物联网及穿戴设施还未入世前，Serial SRAM的利润并不能吸引支流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机一直增多，传统的SRAM厂商进军串行SRAM畛域的逐步增多。容量和带宽将是两大推动力。

大吞吐量、玲珑的串行接口SRAM芯片带来了有限的可能性。它最终有可能成为泛滥电路板上当代嵌入式SRAM和并行SRAM的全财产继承者。

国产SRAM厂商安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一SRAM存储芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。领有国内出名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。

EMI串行接口的SRAM，外扩SRAM能够通过应用SPI的接口来将内部RAM增加到简直所有利用中。串行拜访的动态随机存取存储器采纳先进的CMOS技术进行设计和制作，以提供高速性能和低功耗。采纳单芯片抉择（/ CS）输出进行操作，并通过与SPI兼容的简略串行接口进行拜访。可在-40℃至+ 85℃（工业级）的温度范畴内工作。

并口SRAM芯片可作为弱小微处理器的主缓存应用， 通常仅以375mW的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留性能，器件采44TSOP2引脚封装，供电电压VCC的范畴为2.7~3.6V，属于一般主板都能提供的弱电输出电压。

其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，持续保留曾经存储在芯片中的数据，并且其数据保留所需的电压VDR升高到1.5V最低，而所需的电流IDR更是低至4A最大值，SRAM芯片相比DRAM的长处在于不须要刷新电路就能保留外部存储的数据，而且更为疾速、低功耗。读写延时在45/55ns左右，堪称是响应极其迅速的一款产品，适宜用在需高速数据传输的设施当中。

EMI伟凌创芯SRAM芯片采纳先进的全CMOS工艺技术制作，位宽为8/16位异步低功耗SRAM芯片，反对宽电压范畴2.3V〜5.5V，同时反对商业及工业温度范畴，封装采纳规范44TSOP2，48BGA，其RAM产品具备高性能，高可靠性，高存储密度等个性，广泛应用于办公自动化，人工智能，工控设施，POS设施，通信通信行业等。