Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具备非挥发性和高耐久性。该设施可能以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计合乎所有DDR3 DRAM性能，包含设施端接（ODT）和外部ZQ校准，但具备数据持久性和极高的写周期耐久性的长处。借助Spin-Torque MRAM技术，不须要刷新单元，从而大大简化了零碎设计并缩小了开销。
所有管制和地址输出均与一对外部提供的差分时钟同步，输出锁存在时钟交叉点。 I / O与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件应用RAS / CAS多路复用计划，并在1.5V下工作。
特色
•非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
•反对规范DDR3 SDRAM性能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK（1333MT /秒/针）
•页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
•设施上终止
•片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐
•所有地址和管制输出均在时钟的回升沿锁存
•突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
•规范10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC规范JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3规范齐全兼容。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何起因断开设施电源，已敞开/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些状况下，命令工夫会有所不同。
•DDR3规范实用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小差别。
•突发类型/突发程序仅反对CA <2：0 = 000或100的间断突发类型。请参见第30页的“突发长度，类型和程序”。
基本功能
DDR3 STT-MRAM是外部配置为八存储区RAM的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它应用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR3 MRAM的单个读或写操作包含外部STT-MRAM内核的单个8n位宽，四个时钟数据传输以及I/O引脚上的两个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。
对DDR3 STT-MRAM的读和写操作是面向突发的，从选定的地位开始，并依照编程的程序持续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活流动命令的注册开始，而后是READ或WRITE命令。与激活命令统一注册的地址位用于抉择要激活的存储体和行（[BA0：BA2]抉择存储体； A0-A13抉择行）；无关特定要求，与READ或WRITE命令统一的已注册地址位用于抉择突发操作的起始列地位，确定是否要收回主动预充电命令（通过A10），并“即时”抉择BC4或BL8模式。 （通过A12）（如果在模式寄存器中启用）。在失常操作之前，必须以预约义的形式上电并初始化DDR3 STT-MRAM。