疾速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“疾速”异步型SRAM。

国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步疾速随机动态存储器，位宽8X1M字位。该器件采纳先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制作，专为高速电路技术而设计。它特地实用于高密度高速零碎利用。

EMI516NF16LM-10I应用8条公共输出和输入线，并具备一个输入使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址拜访工夫快。封装采纳48FBGA。代理英尚国内有限公司反对提供样品测试及技术支持。

EMI516NF16LM-10I特点
•快速访问工夫：10ns
•CMOS低功耗待机(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
•3.3V电源
•TTL兼容输出和输入
•齐全动态操作，无需时钟或刷新
•三态输入
•数据字节管制(x16模式)LB:I/O0~I/O7,UB:I/O8~I/O15
•规范48FBGA封装类型
•合乎ROHS
•工业温度

安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整体解决方案，提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。