缺 半导体资料畛域人才储备不够，相干毕业生很多都去了薪水更高的芯片设计企业。 最近两年杰哥都参加了公司的应届生校招工作。杰哥从事的是芯片设计公司里的生产测试相干的岗位，很多资料业余的应届生都过去面试。 出于好奇杰哥有专门问过几位面试者，为什么不去投身半导体资料企业相干的岗位？这样业余更对口。失去的答案很切实——设计公司给的薪水更高。 杰哥在之前的文章中讲过，目前半导体人才依然处于供不应求的状态，新增的人才大部分都去了芯片设计公司。半导体资料企业面临的人才短缺问题更加重大，有必要引起整个行业的器重并加大资金投入。 芯片的国产代替不是单纯地依附设计公司就能够搞定，须要整个半导体产业链的反对。从上游半导体资料供给到中游芯片制作与封装测试，而后到上游市场利用，每个环节都要最大限度的实现国产化。其难度可想而知，要不怎么说半导体是制造业的皇冠呢！ 只有实现了整个产业链关键环节与关键技术的国产代替，咱们能力齐全突破国外的技术封闭，真正实现中国芯！ 路漫漫其修远兮。吾将上下而求索！ 全文完。 相干文章：俄乌和平影响寰球半导体资料供给，芯片老本恐上涨 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报 参考文献： [1]大基金二期2021年的投资幅员：https://moore.live/news/28375...；[2]美日等42国增强半导体基板技术进口管制，避免外流到中国：https://m.guancha.cn/industry...； END 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●紫光展锐解除楚庆CEO职务，外部员工爆料那些鲜为人知的内幕！●第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！●系列文(下)：这是咱们的黄金时代●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第14篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！本文1058字，预计浏览3分钟。 这两天，各大媒体都在纷纷报道，紫光展锐董事会忽然发表解除楚庆CEO和董事职责。所谓“在行看热闹，外行看门道”，杰哥作为业内人士，打听到不少小道消息，不保障真实性，大家就当八卦听听就好。 紫光展锐，尽管是由紫光团体旗下的展讯通信、锐迪科微电子合并而成，但业内人习惯称之为“展讯”。 楚庆于2018年底退出展讯，但从2019年开始到当初，展讯每年的到职率高达30%左右。这是一个什么概念呢？2年工作教训的研发人员在展讯的一些组里都算资深员工，剩下一堆应届生嗷嗷待哺。因为更有教训的老员工根本都到职了。 老员工大量到职的起因有以下几点： 1薪资倒挂 楚庆任职期间，2019年之前入职的老展讯人不受待见，很多老员工几年都没有加薪。最夸大的是2020年入职的应届生工资甚至倒挂了2016年入职的老员工，据这位老员工自己走漏，在展讯工作四年就加过一次薪，而月薪居然只涨了500块！ 去年搞了个骚操作，名义上说大规模加薪，后果只针对入职两年的应届生。老员工真就自挂西北枝了呗！ 2同行高薪挖人 这几年半导体行业走上风口，资本涌入，各种芯片守业公司涌现，明星芯片企业排队等着上科创板。这些企业疯狂高薪挖人，展讯的人被少量挖走。 前两年OPPO挖人的时候，间接在展讯对面的酒店包了个房间，给展讯员工的薪资间接翻倍。 3内斗重大，华为海思系一家独大 楚庆退职期间，华为海思系员工大量退出展讯，公司二把手、三把手都被撸掉换成海思的人。楚庆从海思挖来某博士负责研发部门，此人十分长于搞外部奋斗，把老展讯人都斗走了。就算领导职位空缺，也不提拔基层展讯老员工，很多基层研发团队都是空降海思系leader，导致老展讯人不满，很多技术骨干相继到职。 于是有人调侃，展讯就是华为分舵。 楚庆被解除职务，目前还在展讯的很多老员工示意皆大欢喜，据传言还有人专门开车几十公里去上海外环外放烟花庆贺。 有人就有疑难了，楚庆在紫光展锐期间，业绩蛮好的。据展锐最新颁布的2021年业绩显示，营业支出117亿元人民币，同比增长78%，其中，生产电子业务收入同比增长超过60%，工业电子支出同比增长超过120%。 那为啥还会被撸呢？这几年业绩好齐全是大环境缺芯的起因，再加上华为被制裁，相干市场被释放出来，展讯渔翁得利吃掉一部分。楚庆其实没做什么事，这种大环境下，换个傻子业绩都不会差的。 其实展讯这家公司始终挺凌乱的，内斗重大。2015年，展迅挖来时任联发科手机芯片部门前最高主管——袁帝文，此人带了很多本人人进公司，与老展讯人开始了内斗。没想到楚老板来了后，全副撸走。 新上任的CEO任奇伟也是空降到展讯。从目前的状况看，展讯的管理层很可能又会面临新一轮洗牌，团队稳定性恐怕还会受到影响。 全文完。 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报： END 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●俄乌和平影响寰球半导体资料供给，芯片老本恐上涨 ●系列文(下)：这是咱们的黄金时代 ●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方 ●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第13篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！本文2815字，预计浏览8分钟。 2021年寰球范畴内都呈现了芯片短缺的问题，杰哥在后面的文章中都有过详解（《系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方》《第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！》）。 芯片短缺问题由上游利用市场反馈到芯片设计公司，再由芯片设计公司传导至一级供应商——芯片制作企业，如晶圆厂和封测厂等，造成芯片制作企业产能爆满。 2022年芯片制作企业产能持续吃紧，各大晶圆厂与封测厂纷纷裁减产能，用于晶圆制作以及芯片封装的资料需要持续增长，半导体资料全面告急！芯片短缺问题，再由一级供应商芯片制作企业蔓延至二级供应商半导体资料企业。 就芯片封装来说，目前国内外各大封装厂的产能根本都达到满载状态，优先满足大客户的需要，很多小型的芯片设计公司连产能都拿不到。 基板厂就更夸大了，产能比封装厂还缓和。拿到产能的状况下交期也要长达半年左右，而且各大基板厂FCBGA封装基板的订单曾经排到了2023年。 杰哥负责封装的共事每次都埋怨说，当初是丙方（基板厂）市场，甲方（设计公司）得求着乙方（封装厂）干活，乙方还不见得有工夫。然而背地真正的大佬是丙方，一言不合间接给你断供，你就得歇菜。 半导体资料的供给现状 半导体资料是用来生产芯片的间接或者间接辅助原料，品种十分多。这里咱们次要介绍下用于晶圆制作的硅片、电子气体、光刻胶以及用于芯片封装的引线框架、基板、键合丝等。 1硅片(wafer) 硅片是晶圆厂最重要的原材料。杰哥在《凤姐如何变冰冰？》这篇文章里讲过，晶圆厂通常不生产硅片，都是从资料供应商那里间接购买。做芯片用的硅片是制作技术门槛极高的尖端高科技产品，寰球只有十几家企业有能力做。 排名前五的硅片厂商寰球市场占有率超过90%，其中日本信越半导体与日本盛高科技别离以28%和22%的市场占有率排名前两位，两家企业加起来占据市场的半壁江山。如果只看200mm(8寸)和300mm(12寸)硅片市场，两家日本企业的市场占有率甚至超过70%，可见日本在半导体资料畛域的垄断位置[1]。 2021年第四季度，日本盛高科技对外声称，目前公司接到的长期订单曾经笼罩将来五年内300mm硅片的全副产能。至于150mm(6寸)和200mm的硅片，尽管没有承受这么长期的订单，但将来几年需要也会继续超过供给[2]。 据SEMI统计，2021年寰球共有19座新的高产能晶圆厂动工建设，2022年预计还会再动工建设10座。以200mm硅片等效计算，这29家晶圆厂每月硅片需要约260万片。依据各大晶圆厂扩产打算，大量新增产能将在2022年下半年到2023年开释，届时须要更多的原材料硅片，那么寰球大尺寸硅片将面临短缺。 2电子气体(electron gas) 电子气体在晶圆制作过程中被广泛应用于光刻、离子注入、刻蚀、气相沉积、参杂等工艺，被称为芯片制作的“血液”。 依据中国半导体行业协会数据，因为电子气体在晶圆制作过程中应用的步骤较多，消耗量远高于其余资料，占比约14%。电子气体作为半导体制作的外围原料，是除硅片外的第一大资料。 目前寰球半导体所需的电子气体次要被发达国家的几个龙头企业垄断。排名前四的电子气体企业，美国空气化工、德国林德-普莱克斯、法国液化空气和日本太阳日酸加起来，寰球市场占有率超过90%[3]。 乌克兰与俄罗斯也是电子气体的次要供应国。其中乌克兰次要生产氖气、氪气和氙气，它们是晶圆制作过程中曝光和蚀刻工艺的要害资料。据统计，寰球70%的氖气、40%的氪气以及30%的氙气市场由乌克兰供给。而乌克兰生产氖气的原材料刚好是俄罗斯制作钢铁的副产品。氖气的供给，俄罗斯与乌克兰两者缺一不可。 杰哥在《第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！》这篇文章中讲过，俄乌局势继续缓和可能会对芯片的要害原材料供给产生影响，这个要害原材料指的就是电子气体。谁成想还没过几天，俄罗斯与乌克兰就打起来了。如果俄乌和平继续降级导致氖气供给短缺，可能会对芯片制作产生影响，从而导致寰球缺芯问题更加重大。 3光刻胶(photo resist) 光刻胶是晶圆制作过程中光刻工艺的要害资料。光刻胶是一种有机化合物，受特定波长光线照耀后其化学构造会产生扭转，在显影液中的溶解度也会发生变化。正胶在曝光后能够被显影液溶解，留下的薄膜图形与掩膜版雷同；而负胶通过曝光后变成不可溶物质，非曝光局部被溶解，取得的图形与掩膜版相同。 在寰球半导体光刻胶市场中，日本企业牢牢占据龙头位置。据统计，2020年日本企业在寰球光刻胶市场的占有率达到60%以上，其中东京应化以25.6%的市场占有率排名第一。 而在高端的EUV光刻胶市场，东京应化、信越化学和JSR三家日本企业的市场占有率加起来超过99%，处于相对的垄断位置。这也是日本政府敢于在2019年日韩关系紧张时，用光刻胶等半导体资料制裁韩国的起因。 受寰球各大晶圆厂扩产影响，预计到2022年下半年开始，光刻胶也会呈现供给缓和的问题。 4基板(substraste) 基板是芯片封装的载体，能够为芯片提供电气连贯、爱护、撑持、散热、组装等效用。 像BGA、CSP、MCM等支流封装类型都须要用到基板。基板是封装市场占比最大的原材料，基板占封装资料比重高达40%。 从市场占有率来看，寰球前十大封装基板企业把握了80%以上的市场份额，其中前三大企业为台湾欣兴(Unimicron)、日本Ibiden、韩国SEMCO，别离占据15%、11%、10%的市场份额。 正如杰哥在文章结尾说的，2021年整个芯片行业最缺的其实是封装基板，很多芯片公司都因为基板短缺而不得不限度出货量，这也是2021年寰球芯片短缺问题的重要起因之一。 目前基板短缺问题还没有明显改善，寰球各大基板厂产能处于满载状态，基板供货周期须要长达半年工夫，像FCBGA这种支流封装类型的基板订单曾经排到了2023年。尽管各大基板厂曾经纷纷裁减了产能，然而基板短缺问题预计要到2022年底才会有所改善。 5引线框架(leadframe) 引线框架也是芯片封装的载体，它须要借助于键合资料（金线、铝线、铜线）实现芯片外部到内部引脚的电气连贯，起到和内部导线连贯的桥梁作用。 像DIP、SOP、TSSOP、QFP等支流封装类型都须要用到引线框架。引线框架占封装资料的比重大概15%，仅次于基板。 从市场占有率来看，寰球前八大引线框架企业占据了62%左右的市场份额，其中日本三井高科技和日本新光作为该畛域的传统强人，别离占据12%和9%的市场份额。 2021年因为疫情限工、上游产能紧缺、铜价暴涨等起因，引线框架产品价格曾经呈现屡次上涨。特地是蚀刻引线框架供不应求，目前日本台湾等供货商订单已全副排满，交期超过半年，引线框架供不应求的情况将会继续到今年年底。 6键合丝(bouding wires) 键合丝是指封装打线(wire bonding)用到的金属线，通常包含金线、铝线、铜线等，起到连贯芯片外部与引线框架的作用。通常用到引线框架的封装类型都须要用到键合丝。引线框架占封装资料的比重靠近15%，仅次于基板和引线框架。 中国是寰球半导体键合丝产品的生产大国，无论是外资品牌还是国内民族品牌，总共有20多家键合丝业余生产厂。然而从企业规模、倒退历程和市场辐射能力来看，外资品牌厂商依然占据大部分的市场份额。这些外资品牌在国内次要还是以半成品资料加工为主，其外围制作技术并未放在国内。 2021年受疫情和铜价暴涨影响，键合丝也呈现了缺货、进行接单、订单交期拉长、跌价等景象。 到目前为止，芯片封装资料的产能危机还并未解除，产能紧缺问题曾经由封装厂蔓延至资料供应商。 未完待续…... 相干文章： 第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！ 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报： 参考文献： [1]【行业深度】洞察2021：寰球半导体硅片行业竞争格局及市场份额(附市场集中度、企业竞争力评估等)：https://xw.qianzhan.com/analy...； [2]五年产能已排满！半导体供需或继续缓和：https://www.eet-china.com/mp/...； [3]2022年中国电子特气行业市场现状及发展趋势剖析国产化率低：https://finance.sina.cn/2021-...； END 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●裸奔？达咩！ ●系列文(下)：这是咱们的黄金时代 ●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方 ●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第12篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文2116字，预计浏览6分钟。 接上文：凤姐如何变冰冰？ 本文次要介绍芯片后道封测流程。 3 芯片封装 芯片封装的流程也很简单，通常也须要经验几十甚至上百道工序，这里我次要给大家介绍下其中的一些关键环节。 封装的第一道外围工序是晶圆切割，切割之前通常会按要求对晶圆背部进行打磨(backgrind)，使其达到封装须要的厚度。 而后再把晶圆依照die的大小进行切割，切割过程中会用纯水一边荡涤一边降温，切割实现后晶圆上的每一颗die就会独立进去。 最初再依据CP测试输入的Inkless Map把晶圆上CP测试pass的die取出来去做封装。 对于不同的封装模式，接下来的流程都不尽相同。这里咱们以FCBGA和QFP为例，给大家做简略叙述。 对于FCBGA封装，接下来咱们会把基板、die和金属散热片重叠在一起，就造成了通常咱们看到的FCBGA芯片的样子。基板相当于一个底座，为die提供电气与机械界面。金属散热片次要负责die的散热，同时也和基板一起对外部的die起爱护作用。 对于传统的QFP封装，接下来咱们会把die放到引脚框架(leadframe)里边，leadframe通常是矩形构造，能够同时搁置多个die。 而后再对每一个die进行打线(wire bonding)，将die外部的pad引出到leadframe的引脚上，使外部的die到内部的引脚建设电气连贯。接下来再给leadframe中每一个放die的地位灌入塑封资料，使die密封在外部。 最初再把leadframe依照每一个die地位切开，并把引脚压弯，这样QFP封装的芯片就成型了。 芯片封装是沟通芯片外部世界与内部电路的桥梁，同时还能够起到安放、固定、密封、爱护芯片和加强电热性能的作用，是半导体制造业的核心技术。芯片封装就好比给芯片穿上外套，不同模式的封装代表不同款式的外套，应用环境各不相同，价格也各不相同。 而且随着摩尔定律逐步靠近极限，将来半导体集成度进步的方向很可能会往封装方面倒退，2.5D/3D封装技术也是目前半导体行业最前沿最热门的钻研畛域之一。 理解芯片封装流程对于从事芯片封装相干的岗位来说是很有必要的，尤其是封测厂技术人员，或者芯片研发团队的封装相干岗位如产品工程师、封装设计工程师、封装NPI工程师等，都属于必备技能。 4 FT测试 FT是Final Test的缩写，通常是芯片出货前的最初一道测试。FT测试属于芯片级测试，是通过测试板(Loadboard)和测试插座(Socket)使自动化测试设施(ATE)到封装后的芯片之间建设电气连贯。FT测试的目标是筛选出满足设计规格的产品卖给客户。 FT测试须要的硬件设施包含测试板、测试插座、ATE测试机台、Handler以及Change Kit。其中Handler也称为自动化分类机，是用来实现FT测试自动化的设施，Change Kit属于Handler的配套治具。 测试工程师须要基于ATE测试平台开发FT测试程序，内容通常包含电气连接性测试、功能测试和参数测试等。程序会依据测试后果Pass或者Fail进行物理分Bin，也就是说把pass和fail芯片物理上分到不同的容器中。 这里咱们也会把不同类型的Fail芯片分到不同的物理容器中，不便对特定类型的fail芯片进行剖析或者重测。 FT测试后果也是以良率的模式进行统计，FT良率就是指pass芯片占测试芯片总数的百分比。FT测试是保障芯片品质的最初一道关卡，也是芯片测试阶段最重要的环节。 现实的FT测试程序是100%覆盖率，也就是说所有的测试项目全副放在FT测试阶段。然而这样做的老本是十分高的。 首先，FT测试Fail损失的是封装后的芯片，蕴含了封装的老本。其次，较高的测试覆盖率须要更多的ATE测试资源，也就意味着FT测试并行度会升高，这样会减少测试老本。两个site并行测试比一个site独自测试必定要划算。所以，须要将FT测试与CP测试综合思考能力找到绝对优化的测试计划。 例如，有一些对封装不敏感的测试项，咱们就放在CP测，FT意外；有一些跟封装关系特地亲密的测试项，咱们就能够放在FT测，CP意外。总之，芯片测试(CP和FT)是一个整体，须要综合考量，找到较好的测试计划。 5 SLT测试 SLT是System Level Test的缩写，SLT测试属于板级或零碎级测试，也是通过测试板和测试插座使测试主机到封装后的芯片之间建设电气连贯。SLT测试的目标是进步产品板生产良率，缩小产品板生产成本。 通常，半导体公司如果间接发售芯片个别不须要做SLT测试，FT测试实现后就能够间接出货给客户。然而有很多半导体企业都是发售搭载芯片的产品板给客户，或者像Intel处理器这样性能绝对固定的芯片，须要在FT测试之后再加一道SLT测试。 SLT测试须要的硬件设施包含测试板、测试插座、Handler、Change Kit以及测试主机与连接线等。 SLT测试属于定制化测试，软件局部灵便度比拟高，不须要基于自动化测试平台开发，齐全由测试工程师自主开发。 SLT测试内容通常包含芯片功能测试、高速接口测试以及DDR内存相干的测试等。与FT测试雷同，程序会依据测试后果Pass或者Fail对芯片进行物理分Bin。 SLT测试后果也是以良率的模式进行统计，SLT良率就是指pass芯片占测试芯片总数的百分比。 从目前半导体倒退的趋势看，在5G、物联网和人工智能的大力发展与推动下，专用型芯片曾经逐步成为将来的支流模式。相应的，SLT测试在芯片测试畛域的受器重水平也越来越高。在不久的未来，SLT测试很可能将会成为芯片测试中最重要的环节。 理解FT测试和SLT测试对于从事半导体封装测试相干的岗位比拟重要，尤其是封测厂如日月光、安靠、长电等测试相干的技术人员，或者芯片研发团队的量产相干岗位如产品工程师、测试工程师等，都属于必备的基础知识。 花了这么多工夫，终于把芯片生产测试流程给大家讲清楚了。心愿我讲的内容能让大家对芯片的生产测试流程有一些理解，晓得芯片是怎么来的。如果你正在或者未来从事半导体行业，心愿这些内容可能帮忙到你。 全文完。 相干文章： 凤姐如何变冰冰？ 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报： END 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！ ●系列文(下)：这是咱们的黄金时代 ●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方 ●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第11篇原创 关注公众号「IC男奋斗史」，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文1892字，预计浏览5分钟。 明天，杰哥带大家理解一下如何从沙子变成芯片，帮忙零根底小白疾速理解芯片生产制作流程。 1 晶圆制作 高大上的芯片最后的原材料其实是沙子，这也是科学技术神奇的中央。沙子的次要成分是二氧化硅(SiO2)，而脱氧后的沙子最多蕴含25%的硅元素，硅是地壳内第二丰盛的元素，这也是半导体制作产业的根底。 沙子通过熔炼和多步污染与提纯就能够失去用于半导体制作的高纯度多晶硅，学名电子级硅，均匀每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。24K金大家都晓得吧，黄金纯度高达99.998%，然而还是没有这个电子级硅的纯度高。 把高纯度多晶硅放在单晶炉内拉制，就能够失去靠近圆柱形的单晶硅锭，分量大概100千克，硅纯度高达99.9999%以上。再将单晶硅锭横向切割成圆形的单个硅片，就失去了单晶硅片，这也就是咱们常说的用来制作芯片的晶圆(Wafer)。 单晶硅在电学性质和力学性质等方面的体现都要比多晶硅更好一些，所以半导体制作都是以单晶硅为根本资料。 举个生存中的例子，能够帮大家了解多晶硅与单晶硅。冰糖大家应该都见过，小时候常常吃的像方形小冰块一样的冰糖，其实就是单晶冰糖。相应的也有多晶冰糖，形态通常不规则，用来做中药或者熬汤用，有润肺止咳的效用。 同一种物质晶体排列构造不同，其性能和用途也会不尽相同，甚至差别显著。 半导体制作企业，例如英特尔、台积电和中芯国内等工厂通常不生产晶圆，只是晶圆的搬运工，都是从Wafer供应商那里间接购买。 晶圆制作就是要把设计好的电路(专业术语叫掩膜，英文名为Mask)在晶圆上实现进去。 首先咱们须要把光刻胶(Photo Resist)平均铺在晶圆外表，在这个过程中须要放弃晶圆旋转，这样能够让光刻胶铺的十分薄、十分平。而后光刻胶层透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶。 掩模上印着事后设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会造成电路的每一层图案。一般来说，在晶圆上失去的电路图案是掩模上图案的四分之一。 接下来是溶解光刻胶，曝光在紫外线下的光刻胶被化学试剂溶解掉，革除后留下的图案和掩模上的统一。而后是蚀刻，应用化学物质溶解掉裸露进去的晶圆局部，剩下的光刻胶爱护着不应该蚀刻的局部。蚀刻实现后，光刻胶的使命宣告实现，全副革除后就能够看到设计好的电路图案。这一系列过程咱们称之为光刻。 光刻的过程其实相似于咱们生存中用傻瓜照相机拍照的过程。铺上光刻胶的晶圆就是相机的胶片，咱们要拍摄的实物就是掩膜，拍照的过程就是半导体曝光的过程，冲洗胶片的过程就相似于前面的蚀刻以及溶解光刻胶。 最初的后果也有些相似，光刻将设计好的电路在晶圆上实现了进去，失去了芯片，如同拍照将实物的样子在胶片上实现了进去，失去了照片。 光刻是芯片制作过程中最次要的工艺之一。通过光刻，咱们就实现了把设计好的电路铺在晶圆上，反复进行就能够在晶圆上实现多个雷同的电路，每一个电路都是一个独自的芯片，英文称为die。理论的芯片制作流程比这个简单得多，通常须要通过成千盈百道工序。所以说半导体是制造业的皇冠。 理解芯片制作流程对于从事半导体生产制作相干的岗位比拟重要，尤其是FAB厂如台积电、中芯国内等工厂的技术人员，或者芯片研发团队的量产相干岗位如产品工程师、测试工程师等，都属于必备的基础知识。 2 CP测试 CP是Chip Probing的缩写，CP测试属于晶圆级测试，是通过探针卡(Probe Card)和探针台(Prober)使自动化测试设施(ATE，Automatic Test Equipment)到晶圆上的单颗芯片(die)之间建设电气连贯。CP测试的目标是确保每颗die都能满足芯片的设计规格（Specification），筛除其中有问题的die，而后再去做芯片封装。这样就能够缩小芯片封装的老本，同时保障芯片的品质。 CP测试须要的硬件设施包含探针卡、探针台、ATE测试机台以及测试机与探针卡之间的接口(Mechanical Interface)。 测试工程师须要基于ATE测试平台开发CP测试程序，内容通常包含电气连接性测试、功能测试和参数测试等。CP测试程序会依据测试后果Pass或者Fail进行分Bin并生成Inkless Map，标记出测试Fail die的wafer map图。 CP测试后果通常以良率的模式进行统计，良率就是指pass die占测试die总数的百分比。相应的，良率损失是指fail die占测试die总数的百分比。CP测试也称为中测，是半导体后道封装测试的第一站，也是芯片制作实现后第一道验证芯片设计规格的测试。 从节俭芯片生产成本的角度思考，咱们应该把尽可能多的测试项目都放到CP测试中，进步CP测试覆盖率，尽可能早地把有问题的芯片筛进来。然而相应地，CP测试硬件的老本(次要是探针卡和测试机台)也会回升，归根到底其实就是一个须要折中思考的问题。 如果芯片市场需求量绝对较大，测试硬件老本与销售利润来比微不足道，那就应该尽量进步CP测试覆盖率。反之，就须要思考节俭硬件老本。 理解CP测试对于从事半导体封装测试相干的岗位比拟重要，尤其是封测厂如日月光、安靠、长电等CP测试相干的技术人员，或者芯片研发团队的量产相干岗位如产品工程师、测试工程师等，都属于必备的基础知识。 未完待续…... 今天21:00公布续篇。 文末扫码加杰哥微信，收费提供各种半导体行业研报： END 关注公众号「IC男奋斗史」，让咱们一起撸起袖子加油干！ ●第三次“世界大战”——芯片保卫战，无烟的战场！ ●系列文(下)：这是咱们的黄金时代 ●系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方 ●芯片工程师太贵，贵你妹啊！

