在过来的几十年中，SRAM畛域已划分为两个不同的产品系列,疾速和低功耗，每个产品都有本人的性能，应用程序和价格。应用SRAM的设施须要它的高速性或低功耗性，但不能同时兼顾两者。然而人们越来越须要具备低功耗的高性能设施，以便在依附便携式电源运行时执行简单的操作。这种需要由新一代医疗设施和手持设施，生产电子产品和通信零碎及工业控制器推动，而这些都由物联网驱动。
上面介绍一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的国产SRAM芯片EMI501HB08PM45I。
EMI501HB08PM45I形容
EMI501HB08PM45I异步低功耗SRAM由EMI先进的全CMOS工艺技术制作。位宽128k x 8bit，反对工业温度范畴，工作输入电压为4.5V〜5.5V，以实现零碎的灵活性设计。还反对低数据保留电流的电池备份操作的低数据保留电压。
EMI501HB08PM45I特色
•工艺技术：90nm全CMOS
•组织：128k x 8bit
•电源电压：4.5V〜5.5V
•三种状态输入和TTL兼容
•规范32SOP.
•工业运行温度。
低功耗SRAM存储器，利用于内有电池供电对功耗十分敏感的产品，作为动态随机拜访存储器的一种类别，SRAM作为最重要的半导体存储器，宽泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制作工艺的一直晋升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。