MR256D08BMA45R是一款容量为256Kb的磁阻随机存取存储器MRAM存储芯片，组织为32x8位字。它反对+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08BMA45R提供与SRAM兼容的45ns读/写时序，具备有限的耐用性。

MR256D08BMA45R的数据放弃期长达20年以上而不会失落，并会在掉电时由低压克制电路主动提供爱护，以避免在非工作电压期间写入。是必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用的现实内存解决方案。

此款Everspin并口MRAM芯片能在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。封装采纳48BGA)，并行MRAM是大多数手机、挪动设施、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在代替产品。