富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐屡次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其余方面运行。这种突破性的存储介质用于各种利用，包含智能卡、RFID、平安和许多其余须要高性能非易失性存储器的利用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行FRAM存储器64K MB85RS64。
■形容
MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM（铁电存储器）芯片，采纳铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术造成非易失性存储单元。MB85RS64采纳串行外设接口（SPI）。MB85RS64可能在不应用备用电池的状况下保留数据，这是SRAM所须要的。
MB85RS64采纳的存储单元可进行1010次读写操作，相比Flash存储器和E2PROM反对的读写操作次数有显著晋升。MB85RS64不像闪存和E2PROM那样须要很长时间来写入数据，并且MB85RS64不须要等待时间。
■特点
•位配置：8,192字×8位
•Serial Peripheral Interface:SPI对应SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：20MHz（最大）
•高耐用性：100亿次读/写
•数据保留：10年(+85℃)
•工作电源电压：2.7V至3.6V
•低功耗:工作电源电流1.5(TBD)mA(Typ@20MHz)待机电流10A(TBD)(Typ)
•工作环境温度范畴：-40℃至+85℃
•封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)合乎RoHS
引脚调配
独立FRAM提供了将 FRAM 异化到任何须要高速非易失性存储器的零碎的灵活性。 FRAM不须要电池来备份其数据，从而在整个零碎中节俭了大量老本和电路板空间。它能够用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据能够在当前应用。这些存储的数据可用于重置设施、剖析上次状态和激活复原操作。逐字节随机拜访使内存治理更无效。
FRAM只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这容许程序员依据须要灵便地调配ROM和RAM 存储器映射。它为最终用户发明了在底层对FRAM进行编程以依据他们的集体进行定制的机会.