这是IC男奋斗史的第9篇原创 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 本文2941字，预计浏览8分钟。 最近几天，俄罗斯与乌克兰闹得不可开交，局势继续缓和。 2021年12月21日，据路透社独家报道，拜登政府威逼称，若俄罗斯入侵乌克兰，将对其采取经济制裁措施，像看待华为一样，对包含芯片等科技产品施行全面进口管制。而美国市场调研机构Techcet公布报告称，这场和平一旦开打很可能导致美俄两败俱伤。因为乌克兰、俄罗斯是寰球半导体制作用特种气体生产大国，一旦美国对俄罗斯制裁，势必会引起俄罗斯出击，阻止美国获取芯片的要害原材料。白宫已正告美国芯片业要促成供应链的多样化。 这套路咱中国人多相熟啊！这些年，只有国家之间产生地缘政治抵触，采取的经济制裁的形式就是——禁止包含芯片在内的高科技产品和原材料对其进口。 在半导体畛域，这场寰球范畴内的无烟和平早已打响。 2018年3月，美国制裁中兴，让全中国的老百姓都晓得了芯片的重要性。 2019年7月，日本发表对韩国限度进口包含光刻胶在内的三种半导体资料，直击韩国半导体产业的命门。 2020年5月，美国对华为施行第二轮全面制裁。华为被严格限度应用美国的技术或者软件来设计与生产芯片。这一轮制裁间接卡了华为海思的脖子，也简直断了华为自主研发芯片的路线。 2021年9月，英伟达发表收买ARM。英国和欧盟都对这笔交易进行了深入调查，英国监管部门甚至打算以反垄断和国家平安的思考阻止这笔收买。 近期，存储芯片巨头美光科技打算裁撤上海研发核心100人以上的DRAM设计团队，韩国政府发表监督芯片工程师的旅行信息。据专业人士剖析两者都是因为放心其芯片相干的核心技术外流至中国。 进入2022年，这场寰球范畴内的芯片保卫战愈演愈烈，各国纷纷加大对半导体产业的反对力度。 美国520亿美元搀扶半导体产业的芯片法案已在两院通过；欧盟也发表推出芯片法案，到2030年投入450亿欧元用于半导体相干产业；韩国将在将来10年投入4500亿美元反对半导体产业；日本将拨款近万亿日元搀扶芯片产业。中国就更不用说了，2019年10月22日追加成立国家集成电路产业投资基金第二期，2021-2023年的投资规模超过2000亿人民币。 这场寰球范畴内的芯片保卫战暴发的起因是什么？它将对寰球半导体产业链造成怎么的影响？芯片保卫战的实质是什么？中国如何能力博得这场保卫战？杰哥将在这篇文章中为大家一一解答。 1 芯片保卫战暴发的起因 a芯片曾经成为各国争相争夺的资源，其重要性曾经不亚于石油。 一颗小小的芯片关系着社会生产生存的方方面面。军事畛域，没有芯片战斗机上不了天，潜艇下不了水，导弹也打不中指标。航空航天畛域，大飞机、人造卫星、宇宙飞船，哪一个也离不开芯片。工业畛域，数控机床、仪器仪表、自动化控制系统，都集成了多颗MCU芯片。生产畛域，手机、电脑、游戏机，外围都是处理器芯片。 随着人工智能、5G、物联网、VR、新能源汽车等技术的疾速倒退，芯片在科技领域的重要性更加突显。芯片曾经被称为“新型石油”，联想到世界各国之前为抢夺石油资源的所作所为，暴发芯片保卫战也就难能可贵了。 b疫情之后寰球供给缓和，上游利用市场呈现缺芯问题，芯片问题曾经回升至国家经济平安层面。 因为寰球疫情重复，除了杰哥在后面几篇文章中讲到的汽车芯片外（详见《系列文(上)：芯荒荒，汽车芯片路在何方》《系列文(下)：这是咱们的黄金时代》），其余上游利用市场如工业、通信、数据处理、生产电子等，也存在芯片短缺问题。尽管不像汽车市场那样无“芯”可用，然而各类芯片的交货周期都比疫情前缩短不少，最夸大的甚至要两年以上。据供应链剖析公司Supplyframe预计，寰球芯片短缺将继续到2023年[1]。 面对芯片供给短缺的现状，美欧日韩等都加大了对半导体产业的反对力度。拜登政府始终心愿将半导体制作带回美国，日本政府也打算在外乡制作芯片。大家都不想在芯片问题上受制于人。各国政府曾经将芯片问题回升到了国家经济平安层面，像爱护国家经济一样爱护芯片产业。 c贸易保护主义低头，芯片产业被“武器化”。 经济全球化与贸易全球化曾经进行了三十多年，给世界各国人民带来的益处是不言而喻的。然而咱们从芯片行业最近几年的倒退中显著看到了贸易保护主义在低头。 从美国制裁中兴华为到日本限度韩国半导体资料，从英国阻止英伟达收买ARM到韩国监督工程师旅行信息，无不走漏出贸易保护主义的信号。 地缘政治、大国博弈、新冠疫情、数字化转型等都是贸易保护主义低头的成因。芯片产业俨然曾经成为一些国家限度其余国家倒退的武器与工具。 2 芯片保卫战对寰球半导体产业链的影响 寰球半导体产业通过数十年的倒退，曾经造成了残缺成熟的产业链。摩尔定律驱动下的翻新以及为寻求扩充市场份额的频繁并购等，使得行业头部集中化的趋势非常明显。 半导体上游EDA软件畛域90%以上的市场被国外三大企业——Cadence、Synopsys以及Mentor Graphics占据；CPU芯片市场基本上被英特尔和AMD两家企业垄断，其余厂商加起来还不到1%。 晶圆代工畛域台积电一家占据了将近60%的市场，排名前五的企业市场占有率总和靠近90%。寰球三大封测厂日月光、安靠科技以及长电科技加起来市场占有率也超过了55%。 寰球半导体产业链的特点能够简略概括为：上游EDA软件与芯片设计由欧美企业主导，晶圆代工中国台湾一家独大，韩国和美国次之，上游封测次要在亚洲，半导体资料大部分被日本垄断。 从半导体产业链的特点看，没有任何一个国家能够实现整个产业链的齐全本土化，单靠对于技术和人才的封闭对整个行业的翻新倒退毫无好处，各国发动的芯片保卫战对整个半导体行业是无害的。 这样岂但会给企业带来额定的老本与累赘，影响产品的市场与销售，更重要的是会减弱整个行业的创新能力，减速寰球半导体行业内卷。 3 芯片保卫战说到底还是人才的竞争 半导体产业链的上游次要是脑力密集型劳动，包含EDA软件与芯片设计企业，其次要的生产力就是工程师的教训与智慧。 杰哥始终在芯片设计畛域工作，对这个比较清楚。芯片设计公司通常研发人员占次要局部，是相对的人才密集型企业。 晶圆代工厂与芯片封测厂次要是重资产企业，其次要的生产力是各种半导体生产设施组成的产品流水线。其中晶圆厂相对来说自动化水平更高一些，对工程师与操作员的需要更少一些。封测厂的自动化水平不如晶圆厂，对工程师与操作员的需要更多一些。 这里必须强调下，不论是晶圆厂还是封测厂，掌控生产设施的始终是人。有教训的工程师与操作员的作用是不可代替的，辨别晶圆厂与封测厂能力差异的不是设施的先进与否，而是人的教训与能力。 不论是半导体产业链的哪个环节，起决定性作用的还是人才。所以说芯片保卫战的实质是人才的竞争。 4 中国如何博得这场芯片保卫战 a 芯片产业的倒退不是久而久之的事件，美国之所以能在芯片畛域做到霸主位置，也是积攒了几十年的后果。咱们要做好持久战的筹备，把芯片保卫战进行到底。 b 芯片产业倒退最重要的是人才培养。咱们要从高等教育开始，器重芯片行业各个环节相干人才的造就。只有源源不断的人才输出，能力反对整个芯片行业的疾速倒退。 c 加大政策反对与资金投入。目前倒退集成电路曾经成为国家策略，政策反对力度十分大。资金方面也有大基金继续投入，这也是最近几年国内芯片行业疾速崛起的次要起因之一。 d 咱们还是应该以经济倒退为第一要务，放弃对外开放的态度，放弃贸易保护主义。保持全球化的资源配置，发明良好的外资经营环境，敞开经济全球化与贸易全球化的大门，展现出一个负责任的大国该有的担当！正如国家领导在在庆贺改革开放40周年大会上的讲话： “必须保持扩大开放，一直推动共建人类命运共同体。” 全文完。 参考文献： [1]21寰球察看｜巨头“无一幸免”，芯片短缺恐继续至2023年，危机何以至此？https://m.21jingji.com/articl... 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！

