ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种十分高速且低功耗的128X8位CMOS动态SRAM。该产品应用ISSI的高性能CMOS技术制作。这种高度牢靠的过程与翻新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设施。当CE为高电平（勾销抉择）时，器件采纳待机模式，在这种模式下，利用CMOS输出电平，功耗可降至25 µW（典型值）。IS63WV1288DBLL由单个Vdd电源供电。上面介绍一款可用于替换此款型号的国产EMI SRAM EMI501NL16LM-55I。

EMI501NL16LM-55I是由EMI制作的先进的残缺CMOS工艺技术所制作进去的。反对低数据用于电池备用操作的放弃电压低数据放弃电流。该型号同时也反对工业温度范畴和芯片级封装，可为用户提供零碎灵活性设计。EMI代理反对提供样品反对及技术解决方案。

特色
●工艺技术：全CMOS
●位宽：64Kx 16位
●电源电压：2.7V〜3.6V
●低数据放弃电压：1.5V（最小值）
●三态输入和TTL兼容
●规范封装44TSOP2,48BGA
●工业操作温度

对于EMI
EMI公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，次要产品波及千兆/万兆USB网口芯片和SRAM存储芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。