Everspin Technologies，Inc是设计制作MRAMSTT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和可靠性。完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。领有超过600项无效专利和申请的知识产权组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
MR1A16A概述
MR1A16A是一款具备2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具备有限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可主动在断电时爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR1A16A是现实的存储器解决方案。
MR1A16A提供小尺寸的48引脚（BGA）封装和44引脚薄型小形状封装（TSOP Type2）。这些封装与相似的低功耗SRAM产品和其余非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商用（0至+70℃），工业（-40至+85℃），扩大（-40至+105℃）和AEC-Q1001级（-40至+125℃）工作温度范畴选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。
MR1A16A引脚配置
特色
•35ns的疾速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需从新设计即可应用现有SRAM控制器
•有限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下放弃非易失性
•一个存储器代替了零碎中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简略，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以进步可靠性
•3.3V电源
•断电时主动数据保护
•商业，工业，扩大温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均合乎MSL-3湿度敏感度等级
•合乎RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装