MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具备成为通用存储器的后劲，可能将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合，同时具备非易失性和节能性。MRAM能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得MRAM实用于汽车、工业、军事和太空利用。
上面介绍一款Everspin非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF是一个串口MRAM，内存阵列逻辑组织为32Kx8，应用串行外围接口(SPI)的片选(CS)、串行输出(SI)、串行输入(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口公共汽车。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，容许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、有限的耐用性、低待机和操作功率以及更牢靠的数据保留。MR25H256ACDF已公布量产，举荐用于所有新设计。对于更多产品信息可征询everspin代理，同时为客户提供产品相干技术支持。
MR25H256ACDF特色
•无写入提早
•有限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时主动数据保护
•块写爱护
•疾速、简略的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范畴
•低电流睡眠模式
•工业和汽车1级和3级温度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。
•间接代替串行EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
•湿度敏感度MSL-3
电气规格
该设施蕴含爱护输出免受高动态电压或电场损坏的电路；然而，倡议采取失常预防措施，防止将任何高于最大额外电压的电压施加到这些高阻抗(Hi-Z)电路上。
该设施还蕴含对外部磁场的爱护。应采取预防措施以防止施加比最大额定值中规定的磁场强度更强的任何磁场。