SRAM是一种随机存取存储器(RAM)，它应用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只有有电源，数据位就会保留在存储器中。与动静RAM(DRAM)不同，SRAM不用定期刷新。SRAM有两种不同的格调：同步和异步。同步SRAM是与称为时钟的内部信号同步的设施。设施只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面，异步SRAM不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立刻开始向内存中读取或写入信息。
赛普拉斯为网络、汽车、生产电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种利用提供各种高速、低功耗和牢靠的SRAM。凭借多样化的异步、同步和双端口SRAM产品组合以及稳固供给和长期产品反对的承诺，赛普拉斯是首选的SRAM供应商。英尚微代理介绍一款市面上比拟受欢迎的一款赛普拉斯4Mbit异步SRAM。
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS疾速动态RAM，按16位组织为256K字。容量4Mbit的高速异步疾速SRAM,访问速度10ns/15ns，低流动和待机电流，工作电压范畴2.2V~3.6V，1.0-V数据保留，工作温度-40℃~ 85℃，具备TTL兼容的输出和输入，封装采纳无铅44-pinTSOPII。
CY7C1041GN30-10ZSXIT数据写入通过将芯片使能(CE)和写入使能(WE)输出置为低电平来执行，同时在I/O0至I/O15上提供数据并在A0至A17引脚上提供地址。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)输出管制对指定存储器地位的高字节和低字节的写操作。BHE通过I/O15管制I/O8，BLE通过I/O7管制I/O0。
数据读取是通过将芯片使能(CE)和输入使能(OE)输出置为低电平并在地址线上提供所需地址来执行的。读取数据可通过I/O线（I/O0到I/O15）拜访。字节拜访能够通过置位所需的字节使能信号（BHE或BLE）来执行，以从指定地址地位读取数据的高字节或低字节。
在以下事件期间，所有I/O（I/O0到I/O15）都处于高阻抗状态：
■设施被勾销抉择(CEHIGH)
■管制信号（OE、BLE、BHE）有效
借助片上硬件ECC（纠错码），赛普拉斯的SRAM能够在线执行所有与ECC相干的性能，无需干涉。更高能量的外星辐射能够翻转多个相邻位，导致多位谬误。ECC的单比特谬误检测和纠正能力由比特交错计划补充，以避免多比特谬误的产生。这些个性独特显着进步了软错误率(SER)性能，从而实现低于0.1FIT/Mbit的行业当先FIT率。