Everspin非易失性存储器MR25H40VDF是具备SPI接口的MRAM，MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采纳标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供规范的8引脚Small Flag DFN。可间接代替SPI-FRAM 8引脚塑料SOP封装。与其余串行存储器替代品相比SPI MRAM具备卓越的写入速度，有限的耐用性，低待机和运行能力以及简略，牢靠的数据保留。
MR25H40VDF的长处
•更快的随机拜访操作工夫（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在125℃工作温度下超过20年）
•有限读/写耐久性
•无磨损问题
•掉电时的主动数据保护
•竞争定价
•稳固的制造业供应链
MR25H40VDF对于必须应用大量I/O引脚疾速存储和检索数据和程序的应用程序，是现实的内存解决方案。具备串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写提早并且读/写寿命不受限制。与其余串行存储器不同，应用MR25H40VDF，读取和写入都能够在内存中随机产生，而写入之间没有提早。
everspin是设计制作和商业运输分立和MRAM和STT-MRAM的寰球领导者，面向数据持久性和应用程序的市场和利用。完整性、低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为寰球 MRAM 用户奠定了最弱小、增长最快的根底。Everspin是设计制作MRAM到市场和利用的翘楚，在这些市场和利用中，数据持久性和完整性，低提早和安全性是至关重要。