关于存储技术:并口FRAM与SRAM的比较

铁电存储器FRAM是一种具备疾速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不须要备用电池来保留数据，并且具备更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。明天进行并口FRAM与SRAM的比拟。

并口FRAM vs SRAM

具备并行接口的FRAM与电池备用SRAM兼容，能够代替SRAM。通过用FRAM代替SRAM，客户能够冀望以下劣势。

1、升高总成本

应用SRAM的零碎须要继续查看电池状态。如果用FRAM替换后，客户能够从保护电池查看的累赘中解放出来。此外，FRAM不须要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的装置空间。FRAM的繁多芯片解决方案能够缩小空间和老本。
免保护：无需更换电池
设施小型化：能够缩小最终产品的元器件数量

2、环保产品