赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI次要采纳先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行相似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。

CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为524,288×8位，可应用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行拜访。FRAM的性能操作相似于串行闪存和串行EEPROM。CY15B104Q-LHXI与具备雷同引脚输入的串行闪存或EEPROM之间的次要区别在于FRAM的优越写入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微提供相干技术支持。

8引脚TDFN引脚排列

与串行闪存和EEPROM不同，CY15B104Q-LHXI以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。CY15B104Q-LHXI可能反对1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些性能使CY15B104Q-LHXI非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用。例子包含数据收集（可能是要害的写周期数）到要求刻薄的工业管制，在这些状况下，串行闪存或EEPROM的长写入工夫可能会导致数据失落。

CY15B104Q-LHXI为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的益处，能够作为硬件的代替产品。CY15B104Q-LHXI铁电存储器应用高速SPI总线，从而加强了FRAM技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施ID，该ID容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范畴内保障器件的规格。

记忆体架构
当拜访CY15B104Q-LHXI时，用户寻址每个8个数据位的512K单元。这八个数据位被串行移入或移出。应用SPI协定拜访地址，该协定包含一个芯片抉择（容许总线上有多个设施），一个操作码和一个三字节地址。地址范畴的高5位是“无关”值。19位的残缺地址惟一地指定每个字节地址。

CY15B104Q-LHXI FRAM的大多数性能要么由SPI接口管制，要么由板载电路解决。存储器操作的拜访工夫基本上为零，超出了串行协定所需的工夫。也就是说，以SPI总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或EEPROM不同，因为以总线速度进行写操作，因而无需轮询设施是否处于就绪状态。到能够将新的总线事务转移到设施中时，写操作就实现了。界面局部将对此进行具体阐明。

串行外设接口（SPI）总线
CY15B104Q-LHXI是SPI从设施，工作速度高达40MHz。该高速串行总线提供了与SPI主设施的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具备容许间接接口的硬件SPI端口。对于不应用微控制器的一般端口引脚，应用一般端口引脚来模仿端口很简略。 CY15B104Q工作在SPI模式0和3。