CYPRESS在包含汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和生产电子业务畛域。次要向客户提供市场当先的MCU、无线 SoC、存储器、模仿IC和USB控制器的解决方案。在疾速倒退的物联网畛域取得了劣势和横跨传统市场的业务笼罩。Cypress代理英尚微给大家分享一款具备扩大温度的2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR。
FM25V20A-DGQTR性能介绍
FM25V20A-DGQTR是采纳先进铁电工艺的2Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行相似于RAM的读取和写入操作。它提供了121年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25V20A-DGQTR可能反对1014个读/写周期，或比EEPROM多1000万倍的写周期。
这些性能使FM25V20A-DGQTR非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用，例如数据收集（可能是要害的写入周期数）到要求严格的工业管制，而串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据失落。
FM25V20A-DGQTR为串行EEPROM或闪存的用户提供了可观的益处，可作为硬件的代替产品。FM25V20A-DGQTR应用高速SPI总线，从而加强了FRAM技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施ID，该ID容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+105℃的扩大温度范畴内保障器件的规格。
特色
■逻辑组织为256K×8的2Mbit铁电随机存取存储器（FRAM）
•高耐用性10万亿（1014）读/写
•121年的数据保留
•NoDelay™写道
•先进的高可靠性铁电工艺
■极快的SPI
•高达33MHz的频率
•间接更换串行闪存和EEPROM的硬件
•反对SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■简单的写爱护计划
•应用写爱护（WP）引脚进行硬件爱护
•应用禁止写入指令进行软件保护
•实用于1/4、1/2或整个阵列的软件块爱护
■设施ID
•制造商ID和产品ID
■低功耗
•在33MHz时有3.0mA有功电流
•400µA待机电流
•12µA睡眠模式电流
■低压操作：VDD=2.0V至3.6V
■扩大温度：–40℃至+105℃
■8引脚薄型双扁平无引线（DFN）封装
■合乎有害物质限度（RoHS）