Cypress凭借在分立存储器半导体畛域近40年的教训，以同类最佳的存储器产品、解决方案和技术引领行业。于1982年推出第一款随机存取存储器，并从这个吉祥的开始倒退为涵盖NOR闪存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的宽泛产品，其密度范畴从4Kbit到4Gbit。赛普拉斯易失性和非易失性存储器产品组合具备以下个性：超低功耗、高性能、牢靠的FRAM产品。Cypress代理可提供产品相干技术支持。
性能概述
FM25V01A-G是一个采纳高级铁电工艺的128Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM雷同，它可能执行读和写操作。它提供151年的牢靠数据保留工夫，并解决了由串行闪存、EEPROM和其余非易失性存储器造成的复杂性、开销和零碎级可靠性的问题。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V01A-G以总线速度执行写操作。并且它不会引起任何写操作提早。每个字节胜利传输到器件后，数据立刻被写入到存储器阵列内。这时能够开始执行下一个总线周期而不须要轮询数据。与其余非易失性存储器相比的是该产品提供了更多的擦写次数。FM25V01A-G可能反对1014次读/写周期，或反对比EEPROM多1亿次的写周期。
因为具备这些个性，因而FM25V01A-G实用于须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。利用的范畴包含从数据采集（其中写周期数量是十分重要的）到刻薄的工业管制（其中串行闪存或EEPROM的较长写工夫会使数据失落）。
作为硬件代替时，FM25V01A-G为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便当。FM25V01A-G应用高速的SPI总线，从而能够改良FRAM技术的高速写入性能。该器件蕴含一个只读的器件ID，通过该ID，主机能够确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范畴内，该器件标准失去保障。
个性
■128Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为16K×8
❐高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作
❐151年的数据保留工夫（请参考数据保留工夫与耐久性表）
❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■十分快的串行外设接口（SPI）
❐工作频率可高达40MHz
❐串行闪存和EEPROM的硬件间接代替
❐反对SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■精细的写入爱护计划
❐应用写爱护（WP）引脚提供硬件爱护
❐应用写禁用指令提供软件保护
❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块爱护
■器件ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗
❐当频率为40MHz时，无效电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
❐睡眠模式电流为8mA
■工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V
■工业温度范畴：–40℃到+85℃
■8引脚小型塑封集成电路（SOIC）封装
■合乎无害性物质限度（RoHS）
引脚散布
FM25V01A-G是一个串行FRAM存储器。存储器阵列被逻辑组织为16,384×8位，应用工业规范的串行外设接口（SPI）总线能够拜访它。FRAM和串行闪存以及串行EEPROM的性能操作是雷同的。FM25V01A-G与串行闪存或具备雷同引脚散布的EEPROM的次要区别在于FRAM具备更好的写性能、高耐久性和低功耗。
存储器架构
当拜访FM25V01A-G时，用户寻址16K地址的每8个数据位。这些8位数据被间断移入或移出。通过应用SPI协定能够拜访这些地址，该协定蕴含一个芯片抉择（用于反对总线上的多个器件）、一个操作码和一个两字节地址。该地址范畴的高2位都是‘无需关注’的值。14位的残缺地址独立指定每个字节的地址。
FM25V01A-G的大多数性能能够由SPI接口管制，或者通过板上电路主动解决。存储器的拜访工夫简直为零，该工夫小于串行协定所须要的工夫。因而该存储器以SPI总线的速度进行读/写操作。与串行闪存或EEPROM不同的是，不须要轮询器件的就绪条件，这是因为写操作是以总线速度进行的。新的总线数据操作移入器件前须要实现写操作。
赛普拉斯铁电RAM(FRAM)存储器，通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和有限读/写相结合，提供业界功耗最低的要害工作非易失性存储器循环耐力。这使得FRAM成为便携式医疗、可穿戴、物联网传感器、工业和汽车利用的现实数据记录存储器。