IPM内置了驱动和爱护电路，使零碎硬件电路更简略牢靠，不仅缩短零碎开发周期，而且进步了故障下的自爱护能力。与一般的IGBT相比，IPM在零碎性能及可靠性方面失去进一步的晋升。

此计划高达12万高转速，利用高转速产生的大风量来疾速吹干头发，高转速也使得电机与叶轮的体积放大,便于设计出乖巧便携的形状。输出电压110Vac/220Vac；驱动形式采纳单电阻无感FOC弦波。高电流密度、低饱和电压和耐低压以及MOSFET；高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率；反对发热丝管制，负离子模块;反对按键档位，LED显示;反对过温、过压、欠压、过流、堵转、短路等故障爱护。对于更多产品利用计划，欢送垂询英尚微电子。

IPM计划劣势
•行业最高配的MCU计划，基于32位ARM M4核，120MHZ主频。
•成熟无感FOC矢量控制算法。
•解决风筒腔体空间狭小的痛点，不便工程师对产品灵便设计，
•可实现30KHZ开关频率单电阻FOC。
•超高速驱动方案设计优化。