赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器，采纳先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。次要提供了151年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。并且执行相似于RAM的读取和写入操作。

FM25V05-GTR是串行FRAM存储器。逻辑上将存储器阵列组织为65,536×8位，并应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线对其进行拜访。FRAM的性能操作相似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V05-GTR与具备雷同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的次要区别在于FRAM的优异写入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微可提供产品相干技术支持服务。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V05-GTR以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25V05-GTR可能反对1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些性能使FM25V05-GTR非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。例子包含数据收集（可能是要害的写周期数）到要求刻薄的工业管制，在这些状况下，串行闪存或EEPROM的长写入工夫可能会导致数据失落。

FM25V05-GTR作为串行EEPROM或闪存的用户，可作为硬件的替代品而取得实质性益处。FM25V05-GTR应用高速SPI总线，从而加强了FRAM技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施ID，该ID容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。


引脚封装

记忆体架构
拜访FM25V05-GTR时，用户对每个8个数据位的64K地址进行寻址。这八个数据位被串行移入或移出。应用SPI协定拜访地址，该协定包含一个芯片抉择（容许总线上有多个设施），一个操作码和一个2字节地址。16位的残缺地址惟一地指定每个字节地址。

FM25V05-GTR的大多数性能要么由SPI接口管制，要么由板载电路解决。存储器操作的拜访工夫基本上为零，超出了串行协定所需的工夫。也就是说，以SPI总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或EEPROM不同，因为以总线速度进行写操作，因而无需轮询设施是否处于就绪状态。到能够将新的总线事务转移到设施中时，写操作就实现了。界面局部将对此进行具体阐明。

串行外设接口–SPI总线
FM25V05-GTR是SPI从设施，运行速度高达40MHz。该高速串行总线提供了与SPI主设施的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具备容许间接接口的硬件SPI端口。对于不带微控制器的微控制器，应用一般端口引脚来仿真端口非常简单。FM25V05-GTR在SPI模式0和3下运行。

对于Cypress

Cypress次要针对增长速度比整体半导体行业更快的翻新市场，包含汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和生产电子业务畛域。向客户提供市场当先的MCU、无线 SoC、存储器、模仿 IC 和 USB 控制器的解决方案。让在疾速倒退的物联网畛域取得了劣势和横跨传统市场的业务笼罩。