这是IC男奋斗史的第4篇原创关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！ 最近同行们都在评论这张图： 杰哥找这张图表的出处找了很久，网上各路新闻都说图表数据来源于人才解决方案公司翰德（Hudson）于1月19日公布的《2022人才趋势报告》[1]。但我看了报告原文，压根没有提到芯片行业的薪资数据，倒是找到了相干新闻的原始出处，来源于磅礴新闻的记者采访[2]。 作为从业人员，对于这样的新闻当然是脍炙人口，心愿同行们挣的越多越好。但同时，我也看到不少业内人士批评芯片工程师太贵，认为对行业的倒退是侵害。 作为利益相关者，杰哥旗帜鲜明地拥护这种说法。本是同根生，相煎何太急！ 01芯片工程师为什么“贵”？大家都晓得，商品的价格是由供需关系决定的，而芯片工程师就是人才市场上的商品，支出完全符合市场规律。 一方面，芯片人才极度短缺，而行业人才需求量却一再创新高。 最权威的报告应该是由中国电子信息产业倒退研究院参加公布的《中国集成电路产业人才白皮书（2020-2021年版）》，杰哥翻遍全网甚至是找同行询问也没找到原件，只能找到第三方数据，兴许数据失真，但也不失为一种信号。 据白皮书显示，人才供应短缺这一景象并没有明显好转。2020年，我国集成电路相干毕业生规模在21万左右，其中仅有13.77%抉择进入本行业从业。预计到2023年前后全行业人才需求将达到76.65万人左右，仍存在超20万的缺口[3]。 这外面有个数据倒是挺回味无穷的，为什么集成电路相干业余毕业生抉择从事本行业的比例那么低？大众都是用脚投票的。那些年有数优秀人才纷纷转行进入互联网，同样是当程序员，为什么不去工资高的呢？甚至也有不少转行去做金融行业，大家都晓得互联网和金融行业给钱多。 作为从业近十年的老兵，杰哥跳槽之前的支出几乎不忍直视。2013年校招时，杰哥拿到的芯片外企总包约17.8W，同期我同学拿到的腾讯offer总包刚好18W。但2016年，我跟在腾讯工作的同学聊了聊，他的薪资曾经涨到了50W左右，而我过后只有30W。 即便2018年跳槽时，杰哥薪资涨幅在50%以上，但跟我在互联网行业的同学们相比，还是要差不少，尽管差距在逐步放大。窥一斑而知全貌，以前国内芯片行业的薪资程度与互联网行业的差距还是十分大的。杰哥心里苦，但杰哥不说。 互联网行业就像含着金钥匙出世的富二代，生来贫贱，钱再多大家都会当作天经地义。而芯片行业就像暴发户，原来是个穷小子，忽然变得有点儿钱，大家心里就不爽了。 芯片行业支出低的时候没见到你们嚷嚷，优良人才流失的时候没见你们嚷嚷，更没听见你们呐喊为了留住人才进步待遇。好不容易支出才刚涨一些，就看见你们急不可待地跳进去指摘，就见不得芯片从业者过几年好日子？ 另一方面，贸易战之后随着国家政策的推动，集成电路产业在近几年迎来了暴发期。各路资本纷纷下场，短期内投资热钱大量涌入芯片行业，必然会造成作为商品的工程师的支出大幅减少。 国家集成电路产业投资基金二期于2019年10月22日成立，注册资本高达2041.5亿元，规模比一期又有进一步的扩充。芯片初创公司融资规模屡翻新高，新设立的科创板也不便芯片企业上市融资。同时，新企业不断涌现，连互联网公司、汽车厂商也跟着下场做芯片。 02芯片工程师真的贵吗？非也！芯思维钻研数据表明[4]，芯片行业次要集中在大城市，大城市就意味着房价贵、生存老本高。如果没有高薪，人才如何水深火热呢？迫于生存压力，人才们只能远离大城市回到小中央，哪怕不得不放弃本业余。 尽管上图看起来上海的集成电路产业没有显著劣势，只占全国的20%+，然而上海的芯片设计业却有绝对优势。芯片工程师的薪资再高，跟上海房价一比照，还会感觉“贵”吗？ 另外，芯片工程师不仅脑力劳动密集，体力劳动一样很密集。 从学历来看，芯片行业的硕博比例甚至要超过互联网行业。在芯片设计畛域，工程师的学历基本上研究生起步，很多关键技术岗位都是博士在做。芯片研发须要的技术能力比软件开发要更深刻更简单，因为流片一次的老本动辄上千万人民币，相比之下软件版本迭代的老本要低很多。一个合格的芯片工程师，须要经验多款芯片流片，再加上芯片迭代的周期长，因而芯片工程师造就周期长，试错老本高，那么芯片工程师比拟贵也就难能可贵了。 从劳动强度来看，芯片行业一点不比互联网行业差。杰哥所在的守业公司，工作工夫基本上早十晚十，周六也要在家忙活大半天。遇到我的项目攻关的时候，周日加班也是常有的。据杰哥理解到的其余国内芯片公司的工作强度，基本上都差不多，有些甚至更忙一些。 同样的辛苦付出，即便是当初，芯片工程师支出还是比互联网码农低。更何况芯片行业以前支出低太多，当初只是变得更正当而已。 03利大于弊除了上述讲过的，高薪能够吸引集成电路相干业余的毕业生持续从事本业余，不再转行到相似于互联网、金融等行业以外，高薪还能够吸引海内芯片人才回流。据杰哥所知，平头哥就挖了不少硅谷华侨回国工作。资本烧几年钱，吸引国内外人才一直涌入，能够疾速建设人才队伍。整个行业的研发创新能力能够疾速晋升，逐步放大与国外大厂之间的差距。置信有朝一日，咱们肯定能够解脱对国外厂商的进口依赖，真正实现“中国芯”。 最近几年应届生薪资跟老员工倒挂，社招offer屡翻新高，为了留住老员工，老东家也会大幅提高老员工的薪资待遇。不要怪工程师们跳槽频率高，老板们也该反思一下是不是本人太抠门了。据杰哥小道消息，某AI芯片独角兽到职率就不高，起因就是人均薪资涨幅每年高达15%左右，绩效好的员工甚至能达到20%！ 其实随着薪资待遇上涨，越来越多的优秀人才进入芯片行业，人才供应迟早会超过需要，而后价格回落，供需关系随之发生变化，最终芯片行业的薪资待遇会稳固在劳动力理论发明的价值。 04总结从网购到直播，从智能手机到新能源车，各行各业在晚期的疾速倒退阶段都是凌乱的，而后国家制订和欠缺行业法规，疏导行业良性、标准倒退，最终行业回归成熟稳固。芯片行业的倒退也遵循同样的法则，先乱而后治。 有人说芯片行业几年之后会死一大批公司，到时候不少人会被裁员。咱们暂且先不探讨芯片行业能在风口上呆几年的问题，就算这是事实，反正最初会死，那为什么不做那只在风口上好好飞几年的猪呢？为什么不趁着行情好连忙多挣点钱呢？ 你认为本人稳住不跳槽、把技术学扎实就不会被优化了？你15年工作教训的性价比，肯定会比8年工作教训的年轻人更高吗？在国内，最不缺的就是人才了，而且是既聪慧又怠惰的年轻人。再说了，跳槽就肯定影响技术和教训积攒吗？ 一旦行业红利见顶，谁都无奈幸免于难。不如在进入漫长又凛冽的冬天以前，好好多囤点食粮。 作为从业者，咱们在做好本职工作的同时，还应该时常关注行业动态，理解目前哪些方向的芯片市场增长最快、人才需求量最大，而后相应地减少这些方面的常识储备与能力晋升。当机会降临之时知己知彼，让本人在变幻莫测的市场中立于不败之地。 不过，即便当初机会抉择多，芯片工程师们也要放弃沉着思考，擦亮眼睛，要抉择一家有技术积淀和发展前景的公司，你手里的股票会给你回报。 剩下的，都交给工夫吧！ 参考文献：[1]《2022人才趋势报告》：http://whitepaper.contentour....；[2]2022人才趋势报告：芯片、新能源、医疗领跑跳槽薪酬涨幅：https://www.thepaper.cn/newsD...；[3]《中国集成电路产业人才倒退报告（2020-2021年版）》公布，将来两年仍有20万人才缺口：https://www.eet-china.com/new...；[4]2021年中国大陆城市集成电路竞争力排名榜：https://mp.weixin.qq.com/s/xB...； END往期回顾#IC应届生40万白菜价！从业多年的资深专家手把手领导你如何抉择offer！#我的奋斗：我在外企那些年（一）#我的奋斗：我在外企那些年（二） 关注公众号【IC男奋斗史】，让咱们一起撸起袖子加油干！

随着科技倒退过程的深刻，在新的倒退阶段，基于芯片产业链路进行新畛域翻新，通过产业单干会集资源，构建优化翻新的生态系统都至关重要。近日展锐官网线上平台——坦克邦，发动了一场主题为 “入驻展锐坦克邦，共建展锐芯生态”的在线研讨会，短短一个半小时的演讲分享收集到在线发问近300个，来自展锐的技术专家与生态合作伙伴一起向大家解读了基于展锐芯的生态单干模式。 坦克邦是展锐的官网线上平台，致力于向所有应用展锐芯片、展锐芯模块的客户和生态搭档提供客户技术支持、产品展现宣传、销售机会引流、工程师培训、生态资源单干等一系列原厂服务。 展锐坦克邦平台提供的解决方案笼罩畛域蕴含消费类产品，工业，物联网，车载，可穿戴类产品等。合作伙伴在基于平台提供软硬件及算法开发环境的调试过程中，如果遇到问题，坦克邦可提供必要的硬件接口定义，软件IDH包，以及领导阐明，客户有任何解决不了的问题，也可通过坦克邦工作大厅在线寻求解决方案与技术支持。2021年全年，坦克邦工作大厅累计解决客户需要及问题1000+，波及近30个芯片平台，客户需要在线解决率近87.5%，客户问题在线解决率达93.1%。目前，展锐坦克邦已携手超过40家生态合作伙伴。在谈到与坦克邦的单干中，来自统信软件技术有限公司智能终端的OS产线副总经理叶凯胜示意，与坦克邦自10月实现交换以来，迅速启动技术侧的适配工作，现已实现OS适配，单方开始打算在市场侧进行联结市场推广。深圳市鱼亮科技有限公司总经理廖奎华也向大家具体分享了与展锐坦克邦的生态单干模式，“咱们对整体的解决方案做了一个重构，造成“云+端”的解决方案：端侧采纳疾速开发的算法包，联合展锐的标准化行业主板，配合咱们的云端利用平台，能够让客户疾速进行二次开发。这个解决方案，能够大大缩短客户的研发周期，升高客户的研发老本。依照咱们目前的教训统计，研发周期大略能缩短三个月，商务门槛来看，能够节俭三分之二的接入老本。”将来，展锐坦克邦将继续投入，与生态合作伙伴一道构建一个以单干、增长和翻新为独特价值观的芯片生态体系，共建单干共赢的星辰大海。

2022年1月13日，龙芯中科首届LoongArch生态翻新大会在线上召开，会上龙芯携手泛滥合作伙伴公布基于LoongArch的产品或解决方案，隆重公布龙芯生态白皮书，并为龙芯创业者反对打算获奖企业举办颁奖典礼。 龙芯中科于2021年正式公布具备齐全自主知识产权的LoongArch指令系统（龙芯架构），并基于此指令集推出新一代龙芯3A5000/3C5000L芯片，其性能已迫近市场主流产品程度，芯片内置国密算法和可信模块，实现了自主与平安的深度交融。此举彻底突破了由Wintel及AA国外厂商主导的基于指令集及芯片设计的生态体系，填补了国家信息化倒退对芯片要求性能优异且具备齐全自主知识产权的空白。为放慢数字化倒退、建设数字中国打下松软的自主外围硬件根底。 倪光南院士在大会致辞中示意，LoongArch自主指令系统(龙芯架构)的公布，是中国信息产业的一个重要成绩，心愿龙芯中科等国产CPU发展协同攻关，开拓创新，可能成为国家网信事业的刚强底座。倪院士同时示意，国产软硬件的倒退过程个别要经验“不可用”-“可用”-“好用”三个阶段，采纳自主知识产权龙芯架构的龙芯3A5000/3C5000L等国产CPU，曾经在我国各畛域广泛应用，并获得了令人瞩目的成就。 构建信息技术产业生态体系 随同LoongArch自主指令系统以及龙芯3A5000/3C5000L的问世，龙芯中科实现了顶层架构、指令性能以及ABI规范等全方位自主设计。重要的是，龙芯中科始终采纳凋谢单干的单干模式，从芯片IP、OS内核、主板技术等根底核心技术上提供广泛支持。单干厂商的产品在龙芯平台上适配，造成面向各个应用领域的解决方案。此外，龙芯中科疏导建设的适配核心提供龙芯电脑整机和操作系统、办公外设环境，以及各种根底软件环境。原来X86上的各类应用软件在龙芯芯片平台上能够灵便实现适配、迁徙、优化。 目前，龙芯自主指令系统LoongArch曾经初步构建了根底软件技术体系。 包含BIOS、内核、GCC编译器、LLVM编译器、GoLang编译器、Java虚拟机、JavaScript虚拟机、.NET虚拟机、浏览器、媒体播放器、图形库、KVM虚拟机等操作系统外围模块曾经实现向LoongArch的迁徙，并集成在龙芯中科根底版操作系统Loongnix中提供给生态搭档。 统信操作系统、麒麟操作系统、龙蜥操作系统、WPS办公软件、微信、360浏览器等均已反对LoongArch。通过二进制翻译反对了X86/Linux平台和X86/Windows平台的局部利用以及X86/Windows平台的大量打印机外设。将来，龙芯中科将推出基于LoongArch的充分考虑兼容需要的自主编程框架。 打造高水平信息产业生态 众人拾柴火焰高，在本次发布会上，龙芯中科与一众合作伙伴为自主信息生态一起添柴，独特公布了统信桌面操作系统V20（ LoongArch版）、河汉麒麟桌面操作系统V10SP1（龙芯版）、龙蜥操作系统(Anolis OS) 8 LoongArch 版本、联想开天M540Z龙芯3A5000台式机、同方超锐L860-T2龙芯3A5000笔记本、七〇六天熠系列 龙芯3C5000L服务器、龙芯浏览器V3等多款联结产品。 同时来自中国民生银行、浙江挪动、江苏省电化教育馆、中国铁道迷信研究院团体有限公司等不同行业的专家别离就龙芯生态在金融、通信、教育、交通等要害信息基础设施畛域的行业信息化建设及利用进行解说，充沛验证了国产芯片由能用曾经走到了好用的阶段。 LoongArch生态建设和将来 以后，龙芯中科正在踊跃推动在上游开源社区建设LoongArch分支。在国内开源社区建设与X86、ARM等并列的LoongArch分支是龙芯软件生态的根基。在失去上游开源社区反对后，LoongArch生态将随社区主动演进，极大丰富反对LoongArch的软件版本，大幅缩小软件迁徙适配工作。 龙芯中科董事长胡伟武示意，一个优良的生态有三个次要特点。一是凋谢，越凋谢合作伙伴越多。二是兼容，把合作伙伴的工作造成合力。三是优化，通过系统优化而不仅仅是CPU降级来进步性能。龙芯中科将秉承上述凋谢、兼容、优化的理念与合作伙伴一起共建自主生态。 龙芯中科副总裁张戈示意，已有近百家厂商推出了数百款基于LoongArch的龙芯桌面、服务器、网安、明码等产品，龙芯中科从去年开始牵头成立了龙芯生态适配服务产业联盟，目前曾经有70余家适配核心和相干机构退出，造成了遍布全国的适配服务联动体系。后续龙芯中科会致力于在国内社区创建LoongArch分支，同时组建LoongArch联盟，把LoongArch指令集收费凋谢，联盟不光对指令集自身凋谢，也将对局部处理器的IP核实现代码也全副凋谢，以最大的凋谢水平来打造LoongArch生态联盟。 科技自立自强是国家十四五布局的重要策略，龙芯二十年的实践经验曾经证实，我国CPU产业的自主翻新倒退是齐全可行的。下一个十年，龙芯中科将到中流击水、浪遏飞舟，从追随性倒退的“必然王国”走向自主倒退的“必然王国”的新征程。 ▶ 下载「龙芯生态白皮书2021」① 关注“龙芯中科”公众号；② 点击“发消息”，输出关键词“白皮书”；③ 点击“发送”，获取文档。 News 近期新闻 ——龙芯3C5000L服务器荣获“2021年度最佳自主架构服务器奖” ——以上平台都能够找到咱们

