PSRAM存储芯片是罕用的内部存储设备。具备SRAM接口协议、给出地址、读写指令、实现数据存储。不须要简单的内存控制器来管制内存单元来定期刷新数据。传统的SRAM它由六个晶体管组成cell,而psram它由一个晶体管制成一个电容形成一个存储cell,因而psram可实现较大的存储容量。

串行PSRAM的低引脚封装和传统RAM贮存相比,具备尺寸小、成本低等长处。串行psram对外互联通过八路串联,最高为200MHz双倍数据速率在速度下,可实现超3Gbps带宽传送。相比拟于传统存储器具备更大的带宽。

串行PSRAM选用DRAM架构,能无效压缩芯片体积,串行psram生产成本靠近DRAM老本,具备老本较低的劣势。psram自刷新无需刷新电路即可存储其外部存储的数据;DRAM每隔一段时间,刷新充电一次,否则外部数据就会隐没,psram相比传统RAM会有更宽泛的利用。

PSRAM目前反对的规范有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards,其对应的厂家为apmemory。

APS6404L该PSRAM存储器器件具备高速,低引脚数接口。具备4个SDR I/O引脚,并以高达144 MHz的频率在SPI或QPI模式下运行。适宜于低功耗和低成本便携式利用。联合了无缝的自我管理刷新机制。因而它不须要零碎主机反对DRAM刷新。采纳小尺寸封装8引线USON-8L 3x2mm。英尚提供驱动、例程以及必要的FAE反对。