富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM（电阻式随机存取存储器）MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。

ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录1和0的电阻上产生微小的变动。其电极间采纳金属氧化物的简略构造，制作工艺非常简单，同时仍具备低功耗、写入速度快等低劣个性。

MB85AS12MT该新产品是一种非易失性存储器，具备12Mbit的大存储密度，封装尺寸约为2mmx3mm。它在读取操作期间具备均匀0.15mA的极低读取电流。该产品具备封装尺寸小、读取电流小等特点，十分实用于助听器、智能手表等可穿戴设施。

MB85AS12MT是一款具备12Mbit存储密度的非易失性存储器，可在1.6V至3.6V的宽电源电压范畴内工作。新的ReRAM产品的内存密度是现有8MbitReRAM的1.5倍，同时放弃雷同的封装尺寸WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装）和雷同的引脚调配。该产品能够在大概2mmx3mm的小包装尺寸中存储大概90页报纸的字符数据。

MB85AS12MT应用的WL-CSP与常常用于具备串行外设接口(SPI)的存储设备的8引脚SOP相比，能够节俭大概80%的装置表面积。

与其余非易失性存储器相比，新的ReRAM产品具备极小的读取电流程度。在5MHz工作频率下，均匀读取电流小至0.15mA，甚至在10MHz工作时最大读取电流为1.0mA。因而，通过将MB85AS12MT装置在具备频繁数据读取操作（例如特定程序读取或设置数据读取）的电池供电设施中，能够最大限度地缩小电池耗费。它非常适合用于电池供电的小型可穿戴设施，例如助听器和智能手表。

富士通半导体存储器解决方案在持续为须要频繁数据重写的客户设施寻求更大密度的FRAM产品的同时，始终在开发新的非易失性存储器以满足频繁读取数据的要求，从而引入了这种新的12Mbit ReRAM产品。富士通半导体内存解决方案一直开发各种低功耗内存产品以满足客户的需要。