 欢送关注我的公众号 [极智视界]，回复001获取Google编程标准 O_o >_<  o_O O_o ~_~ o_O 本教程分享了在寒武纪设施上 pytorch-mlu 中增加逐层算子的办法。 pytorch-mlu 逐层模式中算子间数据传递和存储的根本单元是 tensor。pytorch-mlu 依据 tensor 中的 device 属性值将算子散发到不同设施。以 abs() 算子为例，在 dispatch 阶段会依据 input_tensor 的设施属性值将算子调用散发到具体设施，逻辑如下图所示：   Catch 通过注册增加 MLU 算子形式与 pytorch 源码解耦，上面介绍在 Catch 中增加 MLU 算子的具体步骤。 1、注册算子   在 catch/torch_mlu/csrc/generated/aten_mlu_type_default.cpp 中注册算子： .op(torch::RegisterOperators::options().schema("aten::add.Tensor(Tensor self, Tensor other, *, Scalar alpha=1) -> Tensor") // NOLINT .impl_unboxedOnlyKernel<at::Tensor(const at::Tensor &, const at::Tensor &, at::Scalar), &AtenMluType::add>(at::TensorTypeId::MLUTensorId) aliasAnalysis(c10::AliasAnalysisKind::FROM_SCHEMA))2、算子散发 AtenMluType 和 AtenMluCustomType 是 Catch 模块中算子的入口。AtenMluType 类次要蕴含框架中的规范算子；而 AtenMluCustomType 类蕴含客制化的算子。依据算子属性抉择在 AtenMluType 还是 AtenMluCustomType 中增加相应算子申明和实现。 ...

血液透析是为人工肾、洗肾，是血液污染技术的一种。其利用半透膜原理，通过扩散、对人体内各种无害以及多余的代谢废物和过多的电解质移出体外，达到污染血液的目标，并吸达到纠正水电解质及酸碱均衡的目标。本篇文章介绍一些利用在血液透析机上的非易失性MRAM. 血液透析机应用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不须要电池或电容器、有限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性进步了零碎的可靠性，这在高可靠性医疗设施市场中至关重要。 Everspin并行I/O MRAM产品的简略异步SRAM接口使设计易于实现，无需额定组件。Everspin MRAM技术的弱小可靠性使工程师可能利用Everspin的规范商业级产品满足重症患者医疗设施市场的刻薄要求。 Everspin的4Mb MRAM提供了SRAM兼容的35ns读/写定时信号，具备有限的耐久性。数据放弃期长达20年以上而不会失落，并会在掉电时由低压克制电路主动提供爱护，以避免在非工作电压期间写入。对于必须疾速、永恒地存储和检索要害数据和程序的利用，封装与较小的低功耗SRAM以及其余非易失性RAM兼容。代理商英尚微电子反对为用户提供样品测试及产品利用解决方案等产品服务。

动态存储SRAM芯片蕴含业界多样的异步低功耗SRAM。而带有ECC的异步SRAM实用于各种要求最高可靠性和性能规范的工业，医疗，商业，汽车和军事利用。疾速SRAM是诸如交换机和路由器，IP电话，测试设施和汽车电子产品之类的网络应用的现实抉择。 异步SRAM是一种易失性随机存取存储器(RAM)，它应用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只有有电源，数据位就会保留在存储器中。异步SRAM不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立刻开始向内存中读取或写入信息。异步SRAM适宜用于网络、国防和工业利用。 Async FAST SRAM是业界最快的并行异步SRAM，国产SRAM芯片伟凌创芯(EMI)最快的拜访工夫为8ns。反对1.8V至3.3V的宽电压范畴。它们用于诸如交换机和路由器之类的网络应用程序之类的应用程序。 异步SRAM器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）设计中，以备份须要通过断电爱护的要害工具地位和操作数据。备用电源由电池或超级电容器提供。工业控制器的要害要求是降低功耗和升高软错误率。在工业控制器中，软谬误会因为设置信息损坏而导致启动时呈现故障，从而导致系统故障。 安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkeysolution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。

Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具备SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采纳标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供规范的8引脚Small Flag DFN。可间接代替SPI-FRAM 8引脚塑料SOP封装。与其余串行存储器替代品相比SPI MRAM具备卓越的写入速度，有限的耐用性，低待机和运行能力以及简略，牢靠的数据保留。 MR25H40VDF的长处•更快的随机拜访操作工夫（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）•高可靠性和数据保留（在125℃工作温度下超过20年）•有限读/写耐久性•无磨损问题•掉电时的主动数据保护•竞争定价•稳固的制造业供应链 MR25H40VDF对于必须应用大量I/O引脚疾速存储和检索数据和程序的应用程序，是现实的内存解决方案。具备串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写提早并且读/写寿命不受限制。与其余串行存储器不同，应用MR25H40VDF，读取和写入都能够在内存中随机产生，而写入之间没有提早。 everspin是设计制作和商业运输分立和MRAM和STT-MRAM的寰球领导者，面向数据持久性和应用程序的市场和利用。完整性、低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为寰球 MRAM 用户奠定了最弱小、增长最快的根底。Everspin是设计制作MRAM到市场和利用的翘楚，在这些市场和利用中，数据持久性和完整性，低提早和安全性是至关重要。

伟凌创芯国产芯片EMI7001WTMI是一款容量为1Mb的串口SRAM，采纳先进的CMOS技术设计和制作，提供高速性能和低功耗。其外部组织为128K字，每个字8位。该器件采纳单片选(/CS)输出运行，并通过与SPI兼容的简略串行接口进行拜访。单个数据输出和数据输入线与时钟一起应用以拜访该设施内的数据。该设施包含一个/HOLD引脚，容许在不勾销抉择设施的状况下暂停与设施的通信。暂停时，除/CS引脚外的输出转换将被疏忽。该器件可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范畴内运行。代理商英尚微提供样品测试以及相干技术支持。 EMI7001WTMI具备SPI总线接口包含SPI兼容和SDI（双）和SQI（四）兼容，20MHz时钟频率，读取电流5.5V、20MHz时为3mA，待机电流为+85℃时为4mA，具备有限读取和写入周期，零写入工夫，用于读取和写入的字节、页和程序模式，采纳8引脚TSSOP封装。 EMI7001WTMI是一种1Mbit串口SRAM，旨在间接与当今许多风行微控制器系列的串行外设接口(SPI)端口连贯。它还能够通过应用在固件中正确编程以匹配SPI协定的离散I/O线与没有内置SPI端口的微控制器连贯。可能在SDl和sQl模式下运行。在SD1模式下，S1等数据线是双向的，容许每个时钟脉冲传输两位。在sQl模式下，两条额定的数据线使每个时钟脉冲可能传输四位。

开发者沙龙上海站闭幕以后，智能设施进入疾速遍及期。人工智能正像水电煤一样，成为数字经济时代的根底设置。但企业如何具备疾速落地的 AI 能力，仍然是产业参与者面临的独特挑战。 7 月 9 日，由地平线和开发者社区 SegmentFault 思否联结主办的 2021 地平线开发者沙龙 · 上海站胜利落地举办。来自地平线及合作伙伴百度、利尔达等公司的多位产品、技术专家与现场近百位开发者共话人工智能，并分享了人工智能软硬件开发实际、AI 助力产业降级转型及地平线开发者案例等精彩内容。此外，地平线还在本次沙龙上公开了新一期开发者减速营及开发者反对打算。 软硬联合，地平线让 AI 开发无难事地平线 AIoT 产品线总经理王丛向与会开发者介绍了地平线基于 AI 芯片的商业实际与生态摸索：在商业落地方面，得益于软硬联合的技术理念，地平线的解决方案能够较疾速地造成业务闭环；在生态构建方面，地平线正基于芯片、算法和开发平台形成的根底技术平台，继续为客户提供全面凋谢的赋能反对，减速 AI 在各行各业的利用，携手单干构建更宽泛的智慧「芯」生态。 如何最大化实现对 AI 芯片的性能压迫，高效实现 AI 产品落地？地平线天工开物开发平台负责人陈泽向开发者介绍了工具链、AI 利用开发中间件、模型仓库、客户自建闭环等开发者工具，并从开发者视角解读了地平线对开发平台的迭代降级布局。陈泽示意，为了应答特定场景对解决方案的不同需要，地平线的算法研发人员会常常与客户探讨需要，以预判将来利用所需的算力、算法、带宽等。 地平线 AIoT 产品线研发负责人费斌则以以后 AI 落地难为切入点，分享地平线如何以软硬联合的能力帮忙客户摸索、实现 AI 感知能力。费斌从地平线的底层技术理念登程，深入浅出地解说了地平线如何将 AI 计算特点融入到技术架构中，使 AI 芯片随着算法演进趋势始终保持更高的无效利用率，从而使合作伙伴和客户受害于算法翻新带来的劣势。 生态共赢，论道 AI 产品开发实际在合作伙伴分享环节，利尔达嵌入式部门总经理胡涛为咱们介绍了利尔达基于地平线芯片及开发平台打造的智慧矿山、智慧工厂等高性能与高性价比的解决方案。在谈到 “为什么抉择地平线” 时，胡涛示意，地平线赋予客户的不单单是算力，以及基于芯片之上的软件应用生态，更赋予了客户 AI 算法的 know-how，为客户带来真正的能力晋升。地平线芯片产品对算法的敌对性、凋谢易用的开发平台以及高效的客户服务态度也形成了单方继续单干的要害根底。此外，胡涛也对地平线的产品质量给予了认可。 来自百度飞桨的资深工程师应晟分享了 Paddle2ONNX 与 “天工开物” 强强联合下的飞桨高阶 API，该产品能够数倍效率疾速无效地构建深度学习模型。其中地平线的天工开物开发板可能疾速进行嵌入式开发部署，而且速度与精度都能失去无效保障。单方的深度单干，进一步扩充了地平线芯片的算法生态，同时也使百度飞桨的用户可能进行多样化的 AI 部署。 共创「芯」将来，地平线开发者减速营与反对打算来了在沙龙最初，地平线 AIoT 开发者生态负责人高吟佳介绍了地平线开发者减速营筹备进度及 “天弓” 开发者反对打算。 地平线开发者减速营致力于为 AI 开发者提供翻新减速服务，通过提供包含硬件、开发平台、培训课程、营销资源等在内的多方位生态赋能，助力开发者打造疾速落地的利用，减速普惠 AI 时代的到来。2021 地平线开发者减速营以 “进化 · 更有「AI」” 为主题，激励开发者践行科技向善的理念，并基于地平线 AI 开发套件减速 AI 在各场景的落地，让人们的生存更平安、更美妙。 ...

Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的倒退，是寰球惟一一家业余生产销售磁性随机存取内存(MRAM)，目前该产品曾经利用于多个行业，如人工智能，金融数据等。 Everspin一款串口mram芯片，型号为MR25H10CDF，工作温度范畴：-40℃to+85℃，是一款工业级别的存储芯片，可用于工控设施的利用，特地是对温度有严格要求的利用，存储容量1Mb（128Kx8），数据位宽8位。 MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，没有写入提早和有限读/写耐久性。与其余串行存储器不同，读取和写入都能够在内存中随机产生，写入之间没有提早。MR25H10是用于应用大量I/O引脚疾速存储和检索数据和程序的利用的现实内存解决方案。封装采纳5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。两与串行EEPROM，FLASH和FERAM产品兼容。 MR25H10CDF在各种温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q100级（-40℃至+125℃）的工作温度范畴选项。 MR25H10CDF特点•没有写提早•无限度写耐力•数据保留超过20年•电源损耗的主动数据保护•块写爱护•疾速，简略的SPI接口，最高速度为40MHz时钟速率•2.7至3.6伏电源范畴•低电流睡眠模式•工业温度•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封装•间接更换串行EEPROM，Flash，Feram•AEC-Q100等级1选项 MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM 具备成为通用存储器的后劲,可能将存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具备非易失性和节能性。MRAM 能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得 MRAM 实用于汽车、工业、军事和太空利用。

极术社区链接：https://aijishu.com/a/1060000000205866 流动圆满举办 2021年5月16日下午，由安谋中国主办，芯谋钻研和安芯教育协办的“安谋中国集成电路人才发展趋势”沙龙暨2021安谋中国“产学单干，协同育人”茶会在上海市浦东新区举办。 流动现场 上海市集成电路行业协会秘书长徐伟、复旦大学微电子学院执行院长张卫、安谋中国执行董事长兼首席执行官吴雄昂在会上致辞；芯谋钻研首席分析师顾文军、上海工研院总经理丁辉文、电子科技大学副教授黄乐天、安谋中国人力资源高级副总裁曹金昌为大会演讲。芯谋钻研总经理景昕主持流动。 芯谋钻研总经理景昕 本次流动还有针对性地邀请了集成电路行业组织、知名企业、科研机构以及各大高校的传授学者进行交换，全面的产业趋势剖析、产学研用模式探讨、权威的人才调查报告等高质量的会议内容给与会者留下了深刻印象。 上海市集成电路行业协会秘书长徐伟 上海市集成电路行业协会秘书长徐伟学生在致辞中示意，上海集成电路产业的产学联合、产教联合、人才联结造就获得很好的成果。上海作为国际性大都市，领有良好的待业、生存环境，吸引了少量世界级高端人才汇集；同时因为许多国内国内头部企业在上海落户，大量中端人才也更偏向于在上海倒退；在根底人才方面，依据协会去年的统计，上海目前凝聚了20多万的从业人员，占据了全国从业人口三分之一的份额。但徐伟同时认为，上海集成电路产业的中高级人才仍面临上海的较高生存老本的挑战，须要从政策环境等方面进行改善。 复旦大学微电子学院执行院长张卫 复旦大学微电子学院执行院长张卫学生在致辞中示意，我国集成电路产业被卡脖子，看似是技术问题，实际上是人才问题。为解决人才问题，复旦大学近几年进行了诸多致力，从人才数量和人才品质方面都进行了改良。同时复旦大学也非常重视人才培养过程中与企业的紧密结合，通过一直地改良措施，造就更多合乎产业界需要的高质量人才，为我国集成电路产业的倒退做出奉献。 安谋中国执行董事长兼首席执行官吴雄昂 安谋中国执行董事长兼首席执行官吴雄昂学生在致辞中示意，安谋中国作为一个外乡合资公司，当初则是心愿能和高校单干，把外乡核心技术产业化、模块化，建设一个全新的、残缺的核心技术、人才和生态体系。让寰球共享中国人的创造力、中国人的IP，给寰球产业带来更好的翻新以及更好的生态。 安谋中国旗下极术社区也通过公开课，原创技术专栏及技术问答流传集成电路内技术性常识，吸引了10万+AIoT技术社区注册用户，无效得将技术开发者与智能科技企业技术生态服务连接起来，共建中国智能科技生态。 芯谋钻研首席分析师顾文军 在演讲环节，芯谋钻研首席分析师顾文军提到，2014年的时候中国是所有大国中比拟器重半导体倒退的，近几年中国半导体产业也进行了跨越式倒退。但现在国内上简直所有大国都开始器重半导体产业，想打造本人的、所谓的自主可控安全可靠的产业链。在这种状况下咱们必须要认清国内产业与国内上的差距，产业再登程。顾文军同时认为，要放大国内产业与国内的差距，一是要借鉴安谋中国的企业模式，促成外资企业和中国的全新单干；二是要协同育人，尤其是产学单干的协同育人。 上海工研院总经理丁辉文 上海工研院总经理丁辉文学生在演讲中带来了对平台吸引人才、对接科研与产业的观点和分享。丁辉文示意，工研院的新模式是以平台助力人才吸引和造就，加深产业思维和产品思维，进步原创技术产品效率，帮忙产业降低成本，从而最终帮忙产业更快更好地倒退。 电子科技大学副教授黄乐天 电子科技大学黄乐天副教授在演讲中带来了他对电子信息类业余微机原理与嵌入式零碎设计课程建设的分享。在演讲中，黄乐天具体介绍电子科技大学在人才建设方面所做的摸索以及在人才培养方面获得的问题。 在人才倒退推动方面，安谋中国旗下极术社区和相干知名企业单干，推出系列科普技术公开课，极术专栏以及极术技术问答，为集成电路行业技术从业者提供知识性平台，吸引到更多技术人员进入到集成电路行业倒退。同时极术社区为高校老师及学生提供Arm高校教程及套件收费申请，资助高校集成电路重要较量如集创赛，研电赛等，并邀请了大牛嘉宾如黄乐天老师进行较量培训，推动更多电子相关业余学生从事集成电路行业。 安谋中国人力资源高级副总裁曹金昌 安谋中国人力资源高级副总裁曹金昌带来了他对海外华人芯片人才回流的剖析与对策。在演讲中，曹金昌对“缺芯更缺人才”、“想说回国却不是一件容易的事”、“中外芯片行业和企业倒退的第三视角”以及“吸引海内资深华人芯片人才的对策”等四个话题别离进行了具体论述与分享。 安谋中国旗下极术社区也联结了集成电路行业相干企业推出技术及产品科普教程，组织线下技术沙龙及会议，开发板申领等流动，为宽广芯片人才提供国内芯片企业技术及生态服务的科普和互动交流平台。极术社区还与安芯教育等联合推出云上招聘流动，帮助国内企业招聘国内外集成电路技术人才，促成了芯片人才与国内芯片企业的连贯。 安谋中国市场与生态副总裁梁泉 安谋中国市场与生态副总裁梁泉主持随后的沙龙互动交换环节，与会嘉宾就高校人才培养与行业人才交流等问题发问与分享。与会嘉宾示意，人才培养对芯片产业至关重要，在主办各方的精心组织下，可能与泛滥产业大咖，凝众心，合众力，为产业倒退出谋划策，让这个周末意义不凡。 安谋中国旗下极术社区也将持续助力集成电路内技术人才与产业企业生态的连贯，为芯片人才培养奉献出一份力量。

