随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐步呈现出高集成度、疾速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的倒退中，SRAM因为其宽泛的利用成为其中不可或缺的重要一员。

随机存储器最大的特点就是能够随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会隐没。SRAM的数据存储形式是依附一对反相器以闭环模式连贯的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因而它的存取速度比DRAM要快。然而SRAM须要用更多的晶体管来存储一位的信息（采纳六管单元或四管两电阻单元贮存一位数据），因此其位密度比其它类型的低，造价也高。动态存储器多用于二级高速缓存。

介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采纳EMI先进的全CMOS工艺技术制作。反对工业温度范畴-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采纳32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现零碎的用户灵活性设计。还反对低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。

特色
●工艺技术：90nm Full CMOS
●组织：128KX8bit
●电源电压：4.5V~5.5V
●三态输入，TTL兼容
●规范32SOP
●工业操作温度

对于伟凌创芯（EMI）
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一SRAM存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司领有国内出名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内出名前后道生产合作伙伴严密单干。深挖客户利用，依靠弱小的研发实力，交融世界前沿的技术理念疾速响应客户的变动需要，为行业客户提供高品质、低成本，供货继续稳固的自主知识产权的集成电路产品，产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。