SRAM（Static Random-Access Memory）和DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是计算机中两种常见的存储器类型。它们在工作原理、性能特色和应用领域上存在着显著的区别。上面将具体介绍SRAM和DRAM之间的区别。

  1. 工作原理：

    • SRAM：SRAM是一种基于触发器的存储器，应用稳固的存储电路来存储和保持数据。每个存储单元由一个存储器单元和控制电路组成，其中存储器单元由多个触发器形成，可能存储比特数据。因为采纳了触发器构造，SRAM在一直刷新的过程中保持数据的稳定性。
    • DRAM：DRAM是一种基于电容的存储器，应用电容来存储和示意数据。每个存储单元由一个电容和一个拜访晶体管组成。电容在存储器中充电或放电来示意数据的0和1。因为电容会逐步漏电，DRAM须要定期刷新以保持数据的正确性。

  2. 存储密度：

    • SRAM：因为SRAM采纳了稳固的存储电路，每个存储单元须要更多的晶体管来实现，因而SRAM的存储密度绝对较低。每个存储单元通常须要6个晶体管。
    • DRAM：因为DRAM采纳了电容存储构造，每个存储单元只须要一个电容和一个拜访晶体管，因而DRAM的存储密度较高。每个存储单元通常只须要1个晶体管和1个电容。

  3. 刷新需要：

    • SRAM：因为SRAM的存储单元采纳稳固的触发器构造，不须要进行定期刷新操作。数据能够始终保持稳定，无需周期性刷新。
    • DRAM：因为DRAM的电容逐步漏电，数据须要定期刷新以放弃其正确性。DRAM须要通过刷新操作周期性地从新写入数据，否则数据会失落。

  4. 访问速度：

    • SRAM：SRAM的访问速度十分快，因为数据存储在触发器中，能够立刻读取和写入。SRAM具备较低的拜访提早和高速的读写性能。
    • DRAM：DRAM的访问速度绝对较慢，因为数据存储在电容中，须要通过拜访晶体管的操作。DRAM具备较高的拜访提早和绝对较慢的读写性能。