5 月 25 日晚，ARM 推出了新一代 CPU 和 GPU，包含其旗舰产品 Cortex-X2 和 Cortex-A710 CPU 以及 Mali-G710 GPU，新款 CPU 和 GPU 均基于全新的 Armv9 架构。Armv9 指令集于往年 3 月底公布，被称为「ARM 十年来最大的变革与提高」。这次公布的 CPU 和 GPU 是首批应用 Armv9 指令集的芯片，这意味着其性能将有大幅晋升，并且具备安全性和 AI 个性。 大多数消费者可能并不相熟手机或电脑中的 ARM 内核，但事实上 ARM 的设计——尤其是将弱小的高性能内核和节能高效的内核相结合的 big.LITTLE 技术，在安卓手机中十分广泛。这意味着 ARM 此次公布的 CPU 和 GPU 将可能影响 2022 年最好的安卓手机。 重磅公布三款 CPU，性能能效显著晋升Arm 往年推出了三款面向挪动设施和客户端的新一代微体系结构：旗舰级 Cortex-X2 内核，以 Cortex-A710 模式亮相的 A78 后续产品，还有名为 Cortex-A510 的全新小外围。 Cortex-X2 是 Arm Cortex-X 定制打算的一部分，该打算容许合作伙伴帮忙设计特定用例的专用内核。Cortex-X2 是去年 Cortex-X1 的继任者，其性能相比 Cortex-X1 无望进步 16%。 ...

Everspin Technologies，Inc是设计制作MRAMSTT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和可靠性。完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。领有超过600项无效专利和申请的知识产权组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 MR1A16A概述MR1A16A是一款具备2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具备有限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可主动在断电时爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR1A16A是现实的存储器解决方案。 MR1A16A提供小尺寸的48引脚（BGA）封装和44引脚薄型小形状封装（TSOP Type2）。这些封装与相似的低功耗SRAM产品和其余非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商用（0至+70℃），工业（-40至+85℃），扩大（-40至+105℃）和AEC-Q1001级（-40至+125℃）工作温度范畴选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。 MR1A16A引脚配置 特色•35ns的疾速读/写周期•SRAM兼容时序，无需从新设计即可应用现有SRAM控制器•有限的读写耐力•数据在超过20年的温度下放弃非易失性•一个存储器代替了零碎中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简略，更高效的设计•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以进步可靠性•3.3V电源•断电时主动数据保护•商业，工业，扩大温度•AEC-Q1001级选项•所有产品均合乎MSL-3湿度敏感度等级•合乎RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装

32位单片机在应用的过程中如果呈现内置RAM有余的状况下，个别能够抉择外置RAM作为缓存的裁减，在理论的利用设计，因为内置RAM不够用而须要外扩SRAM器件的，能够思考外扩SRAM器件，以下是外扩SRAM存储器可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI的参考： 英尚微举荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先进的全CMOS工艺技术制作。反对工业温度范畴和芯片级封装，以使用户灵便地进行零碎设计。该系列还反对低数据放弃电压，以低数据放弃电流实现电池备份操作。 位宽512Kx8位，其电源电压范畴为4.5V〜5.5V，低数据放弃电压：1.5V（最小值），反对三态输入，封装采纳规范的32sTSOP1。 EMI是一家专一存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的无晶圆半导体公司。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微反对产品利用解决方案及技术支持。

据 CNBC 报道，过来几周，寰球芯片短缺的重大水平回升了一个等级，目前看来寰球将有数百万人受到影响。 随着技术的提高，半导体芯片的利用范畴曾经从计算机和汽车扩散到电动牙刷、滚筒式烘干机等海量产品中。 目前芯片的供需失衡、供不应求的状况愈演愈烈，汽车制作不再是惟一受影响的行业。 韩国科技巨头三星 (Samsung) 上周示意，芯片短缺正在影响电视和家电生产。同时，LG 团体示意，芯片短缺会带来危险。 三星投资者关系主管 Ben Suh 在与分析师的电话中示意：「因为寰球半导体短缺，咱们也受到影响，尤其是在某些特定产品和显示器生产方面。咱们正在与零售商和次要渠道探讨供给打算，以便将芯片优先调配给在供给方面更紧迫或具备更高优先级的产品。」 三星联结首席执行官兼挪动业务负责人许东进 (Koh Dong-jin) 在 3 月份的股东大会上示意，IT 畛域的芯片供需重大失衡。同时，该公司示意下一款 Galaxy Note 智能手机可能跳票。 据《金融时报》报道，LG 团体称其「正亲密关注这一状况，如果这一问题继续上来，则没有一家制造商可能幸免」。 「缺芯潮」席卷日常用品低利润处理器的生产也受到冲击，比方洗衣机内的称重部件或智能烤面包机里用来烤面包的处理器。尽管目前大多数零售商仍能洽购到这些产品，但将来几个月他们可能面临难题。 据《华盛顿邮报》报道，宠物狗洗澡行业甚至也受到波及。近期，美国伊利诺伊州宠物 / 汽车荡涤零碎供应商 CCSI International 被其电路板供应商告知罕用芯片缺货。 据报道，CCSI 最终应用了其余芯片，但这迫使该公司调整电路板，导致成本上升。CCSI 总裁 Russell Caldwell 示意：「芯片问题影响到制造业的方方面面，从小人物到大企业。」 许多企业正在减少芯片库存，以度过这场风暴，但这使得其余公司更难获取芯片。 汽车业仍是受打击最重大的行业从发动机的计算机管理到驾驶员辅助零碎，汽车行业的所有都依赖芯片，因而汽车行业依然是受「缺芯」影响最大的行业。福特、公众和捷豹路虎等公司敞开了一些工厂，辞退工人，并大幅削减汽车产量。 世界第四大汽车制造商 Stellantis 近期示意，上季度芯片短缺状况变得更加重大。其首席财务官 Richard Palmer 正告称，芯片短缺状况可能会继续到 2022 年。 彭博社周四的一份报道显示，因为芯片短缺，一些汽车制造商正在放弃高端性能。 据报道，日产的一些车型不再装备导航系统，Ram Trucks 进行为 Ram 1500 皮卡装备规范「智能」后视镜，雷诺某些车型的方向盘后不再配置超大数字屏幕。 依据彭博社周二报道，租车公司也受到了影响，这类公司无奈购买想要的新车。Hertz 和 Enterprise 的传统盈利模式是大量购买新车并出租，但目前其转而拍卖购买二手车。 Hertz 发言人称：「寰球微芯片短缺曾经影响了整个汽车租赁行业尽快接管新车订单的能力。」 Enterprise 发言人示意，寰球芯片短缺「在汽车需要很高的状况下，影响了整个行业的新车供给和交付。」 芯片短缺何时休寰球最大的芯片制造商台积电（TSMC）此前示意，预计 6 月满足汽车芯片最低需要。 但 Plurimi 投资治理公司 CIO Patrick Armstrong 示意，该时间表较为激进。他认为汽车芯片短缺状况将继续 18 个月。 ...

据平安研究员称，高通芯片惊现破绽，寰球数百万手机受影响。 本周四，Checkpoint 平安研究员 Slava Makkaveev 发表博客，称高通 MSM（挪动调制解调器）接口中的一个破绽「可用于管制调制解调器」。攻击者可利用该破绽注入恶意代码，进而攻打安卓用户，获取用户的通话记录和短信记录，还能窃听用户的通话。黑客能够利用该破绽解锁 SIM 卡，从而逃脱服务提供商在挪动设施上设置的限度。 MSM 是高通在 1990 年代初为高端手机设计的芯片，反对 4G LTE 等高级性能。该芯片自 20 世纪 90 年代广泛应用于手机设施中，并始终继续更新，经验了从 2G、3G、4G 到 5G 的过渡。三星、小米、谷歌、一加等手机品牌都应用了该芯片。 MSM 始终是平安钻研和网络罪犯的指标，未来或者也是如此。黑客总是试图近程攻打挪动设施，如发送 SMS 与设施进行通信，进而管制设施。 安卓通过高通 MSM 接口 (QMI) 与 MSM 芯片处理器进行通信，QMI 是一个专门协定，保障 MSM 中的软件组件与设施上其余外围子系统之间的通信。 Check Point 报告显示，高通 QMI 在寰球约 30% 的智能手机中有利用。也就是说，寰球约 30% 的智能手机受到这一破绽的影响。 不过，Check Point 早在去年 10 月就将这一破绽告诉高通，破绽编号为 CVE-2020-11292。高通将其标注为「高危破绽」，并告诉了相干厂商。 高通示意，2020 年 10 月已向所有制造商告知该破绽事项，并在当年 12 月提供了修复计划，目前许多制造商已向终端用户公布安全更新。该破绽还将在往年 6 月的安卓平安布告中公布。 高通发言人示意：「高通已在 2020 年 12 月向 OEM 提供修复计划，咱们激励终端用户在补丁可用时及时更新设施。」  ...

5 月 6 日，IBM 发表将推出寰球第一个 2 纳米芯片制程，可能在指甲大小的芯片上装置 500 亿个晶体管。IBM 示意在应用雷同功率的状况下，2 纳米芯片相比目前的支流 7 nm 芯片，性能晋升约 45％；在雷同性能程度下，功耗缩小约 75％。 日前，IBM 发表在奥尔巴尼实验室中制作出了首个基于 2nm 技术的芯片，2nm 芯片可能减速人工智能、边缘计算、自主零碎等畛域的利用。IBM 称将在其 IBM Power Systems、IBM Z 等零碎中应用该项技术。 据外媒音讯，IBM 的新型 2nm 芯片实现了 333 MTr/ mm² 的晶体管密度（即每平方毫米包容 3.33 亿个晶体管），相当于台积电 5 纳米芯片晶体管密度的两倍。 下图展现了 IBM 2nm 芯片的技术要点。 图源：https://www.anandtech.com/sho... IBM 2nm 芯片应用了三堆栈 GAA 设计，单元高度为 75 nm，宽度 40 nm，每个 nanosheet 的高度为 5 nm，距离 5 nm。门接触间距（gate poly pitch）为 44 nm，长度为 12 nm。 IBM 示意其设计首次应用底部介质隔离通道（ bottom dieletric isolation channel），以缩小电流泄露，升高芯片功耗。此外，该芯片外部距离应用了第二代 dry process 设计。 ...

FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，可能像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体个性制约，FRAM仍有最大拜访（读）次数的限度。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三个劣势： 1、寿命，读写的次数比拟多， EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数； 2、功耗，同样写入64byte的数据，FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/100，这样功耗越低，电池的使用寿命就越长； 3、读写速度，FRAM的写入速度能够达到纳米秒，写入一个数据的工夫仅仅是EEPROM的1/3000。这么快的读写速度带来的另一个意想不到的益处就是霎时断电的时候，FRAM的数据曾经写入，而EEPROM必定数据失落。 跟FRAM比EEFROM几乎就是战五渣啊！可是为什么用FRAM的客户还是多数呢？这就要谈到价格问题了。并不是技术好的产品就会风行，消费者更看重性价比。FRAM的Logic局部比重太大，老本难以升高是一个难点。相比EEPROM，FRAM的存储容量切实是有一点捉急。在工艺上，FRAM也很难冲破100nm，因而大数据的存储还是更适宜留给FLASH或者EEFROM，毕竟两者分工不同。 那么什么样的利用更适宜FRAM而非EEFROM呢？如果对存储容量没有太高要求，而又须要频繁的记录重要数据，又不心愿数据在断电中无奈爱护，这种利用比拟适宜FRAM。比方汽车中用到的黑匣子，次要记录刹车信息以及事变前几秒的状况。“在日本、在欧洲、在韩国如果你把动员机关了，或者意外事故掉地上了，以后的模式、以后的状态肯定记下来，比如说进入隧道的时候，进入隧道那个通信没了，会先记录下来。 富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。

产品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具备有限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可在断电时主动爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR3A16A是现实的存储器解决方案。 MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型小形状封装（TSOP Type 2）。这些封装与相似的低功耗SRAM产品和其余非易失性RAM产品兼容。MR3A16A在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。everspin代理英尚微驱动、例程以及必要的FAE反对。 引脚封装 MR3A16A特色•+3.3伏电源•35 ns的疾速读写周期•兼容SRAM的时序•有限的读写耐久性•温度下，数据始终保持非易失性超过20年•合乎RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装•所有产品均合乎MSL-3湿度敏感度等级益处•一个存储器代替零碎中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以实现更简略，更无效的设计•通过更换电池供电的SRAM来进步可靠性 对于EverspinEverspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制作和交付到相干利用中的常识和教训在半导体行业中是举世无双的。领有超过600多项无效专利和申请的知识产权产品组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。英尚微电子作为everspin的外围代理商,所提供的MRAM具备高度牢靠的数据存储.没有写提早，并且读/写寿命不受限制。

据韩媒报道，韩国市场曾经因为芯片短缺而陷入凌乱。自去年Q4继续至今，从车用芯片有余，再到手机芯片短缺而后又蔓延到电视、家电、PC、小型电子机器等电子产品，短缺景象让局部芯片产品价格飙涨至最高30倍以上，供给体系曾经解体...有供应链人士指出，韩国市场曾经因为芯片短缺而陷入凌乱。 自去年Q4开始，芯片短缺状况就曾经存在，先从车用芯片缺货蔓延到手机芯片，而后又蔓延到各类电子产品，且短缺状况至今未见缓解，局部芯片价格屡次调涨。 局部芯片产品价格最高飙涨至30倍以上，原先以每个1 美元交易的特定芯片价格狂飙至32 美元，供需体制齐全解体。某半导体厂商人士走漏，“以后芯片原料的硅晶圆也出现供给有余，芯片大乱场面何时能解除当初还无奈预估。” “尽管如此，最近仍然据说只有是32位MCU呈现在市场，就会立即被中国企业买走”韩国某相机企业人士则示意 韩媒引述某监控企业人士称，“比方公司所需MCU价格，去年时为每个8美元，但目前狂飙至50美元，是去年6倍以上。 ”该人士示意，“因为（平安）库存曾经探底，所以目前洽购就算不论价格、继续下单也无奈确保所需数量。” 除中小企业外，大企业状况也一样。三星、LG 无奈顺利获得面板驱动 IC（DDI）、PMIC等芯片产品，导致电视和家电制品产量较原先打算缩小 10%~20%以上。 鉴于芯片短缺情况严重，三星显示器部长韩宗熙在上周还紧急出差，搭乘飞往中国台湾的班机，访问 DDI 供应商联发科，要求联发科能稳固供货。 最近芯片短缺状况日益严重，次要是因为企业间开始“抢库存”。中国 IT 企业在寰球流通市场最高以失常价格20倍收买芯片。 对于以后寰球芯片缺货场面，台积电示意局部企业为了确保库存将订单增至两倍，认为“反复下单才是造成近来短缺重大的主因。”

EMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一SRAM，PSRAM等存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司领有国内出名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。 上面介绍一款可代替兼容IS61WV25616EFALL的EMI产品系列。 EMI型号EMI504NL16VM由EMI先进的全CMOS工艺技术制作。 反对工业温度范畴和芯片级封装，以使用户灵便地进行零碎设计。并反对低数据放弃电压，以低数据放弃电流实现电池备份操作。 EMI504NL16VM的制程技术采纳90nm Full CMOS，位宽为256Kx 16位，其电源电压范畴2.7V~3.6V，低数据放弃电压：1.5V（最小值），具备三态输入和TTL兼容，封装采纳规范的44TSOP2、48FBGA，具备工业操作温度。 EMI代理英尚微电子反对提供样品测试及产品技术支持领导。

与传统的存储技术相比，FRAM在须要非易失性、高速读写、低功耗、高读写持久等综合性能的应用领域体现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来，出货量更是超过了41亿颗！咱们富士通这么多的 FRAM 到底用到了哪些畛域呢？上面由富士通代理英尚微电子带大家一起来看看吧 汽车&工业车载电子控制系统对于存取各类传感器材料的需要继续减少，因而对于高效能非易失性内存技术的需要也越来越高，因为当零碎在进行材料剖析或是其余数据处理时，只有这类内存才可能牢靠而无提早地贮存传感器所收集的数据。 智能表计电子设计的一个次要思考因素是升高总功耗的同时进步可靠性。设计人员必须思考减少性能，同时缩小零碎的功率估算，以实现更短暂的电池寿命。与此同时嵌入式软件正变得日益简单，须要装备更多的存储器，但这一点对功耗也有了进一步要求。 医疗与传统存储器相比，FRAM具备非常明显的抗辐射劣势，这也使得其成为了医疗利用（医疗器械及医疗电子标签）中最佳的存储器抉择。因而针对医疗畛域，在FRAM畛域深耕达20年的富士通重点布局了FRAM单体存储器在医疗器械中的利用、FRAM RFID在医疗医药中的利用、FRAM认证芯片在医疗医药中的利用这三方面。 噪声防伪全新FUJITSU FRAM(铁电随机存储器)内置嵌入式验证LSI“MB94R340/350”解决方案利用FRAM乐音信号的唯一性，率先推出了无效避免物理复制的验证形式，与以往的加密算法相比具备更高的安全性。 FRAM RFIDFRAM利用于RFID有以下几个特点，一是耐辐射性，在强辐射下数据依然能够平安存储；二是低功耗和内部元器件供电，在不稳固电源或者无源状态下，依然能够实现高牢靠的读写利用；三是疾速读写能力，可进步标签的读写吞吐量从而提高效率。还有大容量能够满足大量数据的存储需要，等同的读写间隔更具利用劣势。

EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制作。这些系列反对工业温度范畴和芯片级封装，以使用户灵便地进行零碎设计。该系列还反对低数据放弃电压，以低数据放弃电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理反对提供技术支持及样品测试。 特色●工艺技术：全CMOS●位宽：128Kx16位●电源电压：2.3V〜3.6V●低数据放弃电压：1.5V（最小值）●三态输入和TTL兼容●规范44TSOP2，48BGA●工业操作温度 引脚封装 ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位动态RAM，以131,072个字乘16位组织。它是应用ISSI的高性能CMOS技术制作的。这种高度牢靠的过程与翻新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设施。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC规范的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。 特色CMOS待机•单电源-Vdd2.4V至3.6V（10ns）-Vdd3.3V±10％（8ns）•齐全动态操作：无需时钟或刷新•三态输入•高低字节数据管制•工业和汽车温度反对•无铅可用•谬误检测和谬误纠正 引脚封装

4 月 22 日，清华大学发表成立集成电路学院。工业和信息化部副部长王志军，北京市委常委、教工委书记夏林茂，清华大学党委书记陈旭，校长邱勇，副校长杨斌、尤政独特为清华大学集成电路学院揭牌。 据理解，新成立的集成电路学院将瞄准集成电路「卡脖子」难题，聚焦集成电路学科前沿，突破学科壁垒，强化穿插交融，冲破要害核心技术，造就国家急需人才，实现集成电路学科国内领跑，撑持我国集成电路事业的自主翻新倒退。 清华大学集成电路学院揭牌典礼 据悉，清华大学集成电路学院由原微电子与纳电子学系与电子工程系共建，清华大学传授吴华强负责院长。吴华强传授是清华大学微电子与纳电子学系主任、微电子学研究所所长，清华大学微纳加工平台主任，北京市将来芯片技术高精尖翻新核心副主任。钻研畛域是新型半导体存储器及基于新型器件的类脑计算钻研。 吴华强传授发言 会上，吴华强院长回顾了清华大学面向国家策略需要，建设一流学科、造就一流人才的历史传承。他示意：集成电路是一个典型的交叉学科。集成电路学院在国内首次提出「1+N」联结机制，在老师聘用机制、有组织科研等方面踊跃翻新，并与相干院系设立穿插钻研核心，独特推动学科穿插交融。  在学科方向设置方面，清华大学集成电路学院联合集成电路迷信与工程一级学科的特点和发展趋势，拟设置集成纳电子迷信、集成电路设计与设计自动化和集成电路制作工程三个二级学科，拟重点倒退纳电子迷信、集成电路设计方法学及 EDA、集成电路设计与利用、集成电路器件与制作工艺、封装与系统集成、MEMS 与微零碎、集成电路专用配备和集成电路专用资料等学科方向，残缺笼罩集成电路全产业链。 清华大学集成电路学院的人才培养包含本科生、专业型硕士生、学术型博士生以及专项博士生等不同档次和类别。集成电路学院将不间接招收本科生，本科生造就将采纳大类造就和书院造就模式，硕士生和博士生的造就将以高层次翻新人才为主。依据集成电路学科和产业的特点， 学院将施展清华大学多学科劣势，构建开放式、模块化、结构化的课程体系，在重视夯实数理根底的同时，建设起笼罩集成电路设计、制作、设计工具 (EDA)、配备和资料等产业链各环节常识的课程体系。  集成电路学院的成立恰逢清华大学 110 周年校庆，清华大学校长邱勇在揭牌典礼上示意：集成电路学院要不辱使命，打造自强之「芯」，造就具备原始创新能力的高端人才，引领产业跃升的关键技术，摸索出一条实现中国集成电路迷信原创冲破的自主门路，为国家实现科技自立自强提供策略撑持。

富士通型号MB85RS2MTA是采纳262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来造成非易失性存储单元。可能保持数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采纳串行外围设备接口SPI。 MB85RS2MTA中应用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85RS2MTA不须要破费很长时间就能够写入闪存或E2PROM之类的数据，MB85RS2MTA不须要等待时间。FUJITSU代理可提供产品相干技术支持。 MB85RS2MTA特色•位配置：262,144字x8位•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）•工作频率：40MHz（最大）•高耐久性：1013次/字节•数据保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）•工作电源电压：1.8 V至3.6 V•低功耗：工作电源电流2.3mA（最大@40 MHz）待机电流50A（最大值）休眠电流10A（最大值）•工作环境温度（温度范畴：-40°C至+ 85°C•封装：8针塑料SOP（FPT-8P-M09） 8针塑料DIP（DIP-8P-M03） 合乎RoHS 引脚 FRAM具备个性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内实现、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电利用中具备劣势。与传统的存储技术相比，FRAM在须要非易失性、高速读写、低功耗、高读写持久等综合性能的应用领域体现出众、口碑良好。

环境传感器&摄像，车联网通信技术和人工智能决策平台是主动驾驶技术的核心技术。传感器，CAN通信，infotainment这些零碎须要实时和继续地存储以后状态信息，并进行实时剖析和解决。因而须要进步存储器的性能和耐久性设计，这些要求使FRAM成为现实的存储抉择。 FRAM在Car Infotainment中的利用高速烧写，高读写耐久性：零碎常常会会受到发动机敞开，导航，倒车摄像或电话进入时的烦扰，高端的car infotainment须要实时记录以后状态，并在烦扰之后回复以后状态（最初的模式，操作履历和GPS数据）。 FRAM在胎压监测TPMS中的利用高烧写耐久性，高速写入速度，低功耗：新一代TPMS零碎要求及时和间断地监测轮胎外部压力，温度和随工夫变动加速度信息，数据采集频率为１次/0.5msec。新一代TPMS利用于低温，低压的刻薄环境中，电池不易更换。轮胎供应商的保障参数是轮胎120km/电池5年。（如果用EEPROM的话，电池寿命仅为2年）将来富士通将举荐TPMS将应用以FRAM的无电池计划-能源采集(energy harvesting)。 FRAM在汽车智慧气囊中的利用高速烧写，低功耗，高读写耐久性：监测和记录气囊启动后是否失常工作。这些记录将作为法律依据，来解决事变起因和查究法律责任。实时监测空座位信息和乘客的体重，以确保气囊的精确和及时启动。 目前为反对新能源汽车技术和主动驾驶技术，富士通开发并量产了耐高温（125度）车规级（AECQ100）产品。在将来，富士通还将持续开发适宜新能源汽车技术，主动驾驶技术倒退的更多车规级产品，为客户提供更多抉择。代理商英尚微电子反对提供样品测试及产品相干技术支持。 对于富士通电子富士通电子次要销售产品包含铁电存储器等存储芯片，它们是以独立产品及配套解决方案的模式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持挪动终端、影像设施、汽车、工业管制、家电、穿戴式设施、医疗电子、电力电表、安防等畛域。

存储设备（次要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时隐没，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会隐没，这意味着数据一旦被写入，只有不进行擦除或重写，数据就不会扭转。FRAM是一种与Flash雷同的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和工作原理 FRAM是使用铁电资料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又能够像RAM一样操作。 •当一个电场被加到铁电晶体时，核心离子顺着电场的方向在晶体里挪动，当离子挪动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。外部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。 •移去电场后核心离子放弃不动，记忆体的状态也得以保留。 •资料自身的通畅个性的两个稳固点代表0或1的极化值。 FRAM的特点 独特性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。 其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时，FRAM写入数据可在150ns内实现、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电利用中具备无可比拟的劣势。 富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。

美国当地工夫 3月2日，美国得克萨斯州韦科（Waco）郡中央法庭裁决称，英特尔公司进犯了“VLSI 科技公司”持有的两项专利。法庭裁决，英特尔为其中一个专利需抵偿 15 亿美元，另一个专利抵偿 6.75 亿美元，共计约 22 亿美元。 这是美国历史上数额最大的专利赔偿案之一，收到裁决后，英特尔示意将上诉并发表声明称：“英特尔对陪审团今日的裁决表白强烈异议。咱们打算上诉，并有信念获胜。”该公司示意，本身并未歹意进犯专利，并且创造了自有且更简单的技术来实现专利波及的用处。 在4月21日的二次审判中，英特尔取得了得克萨斯州韦科联邦陪审团的反对，示意英特尔并未进犯 VLSI 所领有的两项专利。在该法院同时进行的第二起价值十亿美元以上的芯片相干诉讼案，英特尔也取得了陪审团的反对，从而一共防止了 30 亿美元以上的抵偿。 单方各执一词，英特尔暂获陪审团反对涉案的两项专利都和芯片相干。其中编号为 7523373 专利是集成电路存储器低电压工作技术，以保障存储芯片最低工作电压。而编号为 7725759 专利则是治理电子设备中时钟频率的零碎和办法，可调整芯片时钟频率以节约能耗。 两项专利的其中一项最后在 2012 年颁给飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor），另一项 2010 年颁给矽玛特（SigmaTel）。飞思卡尔先买下矽玛特，2015 年再被恩智浦收买，两项专利于 2019 年转让给 VLSI。 在此前的庭审过程中，英特尔代理律师 William Lee 示意，两项专利曾由荷兰恩智浦 (NXP) 所有，但四年前成立的VSLI并无产品，潜在营收来自官司。Lee 称，VLSI 拿出两项 10 年未曾应用的专利，并要求抵偿 20 亿美元，“无异于对真正的创新者课税”。他主张 VSLI 能够取得的赔偿金不超过 220 万美元。 而 VLSI 公司的委任律师 Morgan Chu 称，两项专利蕴含的新发明，能够进步处理器的性能和速度，这是市场竞争的两个重要指标。因而，英特尔在应用相干技术时并未理解是否在应用其余公司的专利，这是一种成心忽视。他进一步指出，思考到英特尔每年销售芯片取得的巨额营收，这一次的索赔金额并不高。 然而英特尔的律师辩称，这一价格是过来收买该专利时的估值的 3000 倍以上。同时，英特尔否定他们应用了这些专利技术，并且称其本人的工程师花了几十年的工夫开发了用于从笔记本电脑到军用战斗机等各种产品的芯片。 取得陪审团的反对后，英特尔在一份申明中示意，该公司很快乐陪审团“驳回了 VLSI 无关英特尔尖端处理器进犯 MP3 播放器技术到期专利的毫无价值的指控。” 专利大战背地，科技公司的“防御性专利库”因为技术密集性，科技公司容易成为技术侵权案件诉讼对象。始终以来科技公司踊跃积攒专利库存，以爱护本人免受诉讼侵害。这些库存称为防御性专利，能够帮忙避免公司之间的诉讼，因为每个专利都有足够的专利来反复起诉对方。 2005 年英特尔因为进犯专利向 MicroUnity 系统工程公司抵偿了 3 亿美元。在 2011 年英特尔与英伟达的专利诉讼中，最初英特尔也领取了 15 亿美元和解金。 ...

FRAM铁电存储器。它是一种采纳铁电资料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具备ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防篡改方面具备劣势。 富士通FRAM次要具备三大劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比方FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内实现，速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPROM的1/400，在电池供电利用中具备微小的劣势。富士通代理英尚微电子反对提供样品及产品技术支持等服务。 通过市场的长期宽泛验证以及技术的一直冲破，富士通FRAM产品已胜利利用于诸多行业畛域。近些年来，随着IoT以及汽车电气化等趋势不断涌现，富士通进一步推出更低功耗、或者车规级的FRAM产品，适应物联网设施、汽车电子等行业倒退，为客户提供高质量、高可靠性的解决方案。 在汽车电子畛域的BMS利用，采纳富士通型号MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM产品用于其自主研发BMS零碎中。同时，业界出名的一家意大利FI轮胎制造厂商亦采纳富士通FRAM产品用于胎压监测。凭借高耐久性、高速写入、高可靠性的个性，与通过车规级认证的产品劣势，富士通FRAM成为赋能要害型汽车利用的外挂存储器首选。 除了车规级铁电存储器FRAM产品赋能汽车电子利用外，富士通FRAM具备高烧写耐久性以及低功耗等个性，实用于零碎网关(Gateway)中记录与存储重要的数据。高可靠性FRAM更是实用于高端医疗畛域的为数不多的电子产品之一。目前富士通铁电存储器FRAM已胜利利用在CT扫描机、监护仪、主动CPAP(间断正气道压力)设施、助听器、医疗电子标签等产品中，进步医疗行业的生产效率。

新能源汽车的核心技术，是大家所熟知的动力电池，电池管理系统和整车管制单元。而高性能存储器FRAM将是进步这些核心技术的要害元件。无论是BMS，还是VCU，这些零碎都须要实时和间断地对以后状态信息进行监控，记录和剖析解决。因而须要进步存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才能够满足所要求的可靠性和无迟延的要求。 FRAM在电池管理系统BMS利用高烧写耐久性，高速写入操作：•零碎每0.1或1秒，实时和间断地存储重要数据（故障信息,SOH和SOC等）。•零碎须要监控短期（最初几个充电周期，60次/秒）和长期（整个电池寿命）电池性能。 FRAM在整车管制单元VCU中的利用高烧写耐久性，高速写入操作：零碎须要以每秒一次的频率去实时记录汽车行驶的以后状态和产生故障时的变速器挡位，减速情况，刹车和输入扭矩等信息。 FRAM在T(Telematics）-BOX中的利用高读写耐久性，高速写入操作：•零碎须要1次/0.2秒的速度，间断记录CAN通信数据。•零碎须要1次/秒的速度，间断地记录地位数据。•零碎要求记录在产生事变前的10秒内，每秒的行驶数据（刹车，发动机转速等）。上述数据1次/10秒的频率转送到从FRAM转送到Flash里。 富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。

