ISSI次要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。为汽车、通信、数字生产、以及工业和医疗等次要市场设计开发和销售高性能集成电路的技术翘楚。

IS61WV51216 SRAM芯片是一个8M容量，组织构造为512Kx16的高速率低功耗动态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。应用IS62WV51216的片选引脚和输入使能引脚，能够简略实现存储器扩大。

这种高度牢靠的工艺与包含ECC（SEC-DED：单纠错-双纠错）在内的翻新电路设计技术相结合，可产生高性能和高度牢靠的设施。通过应用芯片使能和输入使能输出提供轻松的内存扩大。无效的低写入使能(WE#)管制存储器的写入和读取。采纳规范44引脚TSOP(TYPEII)封装。