传统上，有两种办法能够减少应用程序的ram：
应用更大的微控制器(MCU)：如果必须购买更大、更低廉的MCU以取得更多RAM，则此选项的吸引力较小
应用内部并行RAM：但并行RAM应用大型封装，通常须要至多16-20个I/O
串行SRAM提供了在设计中增加RAM的灵活性，而没有大型MCU或并行RAM的毛病，并应用简略的4针SPI接口。这些器件还通过SDI和SQI接口提供了更高的性能，可将数据速率进步多达4倍。

上面介绍一款可减少应用程序的512Kbi的Serial SRAM芯片23LC512，需理解更多产品相干材料及技术支持可分割英尚微电子。

Microchip型号23LC512容量512Kbit串行SRAM，与当初许多MCU系列的串行外设接口端口连贯。它还能够通过应用在固件中正确编程以匹配SPI协定的离散I/O线与没有内置SPI端口的微控制器连贯。23LC512还可能在SDI/SQI高速SPI模式下工作。