随着汽车智能化的倒退，越来越多的车辆搭载了主动驾驶技术。据前瞻技术研究院的数据显示，2019年国内主动驾驶市场规模为1125亿元，预计至2023年可达2381亿元，年复合增长率达到20%。对于各大车企来说，作为新生事物的新能源和主动驾驶能够说是同一时间起步，其较传统燃油汽车更加简略的电控零碎与整车架构都展示了这个组合极高的符合度，目前很多刚上市的新款新能源汽车都曾经达到了L2主动驾驶级别。事实上，主动驾驶、或者说ADAS（高级驾驶辅助零碎）的实质是汽车与环境的对话，通过传感器采集数据、存储器记录数据、处理器运算数据以及反馈等过程实现。而这些过程都需在极短的工夫内实现，除了高速以外，要害中的要害——可靠性必须保障！ FRAM在智慧气囊中的利用 在ADAS细分畛域的胎压监测（TPMS）利用中，富士通业已迈出抢占车载利用市场的第一步。富士通FRAM存储器曾经被倍耐力轮胎率先采纳，利用于其所生产机动车轮胎的TPMS零碎中，以实现牢靠的低功耗、高速写入以及高持久的数据处理性能。倍耐力是世界上享有盛名的轮胎公司之一，具备100多年历史的倍耐力轮胎自身已成为轮胎业“牢靠品质”与“优异性能”的代名词！TPMS要对轮胎的压力进行实时和间断监测，如有充气有余，立刻收回警报。胎压监测装置在低温，低压的刻薄环境中，电池不易更换，为了缩短电池寿命，应用低功耗存储器是必要条件。这些要求使FRAM成为胎压监测的现实抉择。 ADAS是无人驾驶的前奏，也是现阶段市场的外围所在。当无人驾驶继续一直抢占头条时，高级驾驶辅助零碎ADAS悄悄地掀起了一股改革浪潮，从根本上扭转着传统汽车的操控形式和用户体验。主动驾驶的冗余度和容错性个性，要求越是高阶的主动驾驶须要越多的传感器。ADAS的所有子系统，如传感器、摄像机、CAN通信、车载HMI等必须实时和继续地存储以后状态信息进行实时监控、记录、剖析或解决。在如此严苛的标准下，具备非易失性、高速写入以及高度写耐久性的FRAM存储器正好满足主动驾驶所要求的可靠性和无迟延的要求！因而随着ADAS技术愈发成熟，FRAM在该畛域的机会也越来越大。 以人工智能决策平台中的智能气囊利用为例，气囊作为大部分汽车的必备配置，对驾乘人员的人身安全起着极大的保障作用。针对智能气囊来说，零碎要在气囊被激活驱动后，间断记录气囊是否失常动作以及气囊的动作履历数据，最终将这些数据作为法律依据，来解决事变，查究起因和责任；另外零碎还须要实时监控和间断记录空座位信息和乘客的体重，以确保精确，及时启动气囊。“这些要求使FRAM成为现实的抉择。

4 月 15 日，龙芯自主指令系统架构的基础架构胜利通过国内第三方出名知识产权评估机构的评估，并正式对外公布。值得一提的是龙芯中科研发的 CPU 曾经能够反对龙芯架构，这款 CPU 正是前不久刚官宣流片的 3A5000 处理器芯片。 近年来因为美国方面对于中国包含芯片产业等科技行业的打压，华为海思等国产 CPU 厂商的运行受到了重大妨碍。在这样的境遇下龙芯抉择的 MIPS 指令集也被其拥有者 Wave Computing 所摈弃（Wave Computing 已转投 RISC-V 营垒），所以龙芯不得不放弃 MIPS 指令集，创始另一条路线。 最终龙芯中科基于本身二十年的 CPU 研制和生态建设推出龙芯架构（LoongArch），胜利实现包含基础架构局部和向量指令、虚拟化、二进制翻译等扩大局部，总数近 2000 条指令。 研制成功后，龙芯委托国内第三方出名知识产权评估机构对龙芯基础架构进行深入细致的知识产权评估。从 2020 年二季度开始，将 LoongArch 与 ALPHA、ARM、MIPS、POWER、RISC-V、X86 等国内上次要指令系统无关材料和几万件专利进行深刻比照剖析。 2021 年 1 月，针对被评估的基础架构版本该评估机构认为： LoongArch 在指令系统设计、指令格局、指令编码、寻址模式等方面进行了自主设计。LoongArch 指令系统手册在章节构造、指令阐明构造和指令内容表白方面与上述国内上次要指令系统存在显著区别。LoongArch 基础架构未发现对上述国内上次要指令系统中国专利的侵权危险。简略来说，龙芯的 LoongArch 指令集在实现兼容多种国内支流的指令系统的根底上，领有齐全的自主知识产权，做到了齐全的自主可控。 龙芯中科技术有限公司董事长、中国科学院计算技术研究所研究员胡伟武介绍，龙芯架构从整个架构的顶层布局，到各局部的性能定义，再到细节上每条指令的编码、名称、含意，在架构上进行自主从新设计，具备充沛的自主性，同时也能兼容多种支流指令系统。 如果把设计芯片比作写文章，指令系统就好比是语言。在此之前中国人只能用英文「写文章」，但绝不可能基于英文倒退民族文化体系，所以龙芯呈现是寰球缺芯潮和国内科技领域大变局下，中国集成电路畛域核心技术的重大突破。

据媒体报道，4月14日上午，台积电位于南科的 Fab14 P7 厂区突发停电事变，业界预估有 3 万片晶圆受影响，损失金额在 10 亿新台币（折合 2.3 亿人民币）。 台积电回应称，停电起因是南科超高压变电所电缆异样，目前厂内人员平安无恙，已靠柴油发电机复电，并与台电单干全力恢复正常供电。 尽管很快便复原了失常供电，但对于近期寰球面临的晶圆产能紧缺、芯片紧缺问题，这一事变造成的潜在影响可能远超间接损失的金额。 3 万片晶圆受损，电力或成芯片行业“阿克琉斯之踵”事变的起因目前已考察分明。 4月14日上午11点6分左右，台积电南科工厂邻近的三福气体进行厂区新建工程施，在厂区内进行直井施打地铆施设作业时，不慎损坏 161kV 公开电缆，导致南科 - 三福线线路跳脱，工厂停电。 台积电方面确认了此次停电意外，并强调工厂员工无虞，也没有进行人员疏散，依附柴油发电机复原供电，正在全力争取尽快恢复失常供电，理论影响还有待评估。 台积电 Fab 14 P7 工厂次要生产 300mm 晶圆，是台积电 40nm、45nm 工艺的重要生产基地之一，月产能 4 万块晶圆。据台媒经济日报报道，南科业者指出，台积电 P14 厂此次受到停电的影响，大略会有 3 万片晶片受到波及，至于会不会全副报废，还须要等台积电进一步评估。 更重大的是，除了台积电受影响，左近的群创、联电、瀚宇、康宁、南茂等半导体大厂，也都因而呈现了电压忽然降落，具体损失仍待进一步厘清。 芯片制作是一个微小的资源密集型行业。台积电的电力问题其实始终存在，台积电创始人张忠谋就已经数次强调电力问题，他曾称停电对于台积电的影响“简直不可预计”。 据绿色战争组织（Greenpeace）预计，台积电一家公司的用电量就占到台湾总用电量的近 5%。台积电企业社会责任报告书显示，2019 年台积电寰球用电量达约 143.3 亿度，比五年前减少了 54.12 亿度，而 2019 年台湾地区绿色能源发电量为 140 亿度，仅可能到台积电一家的使用量。 当台积电的 3nm 芯片厂启动后，预计仅 3nm 厂的耗电量就将高达 70 亿度。另据彭博行业钻研的数据，因 5nm 和 3nm 大幅启用 EUV 光刻设施，台积电在 3 年内对电力的需要将倍增，预计到 2023 年底，当台积电 5nm 和 3nm 厂全速运行时，新增电路需要简直将达到台积电 2019 年寰球用电量的 98%。 ...

因为新冠疫情导致的芯片产业链中断，去年年底集中暴发了芯片紧缺问题，导致寰球包含手机、电脑、汽车等电子产品和大量工业级设施的产能锐减。 市场钻研机构英国埃信华迈公司预测，2021年第一季度，寰球将有100万辆汽车因“缺芯”推延交付，2021年寰球汽车产业销售额将缩小600亿美元，手机厂商也受到影响，如Google Pixel 5a 5G勾销了除美国和日本以外的所有地区的公布，更有出名路由器厂商 Zyxel Communications 示意新的路由器订单曾经被拖到了60周之后.... 尽管目前包含台积电、三星电子、联华电子等在内的次要代工厂都打算加大汽车芯片的交货工夫，但如果将局部产能从生产电子畛域转向汽车芯片畛域，也会给前者也带来不少的影响。同时因为芯片行业投资周期较长，短时间内寰球的芯片代工能力不可能大幅度晋升，因而业界预测往年第二季度甚至第三季度还会呈现芯片短缺问题。 为了应答以后缺芯紧缺问题，美国政府决定招集芯片峰会，和大企业们一起探讨解决解决寰球半导体短缺方法。 在峰会召开之际，拜登政府开始对美国次要供应链进行审查，其中包含半导体，大容量电池，医疗用品和稀土金属的供应链，考察发现计算机芯片的短缺对从电动汽车的生产商到医疗用品的许多行业都有影响。 美国官员和立法者强调了该国对半导体依赖其余国家的潜在安全隐患，所以从经济和国家平安的角度登程，白宫2月份开始查看美国制造业供应链和国防工业基地的弹性和能力，白宫还示意，它试图查看国内制造业和供应链中的空白，特地是那些有其余国家所主导的技术空白。 这次峰会也次要聚焦以上两个问题，峰会由美国国家平安参谋杰克·沙利文和NEC总监布莱恩·迪斯主持，美国商务部长吉娜·雷蒙多也将缺席。参加的次要企业有： GoogleAT&TCumminsDellFordGeneral MotorsGlobal FoundriesHPIntelMedtronicMicronNorthrop GrummanNXPPACCARPiston Group三星SkyWater TechnologyStellantis台积电

MB85RQ4ML是一种FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采纳524,288字×8位的配置，应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来造成非易失性存储单元。采纳四路串行外设接口（QSPI），可应用四个双向引脚（四路I/O）实现高带宽，例如以54MB/s的速度进行读写。可能保留数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。 MB85RQ4ML中应用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85RQ4ML不须要很长时间就能够写入闪存或E2PROM之类的数据。可能在没有任何等待时间的状况下以高带宽写入数据，并且非常适合网络，游戏，工业计算，相机，RAID控制器等。富士通代理英尚微电子反对提供样品及产品利用解决方案等技术服务。 ■特点•位配置：524,288字×8位•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）/四路SPI对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）•写反对：单数据输出/四数据输出/四地址和数据输出/QPI模式•读取反对：单数据输入/疾速单数据输入/疾速四数据输入/疾速四地址输出和数据输入/QPI模式/XIP模式•工作频率：108MHz（失常的READ命令除外）•高耐用性：每字节1013次读/写•数据保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超过200年（+35°C）•工作电源电压：1.7V至1.95V（单电源）•功耗：工作电源电流20.0mA（典型值@四I/O，108MHz）待机电流70A（典型值），400A（最大）•工作环境温度范畴：-40°C至+85°C•封装：16针塑料SOP（FPT-16P-M24） 引脚封装 ■串行外围接口（SPI）•SPIMB85RQ4ML作为SPI的从设施。SPI应用SI串行输出引脚在SCK的回升沿将操作码，地址或数据写入器件。SO串行输入引脚用于在SCK的降落沿从器件读取数据或状态寄存器。 •Quad SPIMB85RQ4ML作为Quad SPI的从设施。MB85RQ4ML反对应用“FRQO”，“FRQAD”，“WQD”和“WQAD”命令的Quad SPI模式，应用“EQPI”和“DQPI”命令的QPI模式以及XIP模式。当应用Quad SPI模式指令时，SI，SO，WP和HOLD引脚变为双向IO0，IO1，IO2和IO3引脚。

pSRAM与SRAM相比,PSRAM采纳的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM雷同.PSRAM就是伪SRAM，外部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒类似，但内部的接口跟SDRAM不同，不须要SDRAM那样简单的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM 外部自带刷新机制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb, 128Mb等等。上面EMI代理英尚微电子介绍一款型号为EMI108NA16LM的国产8mb psram。 EMI108NA16LM该器件是应用DRAM型存储单元的残缺COMS SRAM，然而该器件具备无刷新操作和极低的功耗技术。此外该接口与低功耗异步型SRAM兼容。其工艺技术采纳全CMOS,位宽512K x 16，电源电压范畴为2.7~3.3V，三态输入和TTL兼容，包装类型采纳48-FBGA-6.00x8.00毫米，拆散的I/O电源（VCCQ）和外围电源（VCC），勾销抉择时自动关机。 对于EMIEMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及SRAM/PSRAM的整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。

美国ISSI公司是为汽车和通信，数字消费者以及工业和医疗次要市场设计开发高性能集成电路的技术领导者。次要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年来对精细半导体存储器的需要已从集体计算机市场扩大到了汽车，通信，数字生产，工业和医疗市场。这些产品须要减少内存内容，以帮忙解决大量数据。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit动态SRAM，它是应用ISSI的高性能CMOS技术制作的。这种高度牢靠的工艺加上翻新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的器件。当CE为高电平（勾销抉择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可通过CMOS输出电平降低功耗。通过应用芯片使能和输入使能输出CE和OE，能够轻松扩大存储器。激活的LOW Write Enable（WE）管制存储器的写入和读取。数据字节容许高字节（UB）和低字节（LB）拜访。IS61WV25616BLL封装在JEDEC规范的44引脚TSOP TypeII和48引脚Mini BGA（6mmx8mm）中。ISSI代理英尚微电子反对提供样品及产品技术支持等服务。 引脚封装  IS61WV25616BLL特色高速：（IS61WV25616BLL）•高速拜访工夫：8、10、20ns•低有功功率：85mW（典型值）•低待机功率：7mW（典型值）CMOS待机•高速拜访工夫：25、35、45ns•低有功功率：35mW（典型值）•低待机功率：0.6mW（典型值）CMOS待机•单电源-VDD2.4V至3.6V（IS61/64WV25616Bxx）•齐全动态操作：无需时钟或刷新•三态输入•高低字节数据管制•工业和汽车温度反对•无铅可用 ISSI公司跨各种终端市场对高性能存储设备的需要一直增长，这为高性能存储集成电路的集中供应商提供了微小的机会。以开发当先的工艺技术，并在行业降级周期中更平安地获取晶圆产能。并为满足客户需要提供长期供给。持续开发和提供高性能产品。为次要市场开发精选的非内存产品。为了减少产品的多样化并提供SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品，开发精选的非内存产品以供次要市场应用。

富士通FRAM是一种交融了在断电的状况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个专长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据放弃，不仅不须要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具备优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制作。可能保留数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中应用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85R4002A应用与惯例异步SRAM兼容的伪SRAM接口。 引脚封装 特点•位配置：262,144字×16位•LB和UB数据字节管制•读写续航力：1010次/字节•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）•工作电源电压：3.0 V至3.6 V•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50A（典型值）•工作环境温度范畴：−40°C至+ 85°C•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）合乎RoHS 非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入工夫较通用EEPROM及闪存要短，具备写入能耗低的长处。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供利用解决方案等产品服务。

