在现有的单片机MCU的设计上，因为片内RAM空间有余，想要解决这个问题要么换更大RAM的MCU，要么就外扩PSRAM。计划抉择次要有两个问题须要思考：1.PSRAM的数据位数；2.是否应用锁存器。因为IO口资源无限，同时为保障片外PSRAM的速度。

因为单片机RAM内存比拟小，限度了很多单片机MCU在智能硬件上的利用，在个别的存储芯片中PSRAM是属于伪动态SRAM存储芯片，PSRAM具备SRAM一样的简单明了的接口设置，也不须要像DRAM那样须要刷新，却具备DRAM单管的工艺构造，能够在雷同单位面积的die(裸片)切割更多的存储芯片，价格绝对比SRAM要便宜，在晚期的利用中，比拟常见的是像智能手机，电子字典等，或者比方展讯的SC6530、锐迪科的8851、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。

外扩PSRAM个别用做内存应用，应用程序的数据就是映射到片外的。所以PSRAM的可靠性必须要保障，必须是零容忍。不然就会出现异常死机的状况。这对于产品来说是相对不容许的。所以尽管硬件软件曾经通了，但对PSRAM的压力测试还是很有必要的。

我司英尚微推出的EMI产品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件，容量64Mbit，一般来说如果外扩单片机MCU的RAM资源的话，须要占用单片机的大量的管脚，而EMI7064LSME这个器件只须要单片机反对SPI接口或者Quad SPI接口就能够实现RAM资源外扩，非常适合于各类智能硬件的利用如图像处理、数据加密、语音解决、流媒体利用、数据采集、通信数据处理等。

国产pSRAM伟凌创芯（EMI）64Mbit Serial SRAM，反对1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM设施。该RAM可配置为1位输出和输入独立或4位I/O公共接口。所有必要的刷新操作都由设施自身负责。EMI代理商反对提供样品测试及产品解决方案。