富士通FRAM（铁电RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐屡次读写操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其余方面运行。这种突破性的存储介质用于各种利用，包含智能卡、RFID、平安和许多其余须要高性能非易失性存储器的利用。富士通代理英尚微介绍富士通半导体128K串行接口FRAM MB85RS128B。
■形容
MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采纳铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术造成非易失性存储单元。MB85RS128B采纳串行外设接口（SPI）。MB85RS128B可能在不应用备用电池的状况下保留数据，这是SRAM所须要的。
MB85RS128B采纳的存储单元可进行1012次读写操作，相比Flash存储器和E2PROM反对的读写操作次数有显着晋升。MB85RS128B不须要像Flash存储器或E2PROM那样长时间写入数据，并且MB85RS128B不须要等待时间。
■特点
•位配置：16,384字×8位
•SPI对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：除READ33MHz(Max)READ命令以外的所有命令25MHz(Max)
•高耐久性：1012次/字节
•数据保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超过200年(+35℃)
•工作电源电压：2.7V至3.6V
•低功耗：工作电源电流6mA(Typ@33MHz)待机电流9A(Typ)
•工作环境温度范畴：−40℃至+85℃
•封装：8针塑料SOP(FPT-8P-M02)合乎RoHS
■引脚调配
■串行外设接口(SPI)
富士通铁电存储器MB85RS128B作为SPI的从机工作。应用装备SPI端口的微控制器能够连贯2个以上的设施。通过应用没有装备SPI端口的微控制器，SI和SO能够通过总线连贯应用。