随着零碎复杂性一直减少，包含多个数学函数和算法的简单代码也随之减少，片上存储器内存容量可能有余。因而便携式医疗系统通常须要额定的存储空间，以便设计人员应用内部存储器来减少外部存储器的空间。

以下是一个典型的便携式医疗刺激零碎，其零碎思考因素如下：
零碎每100ms捕捉并记录128位采样数据
零碎的数据捕捉和解决工夫为5ms，工作电流为7mA（不包含向存储器写入数据时的电流耗费），数据记录存储器在数据捕捉和解决期间放弃待机或低功耗模式
当捕捉日志被写入到存储器时，零碎和存储器都变为工作状态
假如零碎待机电流为0.5µA
当单片机内核以12兆赫兹的频率运行时，零碎有5%的工夫处于工作状态
便携式零碎采纳3V、1400mAh的LR03电池

表1：比拟FRAM和EEPROM的零碎影响总结

表1显示了向FRAM和EEPROM写入数据所需的能量。能够看出对于这种利用而言，FRAM耗费的功耗显著升高。极低功耗深度待机模式和休眠模式可进一步改善功耗，从而进一步缩短设施的电池使用寿命。

FRAM可提供：
1）近乎有限的耐久度；
2）即时非易失性；
3）低功耗。

使得零碎设计人员能够将基于ram和ROM的数据和性能整合在单个存储器中。利用通常会在可执行代码和数据工作之间分配内存。

基于ROM的技术，包含掩模ROM、OTP-EPROM和NOR闪存，是非易失性的，面向代码存储利用。NAND闪存和EEPROM也能够用作非易失性数据存储器。这些存储器因为执行代码和数据存储操作时性能不佳，因而都须要一些折中计划。它们侧重于降低成本，所以须要在易用性和/或性能方面进行衡量。

基于RAM的技术（如SRAM）能够用作数据存储器，也能够用作代码执行的工作空间，其速度比拟快，不过它的易失性使其仅仅可用于长期存储。

便携式利用空间受限，要求应用尽可能少的组件来优化性能。即便在电路板空间短缺的利用中，应用多种存储器类型也会导致效率低下，使代码设计复杂化，并且通常会耗费更多能量。

FRAM的效率与可靠性使之成为能同时解决代码和数据的繁多存储器技术。作为存储器技术，FRAM领有反对高频率数据记录操作的耐久度，同时还能升高零碎老本，进步零碎效率，并简化设计。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。