FRAM是一种非易失性存储器产品，具备读写耐久性高、写入速度快、功耗低等长处。

富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保障写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM雷同，TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具备与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范畴内运行。

在疾速页面模式下，FRAM可能运行到25ns，在间断数据传输时，其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且升高了功耗。该FRAM的最大写入电流为18mA，比目前的产品低10%，最大待机电流为150µA，低50%。

在某些状况下能够省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品能够解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的以下问题：

问题：更改接口设计和PCB设计的额定工作
解决方案：应用与SRAM接口和SRAM封装兼容的FRAM

问题：难以用写入速度十分慢的非易失性存储器代替
解决方案：应用具备疾速写入操作的FRAM，页面模式下最大25ns

问题：写入寿命高达10万亿次导致设计限度
解决方案：应用写入寿命高达100万亿次的FRAM