近几年，国产射频芯片增长生猛，已跑出一支可面向寰球市场供货手机射频前端的生力军。 5G单机用量翻翻，射频前端芯片爆单射频芯片供应链的次要采购商为上游的手机整机厂和基站设备商，次要是包含苹果、三星、小米、OPPO、vivo、索尼等手机厂商，以及华为、爱立信、思科等设施厂商。 在终端需要上，2G时代手机频段数是4个；3G时代手机频段数回升到6个；然而到了4G时代，千元机频段数就达到了8-20个，旗舰机频段数在17-30个，须要20-40个滤波器，10个开关；而到了5G手机，频段数将达到50个，须要80个滤波器和15个开关。相比于4G，5G对于射频滤波器和开关的需要实现了翻倍。 通信基站同样是射频芯片需求量很大的一个畛域。以4G宏基站为例，次要采纳4T4R计划，对应的射频PA需求量为12个，而5G基站以64T64R大规模天线阵列为主，对应的PA需求量高达192。目前5G基站PA的数量将减少16倍，主流产品是GaN射频PA，老本始终处于高位。 射频芯片最大的壁垒是5G智能手机须要兼容2G/3G/4G频段，占用面积大，要将整个射频零碎实现高度集成是十分艰难的，须要多年射频行业累积，比方高通收买360RF（TDK射频业务）后，采纳CMOS工艺的3G PA曾风头无两，然而在4G和5G PA上，高通的CMOS工艺PA因为功耗太差被诟病至今。 苹果出于老本思考，调整了iPhone12的5G PA洽购量由6个变成2个。对iPhone尚且如此，基带和RF和5G专利费用和寰球芯片产能碰壁， 安卓营垒的5G手机要像4G手机一样在大规模遍及能够说短期内并不实在。 不过这也给中国厂商一个在射频前端产业的解围机会，因为最靠近产业链，一旦技术上做到了know-how，再在老本和产能上能够做到的劣势，产品就有很大的竞争力。事实上目前供应链上，国产射频芯片厂商的崛起速度十分惊人，外乡射频市场正在巨变。

当初的电子系统利用，对SRAM要求越来越高，单片机或ARM外部的RAM越来越不够用。国产EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。这样的IC用处个别是：数据采集或信号处理过程的缓冲，MCU近程降级的数据备份和缓存等等。单片机MCU外扩选用SPI SRAM解决方案的最佳抉择。因而曾经失去越来越多的MCU相干厂家的反对。 EMI7064 64Mbit串行SRAM，它反对1.8v和3.0V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输出和输入拆散或4位I/O通用接口。设施自身会执行所有必要的刷新操作。 EMI7064特色-SPI总线接口：兼容SPI兼容SQI所有模式的时钟频率均为20MHz低功耗CMOS技术：读取电流：最大25mA待机电流：典型值50uA-有限的读写周期-8Mx8位组织和1KB页面大小-高可靠性-合乎RoHS-8引脚SOIC封装-反对的温度范畴：扩大（E）：-25°C至+85°C工业（I）：-40°C至+85°C 8pin SOIC 150mil 对于EMIEMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子可提供样品测试及产品技术支持。

随机存取存储器（ram）是与CPU间接替换数据的外部存储器。它能够随时读写（刷新时除外）且速度很快，通常作为操作系统或其余正在运行中的程序的长期数据存储介质。ram工作时能够随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。存储器是数字零碎中用以存储大量信息的设施或部件，是计算机和数字设施中的重要组成部分。随机存取存储器（ram）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何ram中存储的信息在断电后均会失落，所以ram是一款易失性存储器。 本篇文章存储芯片供应商英尚微电子简略介绍一下对于ram应用的注意事项。 （1）、资源理论在我的项目中，咱们须要弄清楚2个问题，方案设计上须要多大的buffer？这么大的buffer须要多少块ram？后一个问题后面曾经具体阐明了，前一个问题就只须要留神一点：别溢出了。写的时候管制好地址和使能信号，保障不翻转，读的时候先写后读。 （2）、ram的复位和初始化首先要明确一点，ram中寄存的内容是不会复位的。咱们在例化ram的时候，输出的复位信号，仅仅是复位ram中的输入寄存器。那这就会带来一个问题：零碎运行一段时间后复位的话，ram的值并不是咱们想要的初始值。能够分2种状况思考： ram作为表项：能够在复位后，先主动对ram做一次初始化操作（即先写一遍ram），使得ram中的值变成咱们想要的初始值。 ram作为缓存：要从计划上保障对ram的操作是先写后读，那就不会有上述的问题了。如果的确无奈保障，也能够参考上述对ram初始化操作一次的计划。 （3）、性能ram的输入输出肯定要通过寄存器，记住这点，性能上不会有太大问题。 （4）、校验FPGA中的ram存在肯定的软生效或者器件故障（reg和LUT也一样），对于可靠性要求不严格的场景，不须要对ram中的数据进行校验。而对可靠性要求十分高的场景，就须要校验了。 常见的校验有2种，奇偶校验或者ECC，如果呈现生效，大概率（如同是90%以上）是1bit谬误。对于这种谬误，奇偶和ECC校验都可行。通常的做法是在数据将要写入ram之前，先计算奇偶校验位或者ECC校验位，和原始数据一起写入ram中，读数据的时候再对读出的数据做测验，如果呈现谬误，上告系统软件，让下层业务决定如何解决。以后供应商的IP自身曾经反对ECC校验。

低功耗蓝牙芯片曾经在一些低端利用上得以广泛应用。比方在新出厂车辆的车钥匙、智能照明以及智能门锁等畛域上，低功耗蓝牙芯片均是其中的重要角色。 将来低功耗蓝牙芯片则会在AIoT的诸多场景外面占据着重要的位置。可穿戴设施作为物联网中的重要载体，在近些年来也开始导入AI技术和新性能退出，使得其对功耗方面有了更高的要求。因而可穿戴设施也被视为是低功耗蓝牙芯片率先暴发的市场，而这个市场目前正处在疾速增长期。可穿戴设施增长次要来自腕式设施和耳戴式设施，其中腕式设施出货量占比超过60%，次要为智能手表和手环，罕用于衰弱和静止等场景，作为手机等挪动终端的外围设备，数据传输是其次要性能，对功耗有很高要求。 低功耗蓝牙芯片将来倒退空间集中在智能家居、智慧楼宇、智慧城市、智能工业等畛域。而这些畛域的倒退，离不开Mesh的反对。Mesh是低功耗蓝牙芯片的一种全新网络拓扑构造抉择，将蓝牙定位为包含智能楼宇和工业物联网在内的各大新畛域和新用例的支流低功耗无线通信技术。蓝牙技术联盟于2017年7月正式发表，蓝牙技术开始全面反对Mesh网状网络，蓝牙Mesh兼容蓝牙4和5系列的协定。 而从最新颁布的蓝牙规范中看，蓝牙芯片新增了寻向性能，即可能在更低功耗下将蓝牙定位的精准度晋升到厘米级。这也为低功耗蓝牙芯片开启了室内定位利用的新契机。将来几年室内定位的寰球市场将以42.0％的年复合成长率(CAGR)增长，室内定位在将来几年内将迎来疾速倒退期间。

2021年寰球存储产品全线提价。2月底的DRAM、内存模块、NAND FLASH、NOR Flash等的价格均呈现调涨。以内存的价格为例——DRAMeXchange数据显示，截至往年2月3日，8Gb DDR4内存颗粒报价达到3.93美元，去年8月的报价仅为2.54美元。 去年下半年因疫情管控、停电、产能缓和、超额预订等问题突显，加上晶圆代工产能吃紧、原厂开释到SSD渠道市场的NAND Flash资源较少、大厂减少了备货库存……诸多因素叠加，对产能产生了排斥效应。随着PC、5G手机、汽车、数据中心对存储性能和容量需要的一直晋升，预期2021年NAND闪存行业会大幅增长，对Client SSD 主控芯片、eMMC/UFS主控芯片及车用贮存的需要也会明显增加。 以后即便紧急新增投产8英寸晶圆产线，在短期内也较难看到显著的产能增长。近期台积电发表勾销12英寸晶圆代工3%的折扣，业内猜想12英寸晶圆产能也将吃紧。再加上终端需要在晋升，在晶圆产能尚未缓解之前，存储产业链也或将面临缓和的场面。 就算不思考最间接的产能问题，倒退大数据存储也要解决很多问题。据IDC预测，2023年将有超过100ZB的数据产生，这将扭转大家对整个行业的认识和预期，也对下一代存储技术提出新的要求。 数据量的增长也将给大数据存储带来新的挑战，这些挑战包含——“如何进步存储的安全性”“减低传输的提早性”“适当地把数据依级存储”。当5G、IoT将进入ZB存储时代，新的数据将以等比的成长速度一直产生，旧的存储架构将无奈满足利用。Arm的存储计划团队很早就针对新的利用，提供残缺的即时处理器/利用处理器/安全性IP与零碎IP，如去年推出的Cortex-R82，专为减速下一代企业与计算型存储解决方案的倒退与部署所设计。 随同5G及IoT的遍及，各类数据将会集至云端并加以保留和利用，闪存及固态硬盘将成为大数据存储端的配角，为了足以应答寰球对数据存储的强劲需要，首先减少闪存及固态硬盘的供应量，并通过采取技术革新伎俩，一直减少每片芯片、每台驱动器的容量，为构筑数字化转型所需的基础设施做出奉献。 大数据存储的落地次要面临三大挑战：第一，海量、多元数据的寄存。散布在多个平台和地理位置的数据被以不同的⽅式采集与传输，数据从单⼀外部⼩数据状态向多元动静⼤数据倒退，⼤量⽂本、图⽚、视频等⾮结构化数据正源源不断产⽣和存储；第二，数据的实时处理。到2023年实时数据将占寰球数据圈25%的份额。其中金融的危险评估、交通的主动驾驶、运营商的智能网络等许多场景，都要依赖疾速实时的数据采集、存储和剖析得以实现；第三，非结构化数据以及将其结构化后的数据，在多云之间的流动、共享。到2022年50％以上的由企业生成的数据，将在数据中心或云端以外的中央进行创立和解决。这些数据可能会被保留在公有云、私有云上，在不同私有云之间进行共享。 信息技术与经济社会的交汇交融引发了数据迅猛增长，企业级、生产级存储空间需要激增。传统数据库在应酬海量数据时，暴露出并发性低，扩展性差，效率低下等问题。大数据存储出现高效能、低成本、低延时的发展趋势。 因为海量的数据无奈被齐全存储下来，“如何尽可能地晋升存储容量”或“哪些数据有被存储的价值”将是厂商考量的重点。将来寰球将会有90%左右的数据由机器产生，这次要是程序型写入的流媒体数据，弄清楚“哪些数据须要被实时计算”“哪些数据须要被存储”十分要害，这些非结构化数据如何实现“瘦身”、晋升存储效力？

你在《与平头哥一起畅想你幻想中的万物互联时代》流动中提交了创意吗？又是否想亲自动手去验证你的创意呢？ 为了让更多的工程师有机会把构想变成事实，阿里云开发者社区战争头哥芯片凋谢社区、SegmentFault 思否社区联结举办《创意征集：平头哥开发板上手体验征文活动》，咱们将会选出优良的社区用户，给他们收费试用开发板（ RISC-V 微控制器）的机会。 开发板介绍： CH2601 RISC-V架构MCU CH2601是基于玄铁E906的RISC-V生态芯片，最高主频220MHz，反对AliOS Things物联网操作系统、平头哥YoC软件平台及平头哥剑池开发工具(CDK)。 流动规定：基于日常对 RISC-V 微控制器的智能利用的应用体验，或联合本身对RISC-V 微控制器的智能利用的期待，写一封《开发板试用申请信》,要求题目自拟，文体不限，语言不限，字数不限，内容自由发挥。 咱们会基于以下规范，进行评分 创意可实践性：0-10分创意的创新性：0-10分创意思路的清晰水平：0-10分综合得分：30分，超过24分的用户咱们会给予开发板试用机会。 ↓扫描下方二维码上传申请信↓ 最初：本次流动由阿里云开发者社区、平头哥官网渠道及 SegmentFault 思否等技术社区独特征集，心愿通过这次流动收到大家的创意，通过对 RISC-V 微控制器的智能利用进行改良，优化大家的利用体验，感谢您的参加~ 舒适提醒 1、流动工夫：3月17日——3月26日 2、地址和电话填写正确，咱们会依据信息邮寄开发板 3、最终解释权归主办方所有 扫码下方二维码，增加思否君，理解更多流动信息。

EMI164NA16LM该设施是一个集成的存储器设施，其中蕴含64Mbit动态随机存取存储器，应用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具备独自的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设施外围的独自电源运行。 特色•电源-VCC和VCCQ电压：3.0V（2.7V〜3.6V）•配置：64MB（4MBX16）•读取速度-异步读拜访：70ns•低功耗-异步操作：<30mA-待机电流：<350UA（最大值）•低功耗性能-片上温度弥补自刷新（TCSR）•工作温度范畴：-40°C〜+85°C（工业）•包装：48 TFBGA（6.0x7.0mm） 引脚封装  48 TFBGA（6.0x7.0mm） EMI164NA16LM该设施是67,108,864位pSRAM，应用DRAM型存储器单元，但该器件具备无刷新操作和极其低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设施组织为4,194,304字x16位。 图2.性能框图 性能形容64MB设施蕴含67,108,864位DRAM外围，组织为16位的4,194,304个地址。该设施包含行业标准，在其余LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口 表1性能形容 1.当UB＃和LB＃处于抉择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。当仅LB＃处于抉择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于抉择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。2.当设施处于待机模式时，管制输出（We＃，OE＃），地址输出和数据输出/输入在外部与任何内部影响拆散。3.当咱们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在外部禁用，对I/O没有影响。4.只有更改地址，设施将在此模式下耗费无效电源。5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是动态（未切换的），以实现备用电流。 对于EMI安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子反对提供产品相干技术支持。

EMI7008LSMI该器件是8Mb串行拜访的SRAM存储芯片，外部组织为1024K字，每个8位。该器件采纳先进的CMOS技术进行设计和制作，以提供高速性能和低功耗。该器件应用单芯片抉择（/CS）输出进行操作，并通过与SPI兼容的简略串行接口进行拜访。单个数据输出和数据输入线与时钟一起应用以拜访该设施内的数据。该设施包含一个/HOLD引脚，该引脚容许在不勾销抉择该设施的状况下暂停与该设施的通信。暂停时，除/CS引脚外的输出跳变将被疏忽。该器件可在-40°C至+85°C（工业级）的温度范畴内工作。 特色：•SPI总线接口：-兼容SPI-SDI（双）和SQI（四）兼容-所有模式的时钟频率均为50MHz•低功耗CMOS技术：-读取电流：50MHz时为22mA（典型值）-深度睡眠模式电流：1mA（典型值）•有限的读写周期•1Mx8位组织•用于读取和写入的字节和程序模式•反对的温度范畴：-工业（I）：-40°C至+85°C•合乎RoHS•8引线SOP封装（2.08mil）引脚封装 SDI模式和SQI模式操作与兼容的主设施一起应用时，该设施还反对SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）操作模式。要进入SDI模式，必须输出ESDI命令（3Bh）。依照SDI操作模式的常规，每个时钟应用SIO0和SIO1引脚输出两位。位首先以MSB时钟输出。要进入SQI模式，必须输出ESQI命令（38h）。对于SQI操作模式，每个时钟输出4位数据，或者每个时钟输出1个半字节。半字节首先由MSB提供时钟。 要退出SDI模式，必须收回RSTDQI命令（FFh）。必须在以后设施配置（SDI模式或SQI模式）中输出命令。 对于EMI安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子反对提供产品相干技术支持。

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它反对1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输出和输入拆散或4位I/O通用接口。设施自身会执行所有必要的刷新操作。 VTI7064特色-SPI总线接口：兼容SPI兼容SQI所有模式的时钟频率均为20MHz低功耗CMOS技术：读取电流：25mA待机电流：典型值150uA-有限的读写周期-8Mx8位组织和1KB页面大小-高可靠性-合乎RoHS-8引脚SOIC封装-反对的温度范畴：扩大（E）：-25°C至+85°C工业（I）：-40°C至+85°C 引脚阐明 8pin SOIC 1.5mil 接口阐明1、地址空间所有设施都是字节可寻址的。64M设施用A[22：0]寻址。2、页长读和写操作始终是线性地址空间。只有满足tCEM（max。），线性连发就能够逾越页面边界。3、驱动强度器件以50上电。4、开机状态器件在SPI模式下上电。开始任何操作之前，必须将CE＃设置为高。5、命令/地址锁存假相设施能够辨认各种输入法指定的以下命令 备注：S=串行I/O，Q=四通道I/O。133（104）示意133Mhz@1.8V和104Mhz@3.3V。*84Mhz是容许跨页面边界拜访的最大工作时钟频率。 6、命令终止所有所有读和写都必须由CE＃从低到高实现。CK＃的回升沿是终止已激活的读/写字线并将设施设置为待机状态的触发器，否则将阻止外部刷新操作，直到设施看到读/写字线已终止，无需执行命令终止操作仅实用于读取和写入操作以及任何命令操作，例如Enter Quad模式命令和Reset命令。 对于VTIVilsion技术公司。是设计开发和销售用于汽车、通信、数字生产、工业，医疗和物联网的高性能集成电路的翘楚。次要产品是高速SRAM，Seiral SRAM和 低功耗SRAM。其市场和应用领域波及数据持久性和可靠性以及完整性，低提早和安全性至关重要。VTI代理英尚微电子反对提供驱动、例程以及必要的FAE反对。