IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量，组织构造为512KX16的高速率低功耗动态随机存储器。采纳高性能CMOS工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。应用IS62WV51216的片选引脚和输入使能引脚，能够简略实现存储器扩大。IS62WV51216EBLL-45TLI采纳JEDEC规范44TSOP2封装。

我司介绍一款可用于替换IS62WV51216EBLL-45TLI的国产SRAM芯片，EMI伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采纳EMI先进的全CMOS工艺技术制作。位宽512KX16,电源电压为2.7V~3.6V，反对工业温度范畴和芯片级封装，以实现零碎设计的用户灵活性。该系列还反对低数据保留电压1.5V(Min.)，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。采纳规范44TSOP2封装模式。代理商英尚微电子提供收费样品测试及技术支持。

low power sram次要是指低功耗SRAM存储器，利用于内有电池供电对功耗十分敏感的产品，作为动态随机拜访存储器的一种类别，动态随机拜访存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，宽泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制作工艺的一直晋升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要