MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。反对+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序，具备有限的耐用性。数据在超过20年的工夫里始终是非易失性的。数据通过低压克制电路在断电时主动爱护，以避免电压超出规格的写入。MR0D08BMA45R是必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用的现实内存解决方案。
MR0D08BMA45R采纳小尺寸8mmx8mm、48引脚球栅阵列(BGA)封装，在宽泛的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70℃）。此款MRAM存储器可取代零碎中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，实现更简略、更高效的设计。通过更换电池供电的SRAM进步可靠性。
特色
+3.3伏电源
•I/O电压范畴反对+1.65至+3.6伏宽接口
•45ns的疾速读/写周期
•SRAM兼容时序
•有限读写耐力
•数据在温度下超过20年始终非易失性
•合乎RoHS的小尺寸BGA封装
Everspin Technologies, Inc是设计制作和商业化分立和MRAM和STT-MRAM进入数据持久性和应用程序的市场和应用领域的翘楚。完整性、低提早和安全性至关重要。Everspin非易失性存储MRAM在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和交通运输市场，建设了世界上最弱小和增长最快的 MRAM 用户根底。